12月20日下午，2021年第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式在珠海開幕。本次大會由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院、珠海市人民政府、橫琴粵澳深度合作區(qū)執(zhí)行委員會主辦。本屆大會的主題是“鏈上中國芯 成就中國造”。

第十六屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果介紹及發(fā)布儀式是本屆大會的一大亮點。“中國芯”評選活動是國內(nèi)集成電路領域最具影響力和權(quán)威性的行業(yè)會議之一，16年來持續(xù)鼓勵中國集成電路行業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新、技術創(chuàng)新和應用創(chuàng)新，推動國內(nèi)集成電路企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術的突破，并積極影響和帶動了中國半導體行業(yè)的整體發(fā)展。

本次“中國芯”評選活動共設置五大獎項，其中壓軸的“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎”主要授予本年度有重大技術創(chuàng)新，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義的芯片產(chǎn)品，共有38家企業(yè)申報。最終，包括西安紫光國芯半導體有限公司（簡稱“西安紫光國芯”）在內(nèi)的三家企業(yè)芯片從40款產(chǎn)品中突圍，成功斬獲含金量極高的“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎，技術驅(qū)動國內(nèi)集成電路行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

?
“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎”頒獎儀式

根據(jù)進一步了解，西安紫光國芯此次獲獎的異質(zhì)集成嵌入式DRAM（SeDRAM?）可以突破馮?諾依曼架構(gòu)的性能瓶頸，能夠滿足高性能計算、人工智能、近存計算、智能物聯(lián)網(wǎng)等應用場景對高帶寬、高容量內(nèi)存的需求。

?
西安紫光國芯SeDRAM?斬獲年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎

西安紫光國芯的SeDRAM?技術采用納米級互連將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián)，實現(xiàn)嵌入式存儲器的直接訪問；通過定制的DRAM設計支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時為不同的邏輯工藝提供標準化接口和測試IP，使SoC客戶能夠方便簡單地集成。

西安紫光國芯常務副總裁江喜平表示，“西安紫光國芯歷時七年研發(fā)的SeDRAM?技術和平臺，成功地實現(xiàn)了DRAM晶圓和SoC晶圓的異質(zhì)集成，提供了業(yè)界領先的超大帶寬、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解決方案。獲此殊榮，是公司長期堅持技術創(chuàng)新取得的研究成果，也是業(yè)界同仁對公司創(chuàng)新能力、產(chǎn)業(yè)影響力的高度認可。未來，西安紫光國芯將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動力，持續(xù)深耕DRAM和SoC設計技術，為集成電路行業(yè)帶來更多有價值的創(chuàng)新應用，推動產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展”。

基于SeDRAM?技術和平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的芯片亮相大會展區(qū)

亮相本次大會展區(qū)的，還有基于SeDRAM?技術和平臺開發(fā)的超大帶寬、超大容量、超低功耗的大數(shù)據(jù)分析芯片和三維DRAM LPDDR4芯片。據(jù)了解，這些產(chǎn)品處于世界領先水平，并且實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)和銷售。

西安紫光國芯展位現(xiàn)場

作為DRAM領域的先行者，西安紫光國芯勇于創(chuàng)新、專注硬科技，是以DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲技術為核心的產(chǎn)品和服務提供商，擁有掌握存儲器和集成電路核心設計與測試技術的國際化團隊，以及世界領先水平的存儲器和SoC測試實驗室、模組應用實驗中心。公司產(chǎn)品持續(xù)量產(chǎn)銷售國內(nèi)外，積累了良好的存儲器和SoC的設計、測試、規(guī)模生產(chǎn)及全球銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

基于SeDRAM?技術和平臺的多款產(chǎn)品和研究成果受到廣泛認可

依托開放式、定制化、平臺式的合作模式，西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設計服務的能力，成功幫助有大帶寬、低功耗需求的客戶開發(fā)多款產(chǎn)品，其中幾款產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)和銷售。

SeDRAM?技術和平臺

同時，SeDRAM?技術和平臺成功開發(fā)以來，基于該技術的多款產(chǎn)品和研究成果，已先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多個業(yè)界頂級期刊、會議上公開發(fā)表和作專題報告。其中一款產(chǎn)品的相關論文也被ISSCC 2022收錄，將于明年2月公開發(fā)表。

依托多年來在集成電路領域的前瞻性技術研發(fā)積淀，西安紫光國芯關鍵核心技術水平和綜合實力得到了權(quán)威機構(gòu)和業(yè)界人士的一致認可。同時，公司專注創(chuàng)新、持續(xù)突破，以DRAM和SoC技術為核心，開發(fā)領先的集成電路產(chǎn)品，服務國內(nèi)外客戶，在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同和賦能產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設方面均發(fā)揮了良好的示范作用。

著眼未來、前瞻布局，西安紫光國芯將以先進技術為支撐，積極引領中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展實現(xiàn)新突破，助推科技發(fā)展。

附：公司簡介

西安紫光國芯半導體有限公司簡介

西安紫光國芯前身為成立于2004年德國英飛凌西安研發(fā)中心的存儲事業(yè)部，2006年分拆成為獨立的奇夢達科技西安有限公司，2009年被浪潮集團收購轉(zhuǎn)制成為國內(nèi)公司并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年被紫光集團收購并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

公司是國家高新技術企業(yè)，并入選國家鼓勵重點集成電路設計企業(yè)清單，擁有掌握存儲器和集成電路核心設計與測試技術的國際化團隊，已經(jīng)發(fā)展成為包括產(chǎn)品研發(fā)、規(guī)模量產(chǎn)和全球銷售的綜合性集成電路設計企業(yè)。

西安紫光國芯是以DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲技術為核心的產(chǎn)品和服務提供商，核心業(yè)務包括存儲器設計開發(fā)，存儲器產(chǎn)品量產(chǎn)銷售，以及專用集成電路設計開發(fā)服務。產(chǎn)品包括DRAM KGD、DRAM顆粒、DRAM模組、系統(tǒng)產(chǎn)品和設計服務。公司自成立以來，一直專注于存儲器特別是DRAM存儲器的研發(fā)和技術積累，產(chǎn)品持續(xù)量產(chǎn)銷售到國內(nèi)外，積累了良好的存儲器和SoC的設計、測試、規(guī)模生產(chǎn)及全球銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

一流的存儲和數(shù)字電路測試分析中心

西安紫光國芯擁有存儲器和SoC測試實驗室、應用實驗室、模組測試線和ASIC測試實驗室四個大型的存儲和數(shù)字電路分析中心。配備有存儲器產(chǎn)品量產(chǎn)測試（AdvantestT5503HS2/T5620/T5581H/T5571/T5585/T5593/T5833）設計驗證和分析測試(HSM3600/V93000)以及ASIC測試(Advantest 93k/TeradyneJ750/UF3000)等多種機臺以及配套測試測量設備。支持各類存儲器和邏輯產(chǎn)品，覆蓋晶圓、顆粒和模組等多種形態(tài)的功能和性能測試驗證分析、量產(chǎn)測試工程開發(fā)、應用工程測試、可靠性試驗，以及小批量試產(chǎn)和工程樣品。