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光刻膠國(guó)產(chǎn)化的道路上有哪6道坎?

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源: 全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者: 全球半導(dǎo)體觀察 ? 2021-05-11 13:46 ? 次閱讀
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材料是半導(dǎo)體大廈的地基,不過(guò),目前中國(guó)的這一地基對(duì)國(guó)外依存度還很高。

2019年,日韓發(fā)生沖突,日本封鎖了三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,分別是氟化氫、聚酰亞胺和光刻膠。這三種材料韓國(guó),中國(guó)都可以制造,但關(guān)鍵在于能造是一回事,能用是另一回事,這其實(shí)也是半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的核心問(wèn)題所在。

01純度

無(wú)論是氟化氫、聚酰亞胺、光刻膠還是硅片,純度是其最核心的標(biāo)準(zhǔn)之一。比如對(duì)于光刻膠來(lái)說(shuō),目前國(guó)外的光刻膠阻抗可以做到10^15,國(guó)內(nèi)基本上停留在10^10。阻抗越高純度越高,光刻膠純度不足會(huì)造成芯片良率下降,甚至污染事故。2019年臺(tái)積電就因?yàn)楣庾柙衔廴緦?dǎo)致上萬(wàn)片12寸晶圓報(bào)廢,直接損失達(dá)5.5億美元。

氟化氫也是同樣的問(wèn)題。氟化氫是一種無(wú)機(jī)酸,是半導(dǎo)體制造過(guò)程中必要材料,常被用來(lái)清洗和蝕刻晶圓,這種材料的難點(diǎn)也在于其對(duì)純度要求特別高。

根據(jù)其純度不同,分為EL、UP、UPS、UPSS、UPSSS級(jí)別,其中UPSS、UPSSS是高端半導(dǎo)體級(jí)別,而這個(gè)級(jí)別的氫氟酸僅僅檢測(cè)步驟就需要用到頂級(jí)的質(zhì)譜儀、掃描電鏡、原子力顯微鏡等。其存儲(chǔ)設(shè)備的內(nèi)襯、管道閥門等都是世界級(jí)難題,目前也只有日本企業(yè)能大規(guī)模生產(chǎn),國(guó)內(nèi)有幾家企業(yè)能做到電子級(jí)氫氟酸,但產(chǎn)能不高。

02原材料壁壘

影響光刻膠純度的原因多種多樣,但原材料一定占據(jù)核心位置。

就拿光刻膠的溶劑來(lái)說(shuō),一款光刻膠,溶劑的含量占據(jù)光刻膠總質(zhì)量的80%~90%,光刻膠最常使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯(PMA),它具有很好的溶解性,性狀穩(wěn)定,適合將成膜樹(shù)脂和光引光劑液化以便于旋轉(zhuǎn)涂敷。

目前,世界丙二醇醚及酯類產(chǎn)品的生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、西歐及中國(guó)等國(guó)家和地區(qū),主要是美國(guó)陶氏化學(xué)、伊士曼化學(xué),荷蘭利安德巴塞爾,德國(guó)巴斯夫,這些國(guó)外企業(yè)從事丙二醇醚及其酯的工業(yè)化生產(chǎn),這些企業(yè)深耕這一領(lǐng)域已有30多年的歷史,擁有豐厚的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),并不是國(guó)產(chǎn)企業(yè)可以一朝一夕能夠拿下的。

而聚酰亞胺領(lǐng)域也是一樣。

在液晶顯示的應(yīng)用上,CPI薄膜則代表了聚酰亞胺的最高研究和發(fā)展水平,但是這一領(lǐng)域一直以來(lái)都是美國(guó)的杜邦、日本的住友化學(xué)以及三井化學(xué)等企業(yè)的天下,三星的柔性顯示用CPI透明薄膜的配方就來(lái)自住友化學(xué)。

均苯四甲酸二酐是制備聚酰亞胺的重要原材料,目前這種原材料主要掌握在國(guó)外企業(yè)手中,全球的年產(chǎn)量為6萬(wàn)噸,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)約為5000噸。而且,均苯四甲酸二酐的純度關(guān)乎于聚酰亞胺的成敗,如果純度不夠,更容易產(chǎn)生副反應(yīng),導(dǎo)致生產(chǎn)的聚酰亞胺純度不達(dá)標(biāo)。

03專利壁壘

如今的光刻技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入EUV時(shí)代,臺(tái)積電、英特爾和三星紛紛積極導(dǎo)入EUV技術(shù),與之對(duì)應(yīng)的是EUV光刻膠的需求上升,與ArF浸沒(méi)式光刻相比,EUV光刻技術(shù)有很高的圖形保真度和設(shè)計(jì)靈活性,所需的光掩模數(shù)量很少,顯示出明顯的優(yōu)勢(shì)。

但國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)想要突破它,不僅面臨原材料、純度等難題,還面臨強(qiáng)大的專利壁壘。

從全球EUV光刻膠專利的申請(qǐng)量上來(lái)看,1998年EUV光刻膠專利的申請(qǐng)量只有6件,此后十年間,大多數(shù)時(shí)候都是年平均兩位數(shù)的申請(qǐng)量。從2010年開(kāi)始的四年間,申請(qǐng)數(shù)量破百,并且持續(xù)增長(zhǎng),到2013年到達(dá)頂峰。當(dāng)年的申請(qǐng)量有164件,此后又逐步回落至兩位數(shù),到2017年,EUV光刻膠專利的申請(qǐng)量只有15件。

這一趨勢(shì)說(shuō)明,在本世紀(jì)前13年里,EUV光刻膠的技術(shù)在不斷的進(jìn)步,各大廠商都在積極探索EUV光刻膠技術(shù),所以專利數(shù)才會(huì)不斷上升,而在2013年之后,該項(xiàng)技術(shù)走向成熟,由此專利數(shù)量開(kāi)始急劇減少。

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(圖片來(lái)源:現(xiàn)代化工第39卷第7期)

此外,從專利申請(qǐng)量的前十名來(lái)看,日本就占據(jù)了七席,專利申請(qǐng)數(shù)量占比高達(dá)90%,富士膠片以422件的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)排在第一,在前十名中,只有美國(guó)的羅姆哈斯和陶氏化學(xué),以及韓國(guó)的三星電子3家非日本企業(yè)。

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(圖片來(lái)源:現(xiàn)代化工第39卷第7期)

04規(guī)模壁壘

與半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體封測(cè)甚至晶圓產(chǎn)業(yè)相比,光刻膠是一個(gè)“小眾”產(chǎn)業(yè),而且光刻膠還分為顯示面板用光刻膠和半導(dǎo)體用光刻膠,半導(dǎo)體用光刻膠的規(guī)模遠(yuǎn)小于面板用光刻膠。

根據(jù)TECHCET的一份預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2021年整個(gè)半導(dǎo)體用光刻膠的市場(chǎng)只有19億美元的規(guī)模。而這一市場(chǎng)又是高度集中,拿ArF光刻膠舉例,日本的JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、住友化學(xué)四家企業(yè)就占據(jù)了82%的市場(chǎng)份額,KrF光刻膠市場(chǎng)中,東京應(yīng)化、信越化學(xué)、JSR和杜邦占據(jù)了85%的市場(chǎng)份額。

并且從公司規(guī)模來(lái)看,光刻膠并不是這些的主營(yíng)業(yè)務(wù),光刻膠只是占據(jù)了其營(yíng)收中極小的一部分。

以信越化學(xué)為例,其2019年的營(yíng)收大約為147億美元左右,而當(dāng)年的全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模也才13億美元左右,所以相比較之下,光刻膠并不是巨頭們的最核心業(yè)務(wù)。

與之相比的是,國(guó)內(nèi)的光刻膠企業(yè)無(wú)論從技術(shù)還是規(guī)模上,都與巨頭們有比較大的差距。南大光電和晶瑞股份是國(guó)內(nèi)的光刻膠龍頭企業(yè),2019年,南大光電的營(yíng)收為3.21億元,凈利潤(rùn)0.55億元,同年晶瑞股份的營(yíng)收為7.6億元,凈利潤(rùn)為0.31億元,由此可見(jiàn)一斑。

并且由于需要加速追趕,國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)近年來(lái)相繼斥資購(gòu)買光刻機(jī)來(lái)驗(yàn)證產(chǎn)品性能,因?yàn)楣饪虣C(jī)價(jià)格昂貴,買了一臺(tái)光刻機(jī)相當(dāng)于請(qǐng)了一個(gè)吞金獸,對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)來(lái)說(shuō),壓力倍增。

再者,由于光刻膠的應(yīng)用環(huán)境復(fù)雜且多樣,有時(shí)甚至需要針對(duì)每個(gè)工廠進(jìn)行特別定制,很難標(biāo)準(zhǔn)化和模塊化,光刻膠從研發(fā)成功到進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段,并被大規(guī)模使用,中間所需要的時(shí)間都是按照年為單位計(jì)算。一般情況下客戶并不愿意輕易的更換光刻膠供應(yīng)商。

以上種種難點(diǎn),每一項(xiàng)都是國(guó)產(chǎn)光刻膠前進(jìn)的阻力,不過(guò)困難還遠(yuǎn)不止這些。

05聯(lián)盟壁壘

IMEC全名為比利時(shí)微電子研究中心,是全球半導(dǎo)體的指標(biāo)性研發(fā)機(jī)構(gòu),很多半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新技術(shù)路線和標(biāo)準(zhǔn)都出自這里,所以這里也是光刻膠巨頭們的必爭(zhēng)之地。

2013年,富士膠片就與IMEC合作,為有機(jī)半導(dǎo)體亞微米技術(shù)開(kāi)發(fā)一種新的光刻膠技術(shù)。2017年,JSR與IEMC在比利時(shí)共同成立了EUV光刻膠制備和認(rèn)證中心,目的是確保EUV光刻膠的認(rèn)證和半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用的質(zhì)量控制。JSR與IMEC結(jié)盟這一步棋,讓自己既當(dāng)選手,又當(dāng)了裁判,牢牢抓住主動(dòng)權(quán)。

此外,去年2月,在JSR的主導(dǎo)下,EUV光刻膠先驅(qū)Inpria完成了C輪3100萬(wàn)美元的融資,參投方包括SK海力士、三星、英特爾、臺(tái)積電。

Inpria是一家美國(guó)材料商,2007年從俄勒岡州立大學(xué)化學(xué)研究所獨(dú)立出來(lái),其研發(fā)負(fù)性光刻膠,分子大小是CAR有機(jī)光刻膠的五分之一,重點(diǎn)是光吸收率可達(dá)CAR的4?5 倍,因此能更精密,更準(zhǔn)確地讓電路圖形成形。

由于光刻膠巨頭們有市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì),所以也意味著它們有更多的話語(yǔ)權(quán),與此同時(shí),他們也在積極的在前沿技術(shù)上布局,與上下游企業(yè)結(jié)盟,形成一道幾乎牢不可破的防線。

06其他壁壘

除了以上的技術(shù)、市場(chǎng)及原材料等諸多核心因素因素之外,制約國(guó)產(chǎn)光刻膠發(fā)展的還有許多非核心因素。

比如除了光刻膠以外,光刻膠輔助材料、光刻膠專用試劑也具有較高的技術(shù)壁壘,例如抗反射涂層的配方主要掌握在JSR、信越化學(xué)、陶氏化學(xué)、Merck 等國(guó)際光刻膠巨頭手里。

在采訪國(guó)內(nèi)幾家光刻膠上市企業(yè)時(shí),其相關(guān)負(fù)責(zé)人都不約而同的提到了“瓶子”這個(gè)關(guān)鍵詞,他們表示,裝光刻膠所需要用到的瓶子目前國(guó)內(nèi)企業(yè)還無(wú)法生產(chǎn),需要進(jìn)口。

國(guó)產(chǎn)企業(yè)的瓶子有的是性能不達(dá)標(biāo),有的是純度不夠有雜質(zhì)。當(dāng)然,國(guó)內(nèi)也不是完全造不出瓶子,問(wèn)題在于光刻膠企業(yè)所需要的瓶子數(shù)量太少,一些大的公司不愿意為這樣小的一個(gè)產(chǎn)品去專門研發(fā)和開(kāi)辟一條產(chǎn)線,因?yàn)榻?jīng)濟(jì)效益不高。

此外,光刻膠的保質(zhì)期也比較短,大概在3~6個(gè)月左右,在運(yùn)輸過(guò)程中又需要冷鏈運(yùn)輸,而冷鏈運(yùn)輸會(huì)提高整體成本,所以最后導(dǎo)致光刻膠價(jià)格上去,這嚴(yán)重不利于光刻膠的推廣使用。

07材料之殤

其實(shí),光刻膠面臨的上述6個(gè)方面的困境也是國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料共同的困境。

全球硅片市場(chǎng)中,信越化學(xué)、住友勝高、世創(chuàng)、環(huán)球晶圓四家企業(yè)占據(jù)了80%以上的市場(chǎng)份額,而且在硅片的生產(chǎn)過(guò)程中,也遇到了“盒子”問(wèn)題,裝硅片所需要用到的“盒子”也需要進(jìn)口,其中原因幾乎與光刻膠一樣。

在半導(dǎo)體拋光中,拋光墊面臨也面臨與光刻膠同樣的困境,市場(chǎng)規(guī)模小,驗(yàn)證周期長(zhǎng),技術(shù)難度又高,還被高度壟斷。目前的拋光墊幾乎完全依賴進(jìn)口,市場(chǎng)由美國(guó)陶氏化學(xué)(約80%市場(chǎng)份額)、美國(guó)卡博特、日本東麗等公司壟斷,產(chǎn)品毛利率在50%以上。

在面板產(chǎn)業(yè)中,基板玻璃是LCD的重要原材料之一,在OLED面板制程主要充當(dāng)柔性PI(聚酰亞胺)基板的載板基底,但目前中國(guó)95%的基板玻璃市場(chǎng)都被美國(guó)的康寧和日本的旭硝子,電氣硝子三家所壟斷。

電子特氣是僅次于大硅片的第二大晶圓制造材料。這一行業(yè)也是高度壟斷,空氣化工、普萊克斯、林德集團(tuán)、液化空氣和大陽(yáng)日酸等五大公司控制著全球90%以上的市場(chǎng)份額。

08國(guó)內(nèi)光刻膠最新發(fā)展

雖然實(shí)現(xiàn)光刻膠國(guó)產(chǎn)化阻力重重,但是最近一年時(shí)間,國(guó)產(chǎn)光刻膠也迎來(lái)了黃金期。先是南大光電宣布公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)了武漢新芯的使用認(rèn)證,各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求,良率結(jié)果達(dá)標(biāo),成為通過(guò)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠。

隨后晶瑞股份也宣布公司KrF(248nm深紫外)光刻膠已完成中試,產(chǎn)品分辨率達(dá)到了0.25~0.13μm的技術(shù)要求,建成了中試示范線。上海新陽(yáng)也表示購(gòu)買用于研發(fā)光刻膠的光刻機(jī)即將到位。

此外,在宏觀層面上,去年下半年,發(fā)改委等四部門就宣布擴(kuò)大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)投資,聚焦“卡脖子”問(wèn)題,其中就包括光刻膠。

在稅收方面,國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。

09道阻且長(zhǎng)

面對(duì)如此艱難的一條路,國(guó)產(chǎn)光刻膠能攻下ArF和KrF實(shí)屬不易,但光刻膠國(guó)產(chǎn)化依然長(zhǎng)路漫漫,既要克服國(guó)外的技術(shù)壁壘,又要能夠拿下更多的市場(chǎng),而這些問(wèn)題并不是單純一兩家企業(yè)能搞定的。

首先光刻膠方面的人才數(shù)量嚴(yán)重不足,這需要教育層面解決。第二點(diǎn)是,國(guó)產(chǎn)光刻膠研發(fā)成功之后,國(guó)內(nèi)的下游企業(yè)是否愿意給國(guó)產(chǎn)光刻膠一個(gè)成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。據(jù)了解,目前國(guó)產(chǎn)光刻膠研發(fā)成功之后,還面臨被壓價(jià)的窘境,沒(méi)有足夠的利潤(rùn)就無(wú)法投入更多的資金去研發(fā),在高端技術(shù)上,低價(jià)無(wú)疑還會(huì)打擊國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的積極性。

在采訪過(guò)程中,相關(guān)產(chǎn)業(yè)人士提出了用面板光刻膠養(yǎng)半導(dǎo)體光刻膠的構(gòu)想。該產(chǎn)業(yè)人士認(rèn)為,半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模小,但是技術(shù)壁壘高,而面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)較大,壁壘又相對(duì)較小。所以,面板產(chǎn)業(yè)可以優(yōu)先扶持國(guó)產(chǎn)光刻膠,在這個(gè)過(guò)程中也可以培養(yǎng)更多的技術(shù)性人才,最終實(shí)現(xiàn)“大產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)小產(chǎn)業(yè)”。

當(dāng)然這需要面板產(chǎn)業(yè)鏈的支持,以及國(guó)家政策的扶持與具體落實(shí)。

10國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體需要理想主義

面對(duì)重重困難,是什么讓國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)能夠堅(jiān)持下來(lái)呢?理想主義可能是一方面,畢竟光刻膠是一個(gè)吃力不討好的活兒。

一位資深的行業(yè)人士表示,“他自己已經(jīng)在光刻膠產(chǎn)業(yè)干了大半生,最大的心愿就是希望退休前能看到國(guó)產(chǎn)光刻膠實(shí)現(xiàn)完全的自主?!?/p>

也許正是這種信念才能夠讓國(guó)產(chǎn)光刻膠實(shí)現(xiàn)突破。

而國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料,甚至國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要實(shí)現(xiàn)突破,也需要理想主義的信念,當(dāng)然也需要錢,堅(jiān)持理想的人不該是窮著的。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:光刻膠國(guó)產(chǎn)化的6道坎

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    <b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>光刻膠</b>重磅突破:攻克5nm芯片制造關(guān)鍵難題

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1932次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1790次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    從光固化到半導(dǎo)體材料:久日新材的光刻膠國(guó)產(chǎn)替代之路

    當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí),一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材(688199.SH)。這家光引發(fā)劑巨頭,正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:45 ?2052次閱讀

    國(guó)產(chǎn)百噸級(jí)KrF光刻膠樹(shù)脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬(wàn)噸級(jí)半導(dǎo)體制程高自動(dòng)研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成,標(biāo)志著我國(guó)在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:26 ?9764次閱讀

    國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

    量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式驗(yàn)證,從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?6885次閱讀

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1051次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?878次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?827次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?905次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說(shuō)最終制造出來(lái)的芯片是一美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來(lái)可能不起眼,但卻能決定一菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1594次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1355次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9537次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性