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基于EEMBC組織的公共基準數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)和文檔

星星科技指導員 ? 來源:嵌入式計算設(shè)計 ? 作者:Horst Diewald ? 2022-10-12 10:20 ? 次閱讀
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第1部分介紹了低功耗微控制器的唯一可用基準,并研究了兩個參數(shù):電源電壓和商定的溫度。在第 2 部分中,我們將介紹基于 EEMBC 組織的公共基準數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)和文檔。

相對于這些基準數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)表和描述(如應(yīng)用程序說明)是了解公司產(chǎn)品能源需求數(shù)據(jù)的來源。大多數(shù)工程師能否在沒有廣泛研究的情況下根據(jù)現(xiàn)有文檔做出正確的決定?

問題 1:您如何評估基準數(shù)據(jù)?它們相對于數(shù)據(jù)手冊中的數(shù)據(jù)有何關(guān)系?

根據(jù)EEMBC基準測試結(jié)果(BV而不是EEMark-CP),我們計算工作電流和休眠電流,作為幾個設(shè)備的示例。結(jié)合EEMBC軟件的運行時間和數(shù)據(jù)表參數(shù),我們可以確定計算(典型參數(shù))和測量結(jié)果之間的偏差。為了驗證是否可以進行評估,我們獲取公共數(shù)據(jù)。

計算

基準聯(lián)盟定義了以下公式:

BV= 1000 /E

E是 10 個 ULPBench 周期的平均值,因此是每秒的能量需求。 以 uJ/s 表示,

是電子標記-CP 的含義。EBV

根據(jù)這些基準數(shù)據(jù),我們使用以下公式計算平均能源需求:

E= 1000 /BV

E是 uJ/s,或一秒內(nèi)使用的能量。

平均電流消耗可以使用以下公式計算:

I(平均)=E / V

V是電源電壓 - 在實際測量中,可以取實際測量的電壓。

從數(shù)據(jù)手冊中,我們給出了休眠模式階段的典型電流消耗。然后根據(jù)基準數(shù)據(jù)(BV)和I(待機)計算出運行模式下計算出的運行模式(I(RUN_avg))的平均電流。

根據(jù)數(shù)據(jù)手冊和建議的工作頻率,我們計算供應(yīng)商在運行模式下的電流消耗I(RUN)。I(RUN)是基于數(shù)據(jù)手冊信息的值,而I(RUN_avg)是基于計算值。

EEMBC 網(wǎng)頁上發(fā)布的數(shù)據(jù)并不總是顯示操作模式時間。因此,區(qū)分操作和RTC模式的能量將是困難的。結(jié)合操作模式(t(RUN_cR/D)或t(RUN_D))的時間,可以在測量數(shù)據(jù)E_BV_cR和數(shù)據(jù)表參數(shù)E_D之間比較能耗。

poYBAGNGJIyAO9N-AANp8irJVjM515.png

[圖6a/b|來源是EEMBC基準值和供應(yīng)商的數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)表和報告。我們列出了五個設(shè)備作為示例。需要澄清 EEMBC 文檔和數(shù)據(jù)表值。

ULPBench-CP頁面上列出的消耗能量根據(jù)數(shù)據(jù)手冊參數(shù)顯示與結(jié)果的偏差。偏差不能根據(jù)純數(shù)據(jù)手冊參數(shù)和ULP-Bench參數(shù)來確定。這種偏差可能來自典型的數(shù)據(jù)變化或開關(guān)損耗,在數(shù)據(jù)手冊中沒有提到。在某些應(yīng)用中,測量與數(shù)據(jù)手冊之間的偏差起著次要作用。在現(xiàn)代傳感器應(yīng)用中,例如使用加速度計和測量數(shù)據(jù)的模數(shù)轉(zhuǎn)換,需要幾Hz至KHz的采樣率。然后,開關(guān)損耗會導致顯著的能耗。將真實環(huán)境數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字域是一個更大的挑戰(zhàn)。需要在這方面開展進一步活動,因為目前的基準只代表對用戶有限的價值。在物聯(lián)網(wǎng)傳感中,還必須考慮數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和傳輸。

問題2:描述和數(shù)據(jù)手冊參數(shù)是否有助于評估最壞情況下的能耗?

在圖6中,列出了操作和睡眠模式的能耗。這個比例從3:4一直到2:1。使用數(shù)據(jù)手冊,您意識到,電池供電系統(tǒng)的應(yīng)用壽命所需的大多數(shù)參數(shù)都缺失了。2016年2月的數(shù)據(jù)手冊ADuCM3027 REV.PrF(顯示在ULP分數(shù)@EEMBC上)給出了3 V和25°C時的典型數(shù)據(jù),但沒有最大數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)手冊Rev.PrG中,可以找到參數(shù)運行模式數(shù)據(jù),但沒有關(guān)于低功耗電流的信息。Ambiq Micro Inc.的數(shù)據(jù)手冊(“Apollo MCU 數(shù)據(jù)表 2016 年 2 月開始的修訂版 0.9”)僅包含以 uA/MHz 為單位的典型電流消耗數(shù)據(jù),內(nèi)部 RC 振蕩器 (HFRC) 的頻率為 24 MHz。

問題 3:您如何理解 RUN 模式下的當前數(shù)據(jù)?

運行模式下的電流主要以 uA/MHz 表示。大多數(shù)低功耗MCU/SoC的工作性能低于其半導體工藝的性能可能性。我們可以假設(shè)以uA/ MHz為單位的線性電流消耗增加,基于這一事實,在公布的數(shù)據(jù)中將有一個有趣的畫面。

pYYBAGNGJJSANPoVAAC_JrcYPb0950.png

[圖7a/b|工作頻率范圍內(nèi)的電流消耗]

LDO/線性調(diào)節(jié)模式和DC/DC模式下,電流消耗有不同的數(shù)據(jù)。一些數(shù)據(jù)手冊指出了特定頻率下的電流消耗,其他數(shù)據(jù)手冊則顯示了每MHz的電流。電流消耗無法精確確定。某些數(shù)據(jù)以最大數(shù)據(jù)形式給出。產(chǎn)品壽命或操作安全性(能量收集)不能根據(jù)這些數(shù)據(jù)進行計算。

阿波羅數(shù)據(jù)表修訂版 0.9(安比克微型公司)僅顯示一個頻率的參數(shù) - 在 3.3V/1.8V 和 24MHz 的 HFRC(高頻 RC)下。有分頻器可用,但處理器內(nèi)核似乎只能在24MHz下工作;未校準值,典型值 +/- 2%。它可以使用 32.768 KHz 晶體(XT 振蕩器)進行校準。此外,沒有其他晶體的選項;這在時鐘發(fā)生器中是無意的。

您可以在SiLabs應(yīng)用筆記AN0027中找到另一個例子。

pYYBAGNGJJyAUseKAAFJT4sb8Zk364.png

[圖8|數(shù)據(jù)表顯示了現(xiàn)有基極電流下的不同上升斜率(mA/MHz)。發(fā)布的圖表證實了這一點。資料來源:硅實驗室,AN0027 修訂版 1.03。

根據(jù)此圖(不是從28 MHz預(yù)先縮放),我們可以假設(shè)對于預(yù)定的頻率,需要考慮大約55uA的靜態(tài)基極電流和大約156 uA/MHz的動態(tài)部分。當應(yīng)用在“預(yù)縮放”情況下運行時,消耗的基極電流要高得多。在“預(yù)縮放”模式下,您可能會期望更差的基準數(shù)據(jù),或者以不同的方式表達它,設(shè)備需要更多能量用于同一程序,或者在給定的有限能量源下運行更短。

數(shù)據(jù)手冊本身沒有說明基極電流。對于基極電流,您可以在應(yīng)用說明中找到:靜態(tài)功率,內(nèi)核域:34 uA@25°C,3 V。在數(shù)據(jù)手冊中,您可以找到靜態(tài)基極電流:155 uA/MHz (@ EM0, 14 MHz, 高壓、3.0 V)。在 1.2 兆赫(在 EM0、1.2 兆赫、高壓、3.0 V)下,該圖顯示約 242 uA。對于這種情況,數(shù)據(jù)手冊指出,典型值為200 uA(典型值)和240 uA(最大值)。因此,圖形值超出典型范圍。它高于數(shù)據(jù)手冊值 - 在這種情況下,比典型值高20%!

問題4:能否估算能源需求?溫度曲線是否可以在沒有復(fù)雜的硬件設(shè)置和調(diào)查的情況下使用?

我們?nèi)匀粚⒀芯恐攸c放在MCU/SoC設(shè)備上。半導體的電流消耗,特別是最新的高性能半導體工藝,非常依賴于芯片(或芯片)溫度。雖然高性能處理器和高性能應(yīng)用中的內(nèi)部溫度始終高于環(huán)境溫度,但節(jié)能MCU/SoC并非如此。在節(jié)能型 MCU/SoC 中,環(huán)境溫度對于應(yīng)用壽命非常重要。在“高”溫度(例如85°C/185°F)下,只有幾度的溫度變化會導致能耗的顯著差異。只有在恒溫恒溫室內(nèi)進行測量時,才能在基準中獲得精確的數(shù)據(jù)。Atmel-42385J-SAM L21_Datasheet_Complete-06/2016,第 1189 頁,很好地說明了這一點。隨溫度變化顯示的電流消耗值是在以下工作條件下測量的:

? VDDIN = 3.3 V(曲線左側(cè)的值)和 1.8 V(曲線右側(cè))

? 啟用超高效液化石油氣

? RTC 在外部 32 KHz 晶體上運行

? BOD33 被禁用

對于圖9中的圖示,數(shù)據(jù)取自數(shù)據(jù)手冊。

poYBAGNGJKSAGD3rAAH8NrRVDaA643.png

[圖9|在備份休眠模式下,RTC 模式下的量較低,為 20°攝氏度,但在85°時顯著;消耗的能量高出5倍。來源:Atmel-42385J-SAM L21_Datasheet_Complete-06/2016,第 1189 頁]

根據(jù)圖6a/b中的數(shù)據(jù),運行模式和睡眠模式(或RTC模式)的能量需求大致相同。睡眠模式下的能量需求將作為整個能量消耗的一部分占主導地位。例如,在電池操作中,應(yīng)用在85°C時的使用壽命將縮短。

在現(xiàn)實生活中,大多數(shù)應(yīng)用都會暴露在溫度變化中并在非恒定溫度下運行。應(yīng)對上述情況至少需要兩個條件:

首先,數(shù)據(jù)手冊必須包括典型數(shù)據(jù)以及不同溫度下電流的最大數(shù)據(jù),或者應(yīng)包括溫度范圍內(nèi)的電流消耗曲線。

其次,用戶需要一個相對精確的溫度曲線,該曲線與應(yīng)用的生命周期相關(guān)。這是由用戶控制的,出于質(zhì)量原因,用戶可以或?qū)⒋_保輪廓的精度。

我們只問了四個可能的問題。評估證實,如果沒有供應(yīng)商的進一步支持,就無法進行應(yīng)用壽命計算,例如提供的電池。眾所周知的“嘗試和錯誤”公式不會讓你在質(zhì)量部門成為朋友。

審核編輯:郭婷

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