最近，國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體公司的火了。兩大標(biāo)志事件接踵而來。

5月31日，華為旗下的哈勃投資參與A輪融資的山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司(以下簡稱“山東天岳”)提交了科創(chuàng)板IPO申請，根據(jù)山東天岳披露的招股說明書(申報(bào)稿)，公司本次公開發(fā)行不超過約4297萬股，且發(fā)行完成后公開發(fā)行股份數(shù)占發(fā)行后總股數(shù)的比例不低于10%。為把握國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步自主化發(fā)展機(jī)遇，山東天岳擬在上海臨港新片區(qū)建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)基地，以提高公司碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化能力。據(jù)披露，山東天岳此次擬募集資金20億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目。

近日，聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體宣布，其650V功率GaNFET器件系列的第二代產(chǎn)品開始批量供貨。聞泰科技2020年年報(bào)顯示，公司重金布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)，2020年全年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入達(dá)6.5億元，顯著加強(qiáng)了在中高壓MOSFET、化合物半導(dǎo)體SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入，并將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能和研發(fā)相關(guān)的設(shè)備投入。

新能源汽車和充電樁對碳化硅需求旺盛

第三代半導(dǎo)體主要是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于制作高溫、高頻大功率和抗輻射的電子器件，應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、5G通信，衛(wèi)星通信、新能源汽車、軌道交通等領(lǐng)域。

以碳化硅、氮化鎵為主導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體未來的市場走勢是怎樣的？據(jù)中金公司最新研究報(bào)告顯示，根據(jù)測算，2025年中國電動車及快充樁將帶來62億元/78億元的SiC器件/模塊的市場空間，2021年到2025年CAGR分別高達(dá)58%和35%。經(jīng)過測算SiC襯底及外延片價(jià)值量合計(jì)占比超器件總價(jià)值量的60%。2025年中國本土導(dǎo)電型襯底片需求超100萬片，行業(yè)上游重要性強(qiáng)，需求廣闊。

日前，在南京半導(dǎo)體大會的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山對媒體表示，相比硅器件，碳化硅制成的器件擁有卓越的開關(guān)性能、耐壓能力及溫度穩(wěn)定性，我國企業(yè)目前已經(jīng)能實(shí)現(xiàn)6寸片規(guī)模量產(chǎn)，8寸片與海外技術(shù)差距正在縮小。SiC的材料特性意味著在未來5年時(shí)間內(nèi)從電控、車載充電機(jī)、快充樁等多個應(yīng)用場景對Si-MOSFET/ Si-IGBT形成規(guī)模替代。

山東天岳的優(yōu)勢和面對的市場挑戰(zhàn)

山東天岳是國內(nèi)碳化硅龍頭企業(yè)之一，掌握了碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化核心關(guān)鍵技術(shù)，為全球第四家可批量供應(yīng)4H-SiC襯底產(chǎn)品的企業(yè)，公司在半絕緣型碳化硅襯底領(lǐng)域已進(jìn)入行業(yè)第一梯隊(duì)，直接與國外巨頭競爭。2020年，公司市場占有率較上年增長12個百分點(diǎn)，位列世界前三。

在碳化硅襯底領(lǐng)域，國內(nèi)廠商主要有天科合達(dá)、山東天岳、中電科2所、同光晶體、神州科技、中科鋼研等，在資本的幫助下國內(nèi)碳化硅襯底擴(kuò)產(chǎn)迅速：同樣被華為投資的天科合達(dá)在2020年7月曾提交科創(chuàng)板IPO申請，擬募資擴(kuò)產(chǎn)12萬片6英寸碳化硅晶片，但同年十月其終止了科創(chuàng)板IPO;同光晶體于2020年12月開啟了A輪融資，短短5個月，又連續(xù)融了B輪、C輪、C+輪、D輪，在資本加持下其4-6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目快速上馬。

國際上的龍頭企業(yè)在第三代半導(dǎo)體進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈提前布局，包括Cree/ Wolfspeed，Dowcorning、德國的Sicrystal，日本的Showa Denko等國際龍頭企業(yè)已經(jīng)開始投資建設(shè)8英寸SiC晶片生產(chǎn)線，Cree(科銳)計(jì)劃在2019-2024年投資7.2億美元將碳化硅材料及晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充30倍，包括建造一座車規(guī)級8英寸功率及射頻晶圓工廠，以及擴(kuò)產(chǎn)超級材料工廠，計(jì)劃2022年量產(chǎn)。

山東天岳的碳化硅襯底在國內(nèi)暫時(shí)領(lǐng)先，但國外的領(lǐng)先者正在加大力度擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)的追趕者在資本的加持下快速成長。山東天岳在招股書中還有顯示大客戶集中的問題，其2018-2020年度前五大客戶收入占比分別為80.15%、82.94%、89.45%。遠(yuǎn)超同行業(yè)滬硅產(chǎn)業(yè)的25.53%以及天科合達(dá)的57.46%。大客戶集中有利有弊，好處是公司可以因此獲得穩(wěn)定的收入，可以降低銷售費(fèi)用率。但不利的是，大客戶集中會導(dǎo)致公司受制于人，因過度依賴大客戶而在經(jīng)營過程中喪失話語權(quán)，或者一旦大客戶選擇其他供應(yīng)商，公司業(yè)績直接呈現(xiàn)大規(guī)模下滑。山東天岳的當(dāng)務(wù)之急是盡快發(fā)展更多的客戶，特別在新能源汽車和充電樁領(lǐng)域。

據(jù)Yole預(yù)測，2017-2023年碳化硅應(yīng)用的復(fù)合增長率為27%，其中電動和混動汽車的復(fù)合增長率為81%，充電樁/充電站的復(fù)合增長率為58%。

賽迪顧問新材料產(chǎn)業(yè)研究中心總經(jīng)理李龍指出，第三代半導(dǎo)體材料已逐漸進(jìn)入各汽車集團(tuán)的主流供應(yīng)鏈中，SiC襯底作為關(guān)鍵材料，將成為第三代半導(dǎo)體材料的布局熱點(diǎn)。

面對激烈的國內(nèi)外大廠競爭，山東天岳必須夯實(shí)基礎(chǔ)，據(jù)國際權(quán)威機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告，2020年，天岳先進(jìn)半絕緣碳化硅襯底材料在全球的銷量占據(jù)30%市場，躍居全球第三。與美國CREE公司、貳陸公司接近，形成了中美企業(yè)競爭的格局。天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO，擬募資20億元，將用于碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，正是對準(zhǔn)了國家十四五布局，依托技術(shù)，站位上風(fēng)口，滿足新基建不斷爆發(fā)的市場需求。


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