瑞盟MS35711T器件是一款步進電機控制器, 它使用外部 N 溝道MOSFET 來驅動一個雙極步進電機或兩個刷式直流電機。完美替代TI DRV8711。 MS35711T 支持全步進到 1/256 步進驅動模式。通過使用自適應消隱時間和包括自動混合衰減模式在內的多種不同的電流衰減模式, 可實現(xiàn)非常平滑的運動過程。 電機運動采用標準的 DIR/STEP 控制方法。器件運行通過一個 SPI 串行接口控制。 輸出電流(扭矩)、步進模式、衰減模式和堵轉檢測功能都可以通過 SPI 串行接口進行編程。
主要特點
PWM 調制微步進電機驅動控制器
內置 256 細分
可選 STEP/DIR 接口控制或者直接 PWM 控制接口
直接 PWM 控制邏輯包括 IN1,IN2 控制和 EN,PH 控制
靈活的衰減模式
SPI 串行接口控制
帶可選 BEMF 輸出的堵轉檢測
8V-55V 電源電壓范圍
驅動雙 N 功率管,預驅能力可調整
完備的保護功能:過流保護,過熱保護,欠壓保護
故障指示位



審核編輯 黃昊宇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
步進馬達
+關注
關注
0文章
37瀏覽量
8591
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
LT1336:高效半橋N溝道功率MOSFET驅動芯片的全面解析
LT1336:高效半橋N溝道功率MOSFET驅動芯片的全面解析 在電子工程師的日常設計工作中,選擇一款合適的功率MOSFET
LT1160:高效半/全橋N溝道功率MOSFET驅動器的設計與應用
LT1160/LT1162:高效半/全橋N溝道功率MOSFET驅動器的設計與應用 在電子工程師的日常工作中,功率MOSFET
選型手冊:VSP002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、
選型手冊:VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:
選型手冊:VSP003N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、
選型手冊:VSE011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配中壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產品基
選型手冊:VST018N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息
選型手冊:VSP004N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5060X封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品
選型手冊:VSD011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類
選型手冊:VSD090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:
選型手冊:VSE090N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅動的新突破
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機驅動系統(tǒng)挑選合適的
選型手冊:VST002N06MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、
選型手冊:VSE002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現(xiàn)極致低導通電阻,適配低壓大電流DC/DC轉換器
選型手冊:VSP004N10MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于FastMOSII技術實現(xiàn)快速開關與高能量效率,憑借超低導通電阻與高可靠性,適用
使用外部N溝道MOSFET驅動的步進馬達MS35711T
評論