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先進(jìn)制程競玩家數(shù)量的一次大衰退

lC49_半導(dǎo)體 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-05-17 11:23 ? 次閱讀
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前不久,Yole在其發(fā)布的一份調(diào)研報告中稱,在過去的幾十年里(自1965年以來),摩爾定律一直指導(dǎo)著全球半導(dǎo)體行業(yè),先進(jìn)制程的發(fā)展提高了性能和成本。2002年以后(130納米),該行業(yè)經(jīng)歷了幾輪整合,規(guī)?;?yīng)深刻地影響了這個領(lǐng)域的發(fā)展。目前,先進(jìn)制程是一個寡頭壟斷市場,僅剩下了少數(shù)關(guān)鍵參與者。

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(圖片來源:Yole)

Yole在其報告中也給出了一份更為直觀的變化圖表。從這張圖中,我們不難發(fā)現(xiàn)這樣一個事實(shí)——在進(jìn)入到21世紀(jì)后,致力于先進(jìn)制程的玩家從26家已經(jīng)降到了3家。換言之,在短短的20年間,先進(jìn)制程玩家減少了近九成。

先進(jìn)制程競玩家數(shù)量的一次大衰退

摩爾定律指導(dǎo)著先進(jìn)制程邁進(jìn)了21世紀(jì),彼時,開創(chuàng)了晶圓代工模式的臺積電的鋒芒還未如今日般耀眼,那仍是一個以IDM模式為王的年代。先進(jìn)工藝的進(jìn)步依舊能為當(dāng)時的半導(dǎo)體廠商們帶來豐厚的利潤。

因此,最初實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)騰飛的美國、以及受惠于第一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移紅利的日本廠商們幾乎占領(lǐng)了整個芯片制造領(lǐng)域。

但從2002到2006年,就陸續(xù)有玩家開始退出先進(jìn)制程的競爭,包括Sanyo、Rohm、ON、Mitsubishi、Hitachi、Atmel、HLMC以及ADI均沒有在第一時間推出90nm工藝。由此可以看出,在期間退出先進(jìn)節(jié)點(diǎn)競爭的日本廠商較多。

結(jié)合當(dāng)時半導(dǎo)體的市場情況來看,日本半導(dǎo)體廠商在經(jīng)歷了一輪高速成長后,遭受到了美國的打壓,在1991年美國單方面聲稱日本違約,再次強(qiáng)迫日本簽訂了第二次半導(dǎo)體條約后,日本半導(dǎo)體廠商迎來了失落的二十年。而當(dāng)時,驅(qū)動先進(jìn)工藝成長的正是DRAM,這也是日本半導(dǎo)體所見長的領(lǐng)域。而后日本廠商開始轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈,這或許也是他們相繼放棄向最先進(jìn)的芯片制造工藝發(fā)起進(jìn)攻的原因之一。

接下來,在90nm向65nm工藝過渡的過程中,又陸續(xù)有六家半導(dǎo)體企業(yè)退出了先進(jìn)工藝的競賽,與此同時,又有新的玩家又出現(xiàn)在了65nm節(jié)點(diǎn)的競爭中。

從Yole提供的數(shù)據(jù)來看,在2006至2008這兩年中,消失在65nm工藝制造名單中的企業(yè)有Sony、Sharp、Infineon、Freescale、Cypress以及AMD

從中我們可以看到,除了日本廠商以外,那些被我們所熟知的,在汽車芯片領(lǐng)域有著赫赫威名的廠商開始逐漸退出了先進(jìn)工藝的競爭。在他們退出先進(jìn)制程競爭的背后,是芯片制造能力已經(jīng)不能為之提供足夠的優(yōu)勢。

英飛凌為例,他們在2008年宣布放棄65nm制造工藝。根據(jù)媒體在2008年的相關(guān)報道顯示,當(dāng)年英飛凌的首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart曾表示,如果半導(dǎo)體企業(yè)想在眼前這一波行業(yè)整合潮中生存下來,應(yīng)該將注意力從建造晶圓廠轉(zhuǎn)移到建造系統(tǒng)之上,并且必須和客戶建立深層次的技術(shù)合作關(guān)系。他表示:“半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)擁有的競爭優(yōu)勢已經(jīng)消失,現(xiàn)在每家企業(yè)基本在同時期內(nèi)都能使用到相同的制程技術(shù)。在過去,這是區(qū)別半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)力的關(guān)鍵?!?/p>

在他的這一番話中,便可以清楚地看到晶圓代工模式的崛起。而從晶圓代工這個市場角度中看,在2002年臺積電穩(wěn)坐全球第一大晶圓代工廠后,他就在先進(jìn)工藝上的進(jìn)步一路突飛猛進(jìn)。而在臺積電實(shí)現(xiàn)從90nm到65nm的路上,還需要重點(diǎn)提到另一重要角色——ASML。當(dāng)時,153nm光刻機(jī)遇到瓶頸,2002年時任臺積電研發(fā)副總、世界微影技術(shù)權(quán)威林本堅(jiān)博士提出了浸沒式系統(tǒng)的概念,ASML 抓住了這個機(jī)會,決定與臺積電合作,在 2003 年他們開發(fā)出了首臺樣機(jī) TWINSCAN AT:1150i,成功將90nm制程提升到65nm。

而我們都知道,半導(dǎo)體工藝設(shè)備尤其是光刻設(shè)備從來不是一筆小的支出。而這或許也促成了一些IDM企業(yè)走向了fabless模式或是lite FAB。這個跡象,從90nm過渡到65nm期間就已顯現(xiàn),其中的代表就是AMD于2008年出售了其芯片制造部門,而這也成為AMD歷史上最重大的戰(zhàn)略變革。

根據(jù)相關(guān)報道顯示,當(dāng)時AMD連續(xù)7個季度虧損,其中大部分虧損都與運(yùn)營昂貴的芯片生產(chǎn)廠有關(guān)。那些芯片生產(chǎn)廠的建設(shè)成本一般在30億美元到50億美元之間,每年還需要大量資金對它們進(jìn)行技術(shù)和設(shè)備升級。AMD的新管理層認(rèn)為,分拆芯片制造業(yè),是繼續(xù)保持其競爭力、避免被邊緣化的最佳選擇。當(dāng)時AMD公司CEO梅耶爾(Dirk Meyer)對此的解釋是:“AMD探索出了一條創(chuàng)新的道路,使我們可以集中精力于創(chuàng)新的設(shè)計,而不需大量投資于半導(dǎo)體生產(chǎn)?!?/p>

至此以后,IDM玩家開始落寞于先進(jìn)工藝的競賽當(dāng)中,晶圓代工模式開始初顯鋒芒。

淘汰賽加快的速度

在IDM開始紛紛尋求轉(zhuǎn)型的過程當(dāng)中,先進(jìn)制程的競賽在摩爾定律的指導(dǎo)下依舊在繼續(xù)向下延伸。在65nm工藝向下發(fā)展的過程中,先進(jìn)制程市場迎來了短暫的平靜。而就在進(jìn)入到45nm節(jié)點(diǎn)以后,這個市場又出現(xiàn)了新的變化,退出先進(jìn)制程玩家的數(shù)量不再出現(xiàn)大幅度的減少,但其市場淘汰的頻率卻開始加快——每一代新節(jié)點(diǎn)的更新,就有玩家被淘汰。

可以從文章開篇的圖中得知,從45nm過渡到22nm/20nm器件,先進(jìn)制程玩家由14家減少到了7家,這其中就包括了TI、STM等企業(yè)。

而我們都知道,TI作為全球最大的模擬芯片廠商,他們有著極高的毛利率,這種“不差錢”的廠商為什么也要放棄先進(jìn)制程技術(shù)的追逐,是先進(jìn)制程不香了嗎?從2010年相關(guān)報道中顯示,當(dāng)年TI宣布放棄32nm及以下的研發(fā),而另一方面他們則在積極收購二手生產(chǎn)線。當(dāng)時的分析師稱,TI并不需要非常先進(jìn)的制造工藝,因?yàn)槟壳埃?010年)一流的模擬電路在0.18微米水平,所以其收購二手生產(chǎn)線是十分合理的。“對于TI而言,32nm制程的復(fù)雜性、浸入式微影和重復(fù)圖形曝光等技術(shù)太難了。”倫敦ABN Amro銀行半導(dǎo)體分析師Didier Scemama稱,“制程方面的優(yōu)勢很明顯地抵不上開發(fā)的成本?!?/p>

于是在經(jīng)過了這一輪輪的淘汰賽之后,進(jìn)入到22nm/20nm節(jié)點(diǎn)以后,具有先進(jìn)工藝制造的企業(yè)就大都是晶圓代工廠??梢哉f,進(jìn)入到22nm/20nm節(jié)點(diǎn)以后就先進(jìn)工藝就成為了晶圓代工廠之間的競爭,他們也成為了推進(jìn)先進(jìn)工藝?yán)^續(xù)往下走的主力軍。

接下來晶圓代工廠之間的競爭就是被我們所寫了無數(shù)遍的復(fù)述。比如推動22nm及以下工藝進(jìn)步的晶體管架構(gòu)到底是FinFET還是FD-SOI,比如受惠于新興市場的崛起,芯片設(shè)計廠商的增多為晶圓代工廠帶來的機(jī)會,又比如新節(jié)點(diǎn)的命名是否符合摩爾定律的初衷,再比如被業(yè)界廣泛討論的摩爾定律是否已經(jīng)失效了。

就在圍繞著先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)繼續(xù)向下發(fā)展的討論聲還沒有停歇之時,有些晶圓代工在爭議中得到了成長,而有些晶圓代工廠卻放棄了繼續(xù)向下走——GF和UMC的退出,讓先進(jìn)制程逐漸成為了一個寡頭壟斷市場。因此,在10nm及以下工藝的競爭中僅剩的3個玩家之間的競爭就更引得行業(yè)的重視。

而這也引發(fā)了一些新的變化,即三星英特爾在競爭的過程中都陸續(xù)開放了其晶圓代工業(yè)務(wù)——三星于2017年將其晶圓代工業(yè)務(wù)獨(dú)立出來,與臺積電形成直接競爭。今年英特爾宣布,公司將成為代工產(chǎn)能的主要提供商,起于美國和歐洲,面向全球客戶提供服務(wù)。由此來看,先進(jìn)工藝的競爭似乎已經(jīng)進(jìn)入到了一種白熱化的階段。

于是這也就形成了這樣一種局面——在IDM企業(yè)都已經(jīng)適應(yīng)了外包制造這一情況后,以臺積電、三星、英特爾為代表的先進(jìn)工藝廠商幾乎就可以代表了全球芯片制造能力之所在。而為了搶奪更多的機(jī)會,他們現(xiàn)在又在滿世界建廠。其中,他們在美國的部署又尤為受到關(guān)注,除了臺積電和三星陸續(xù)宣布將在美國建設(shè)新的晶圓代工廠以外,英特爾新任CEO也在前不久針對其芯片制造能力做了一系列的部署,根據(jù)其計劃來看,英特爾將在美國亞利桑那州投資200億美元新建兩座晶圓廠。而從公開的資料中看,他們或都將在美國晶圓廠部署5nm及以下節(jié)點(diǎn),而這或許也能提高未來美國在芯片制造方面的實(shí)力。

另外一方面,受惠于新興市場對成熟工藝的需求,我們看到,那些已經(jīng)放棄了最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)開發(fā)的晶圓代工廠們和還擁有芯片制造能力的IDM廠商們又重新成為了業(yè)界關(guān)注的對象,他們同樣也構(gòu)成了當(dāng)今芯片制造能力的一個重要部分。

重資堆出來的芯片制造寵兒

在半導(dǎo)體地位日益高漲的今天,尤其是在芯片產(chǎn)能頻頻出現(xiàn)短缺的情況下,廠商們的芯片制造能力得到了重視。但無論對于晶圓代工廠來說,還是對IDM企業(yè)而言,提高芯片制造能力都將是一筆不小的開支。

根據(jù)分析機(jī)構(gòu)Semico Researc前不久發(fā)布的統(tǒng)計顯示,2020年,半導(dǎo)體資本支出增長9.2%,達(dá)到1,121億美元。這比其在2020年春季的預(yù)測高出141億美元,比2020年秋季的預(yù)測也高出32億美元。報告中還顯示了2020年至2021年的前15名支出者,報告稱,這些公司在2020年占總資本支出的91%,預(yù)計到2021年將保持在總資本支出的91%。

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(資料來源:Semico Research Corp.和公司資料)

報告中指出,三星和英特爾目前都選擇不提供指導(dǎo)。因此,Semico根據(jù)我們對設(shè)備和建筑需求的期望,在上表中為兩家公司提供了估算。其中,根據(jù)Semico所估算的臺積電的265億美元支出中,將約有80%將用于先進(jìn)的工藝技術(shù):3nm,5nm和7nm。其余部分將在封裝/mask制造和專業(yè)技術(shù)之間大致平均分配??傤~的一小部分將用于在亞利桑那州鳳凰城建造的新工廠。

三星方面,其公司2020年下半年的支出為18.3萬億韓元,比2020年上半年的14.7萬億韓元增長了24%,比2H19的13.8萬億韓元增長了33% 。在這一年中,該公司的資本支出在2020年增加了46%。Semico預(yù)計,由于正在進(jìn)行中的建設(shè)項(xiàng)目數(shù)量不斷增加,以及繼續(xù)向更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)過渡,三星在2021年的支出水平將相當(dāng)。

報告最后指出:“到2021年,資本支出將增加近150億美元。其中,僅臺積電就可貢獻(xiàn)超過90億美元,但還有許多其他公司正在擴(kuò)大產(chǎn)能并遷移到新的工藝節(jié)點(diǎn)?!睆倪@一點(diǎn)上,便可以芯片制造能力的提高需要重資本的投入。

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原文標(biāo)題:先進(jìn)制程晶圓廠淘汰賽:20年銳減九成

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    <b class='flag-5'>一次</b>消諧裝置與二<b class='flag-5'>次</b>消諧裝置區(qū)別、<b class='flag-5'>一次</b>消諧器與二<b class='flag-5'>次</b>消諧器的區(qū)別

    瑞樂半導(dǎo)體——On Wafer WLS-WET 濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要創(chuàng)新成果

    On Wafer WLS-WET無線晶圓測溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要創(chuàng)新成果。該系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù),將溫度傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)現(xiàn)了晶圓本體與傳感單元的無縫融合。傳感器采用IC傳感器,具備±0.1℃的測量精度和10ms級快速響應(yīng)特性,可實(shí)時捕捉濕法工藝中瞬態(tài)溫度場分布。
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    瑞樂半導(dǎo)體——On Wafer WLS-WET 濕法無線晶圓測溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體<b class='flag-5'>先進(jìn)制程</b>監(jiān)控領(lǐng)域的重要創(chuàng)新成果

    先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

    先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢,使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
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