91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-05-20 10:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來(lái)源:意法半導(dǎo)體博客

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件,VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開(kāi)啟的情況下,待機(jī)功耗低于30 mW。此外,該器件的保護(hù)功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨,配有USB-PD供電端口的開(kāi)發(fā)板也即將面世。

為什么選擇QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器?

越來(lái)越小的充電器需要更高的功率密度。工程師經(jīng)常在電視和其他電器的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中使用準(zhǔn)諧振(QR)零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS),也稱(chēng)為谷底開(kāi)通,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)正出現(xiàn)在更多產(chǎn)品中。原因在于,功率密度每過(guò)十年就變得越來(lái)越高。例如,現(xiàn)在的電視像素更高,功耗要求也更嚴(yán)格。同樣,雖然50W充電器并非新產(chǎn)品,但消費(fèi)者需要外觀更小巧、且能給筆記本電腦、平板電腦、手機(jī)和其他設(shè)備快速充電的產(chǎn)品。

越來(lái)越小的充電器

QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器不斷追求更高效率。業(yè)界經(jīng)常選用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器,主要是因?yàn)樗男瘦^高。傳統(tǒng)PWM轉(zhuǎn)換器在電壓最高時(shí)開(kāi)啟器件,這會(huì)導(dǎo)致功率損耗隨開(kāi)關(guān)頻率的增加而增加。工程師可使用緩沖電路緩解此類(lèi)情況,但提高效率的最佳方法是軟開(kāi)關(guān),這意味著在電壓或電流為零時(shí)進(jìn)行開(kāi)關(guān)。為此,通過(guò)諧振(電感-電容或LC)將方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦波形。在ZVS中,啟動(dòng)發(fā)生在曲線底部或谷底。多年來(lái),工程師試圖提高QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器效率,而GaN正好給出一個(gè)新答案。

VIPerGaN50有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)?

先進(jìn)的GaN晶體管特性。VIPerGaN50 使用與MASTERGAN系列相同的650 V GaN晶體管,因此具有類(lèi)似優(yōu)勢(shì)。例如,GaN的高電子遷移率意味著該器件可適用于高開(kāi)關(guān)頻率。因此,該器件可承受更大負(fù)載,同時(shí)減少損耗。有鑒于此,GaN可用于制造可輸出更高功率、同時(shí)整體尺寸更小的電源。VIPerGaN50 是意法半導(dǎo)體此類(lèi)別的首款產(chǎn)品,因此具有極大象征意義。意法半導(dǎo)體將繼續(xù)把GaN作為業(yè)務(wù)發(fā)展重點(diǎn),使用具有更高規(guī)格的晶體管。因此,未來(lái)的 VIPerGaN 型號(hào)將具有更高的輸出功率。

VIPerGaN50

多模式工作 VIPerGaN50有多種不同的工作模式,可根據(jù)其負(fù)載調(diào)整其開(kāi)關(guān)頻率,在所有輸入電壓和負(fù)載條件下,最大限度提高電源能效。在高負(fù)載下,準(zhǔn)諧振 (QR) 模式配合零壓開(kāi)關(guān)可最大限度地減少導(dǎo)通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負(fù)載下,跳谷底模式可以控制開(kāi)關(guān)損耗,并利用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的谷底鎖定技術(shù)防止產(chǎn)生人耳可以聽(tīng)到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開(kāi)關(guān)可確保在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)盡可能高的能效。自適應(yīng)間歇工作模式可以在極低負(fù)載條件下最大程度降低功率損耗。此外,先進(jìn)的電源管理功能可將待機(jī)功率降至 30mW 以下。

VIPerGaN50的多種不同工作模式

更佳的保護(hù)功能。VIPerGaN50內(nèi)置功能確保電源的安全性和可靠性,包括輸出過(guò)壓保護(hù)、brown-in/brown-out,以及輸入過(guò)壓保護(hù)。還提供輸入電壓前饋補(bǔ)償,以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過(guò)溫保護(hù)和最大限度地減少 EMI的頻率抖動(dòng)功能。因此,設(shè)計(jì)師可減少電路板上需要的組件,從而減少所用物料。

近期會(huì)議

2022年7月5日,由ACT雅時(shí)國(guó)際商訊主辦,《半導(dǎo)體芯科技》&CHIP China晶芯研討會(huì)將在蘇州·洲際酒店隆重舉行!屆時(shí)業(yè)內(nèi)專(zhuān)家將齊聚蘇州,與您共探半導(dǎo)體制造業(yè),如何促進(jìn)先進(jìn)制造與封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。大

關(guān)于我們

《半導(dǎo)體芯科技》(Silicon Semiconductor China, SiSC)是面向中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的專(zhuān)業(yè)媒體,已獲得全球知名雜志《Silicon Semiconductor》的獨(dú)家授權(quán);本刊針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)特點(diǎn)遴選相關(guān)優(yōu)秀文章翻譯,并匯集編輯征稿、國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)新聞、深度分析和權(quán)威評(píng)論、產(chǎn)品聚焦等多方面內(nèi)容。由雅時(shí)國(guó)際商訊(ACT International)以簡(jiǎn)體中文出版、雙月刊發(fā)行一年6期。每期紙質(zhì)書(shū)12,235冊(cè),電子書(shū)發(fā)行15,749,內(nèi)容覆蓋半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)、封裝、設(shè)備、材料、測(cè)試、MEMS、IC設(shè)計(jì)、制造等。每年主辦線上/線下 CHIP China晶芯研討會(huì),搭建業(yè)界技術(shù)的有效交流平臺(tái)。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 意法半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3374

    瀏覽量

    111694
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1892

    瀏覽量

    119763
  • viper
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    10

    瀏覽量

    11081
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體氮化方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?361次閱讀

    CGH40006P射頻晶體管

    CGH40006P射頻晶體管CGH40006P是Wolfspeed(原CREE)推出的一 6W 射頻功率氮化高電子遷移率晶體管(GaN
    發(fā)表于 02-03 10:00

    新品 | 第五代氮化CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

    新品第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化CoolGaN650VG5雙通道晶體管
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:09 ?2640次閱讀
    新品 | 第五代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>CoolGaN? 650V G5雙通道<b class='flag-5'>晶體管</b>

    半導(dǎo)體斬獲2025行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

    ??????2025年12月3-4日,由“行家說(shuō)三代半”主辦的“碳化硅&氮化產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳圓滿落幕。半導(dǎo)體(ST
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:14 ?573次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>斬獲2025行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

    英飛凌推出首100V車(chē)規(guī)級(jí)晶體管,推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域氮化(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其符合汽車(chē)電子委員會(huì)(AEC)汽車(chē)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化(GaN
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?6w次閱讀
    英飛凌推出首<b class='flag-5'>款</b>100V車(chē)規(guī)級(jí)<b class='flag-5'>晶體管</b>,推動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    新品第五代CoolGaN650-700V氮化功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化功率晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?2954次閱讀
    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>晶體管</b>G5

    淺談氮化器件的制造難點(diǎn)

    制造氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?4764次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>的制造難點(diǎn)

    半導(dǎo)體推出EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

    為提供卓越的效率和功率密度,半導(dǎo)體加快了氮化(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)進(jìn)程,推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:40 ?1066次閱讀

    半導(dǎo)體推出全新離線高壓轉(zhuǎn)換器VIPer11B

    半導(dǎo)體的新離線高壓轉(zhuǎn)換器VIPer11B可為高達(dá)8W的應(yīng)用(包括照明、智能家居設(shè)備、家用電器和智能電表)提供高能效、低成本的小電源。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:38 ?951次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的M
    發(fā)表于 07-12 16:18

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開(kāi)關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2777次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開(kāi)關(guān)深度解析

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“未來(lái)”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16

    半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

    新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專(zhuān)題報(bào)道。 ? ? 日前, 半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:18 ?4306次閱讀

    半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

    ??雙方簽署氮化(GaN)技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議,致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:06 ?4572次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>與英諾賽科簽署<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?5.2w次閱讀
    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案