MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器，使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他半導體存儲器件都不能全部擁有的。

MRAM這是一種基于隧穿磁阻效應的技術，MRAM所選工藝比現(xiàn)有工藝DRAM和更復雜，成本會更高。但它有現(xiàn)有的SRAM和DRAM沒有的特點，隨著應用規(guī)模的逐漸擴大，成本會逐漸降低。

磁阻隨機存儲器是一種采用新技術的隨機存儲器。它使用磁致電電阻效應來保存信息，因此它的速度可以和SRAM比，但同時也可和FLASH斷電后還可以保留數(shù)據(jù)。

MRAM技術特點：

不容易丟失:鐵磁體的磁帶不會因為斷電而消失，所以MRAM具有非易失性。

讀寫頻率次數(shù)無限:鐵磁體的磁化不僅斷電不會消退，而且?guī)缀蹩梢哉J為它永遠不會消失，所以MRAM和DRAM同樣可以無限重寫。

寫入速度快，功耗低：MRAM寫入時間可以低至2.3ns，而且功耗極低，可以實現(xiàn)瞬時開關機，增加便攜機電池的使用時間。

邏輯芯片整合度高：MRAM可以很容易地放入邏輯電路芯片中，只需要在后端金屬化過程中改進一兩個步驟。MRAM可以完全制成芯片的金屬層，甚至可以實現(xiàn)2-3層單元的堆疊，因此在邏輯電路上具有結構規(guī)模內存陣列的潛力。

MRAM特性較好，但臨界電流強度和功耗仍需進一步降低。MRAM存儲單元規(guī)格仍較大，不適合堆疊，工藝復雜，大規(guī)模制造難以保證均勻性，存儲容量和產(chǎn)量上坡緩慢。在進一步突破這一過程之前，MRAM商品主要適用于體積要求低的特殊應用領域及其新型IoT嵌入式存儲行業(yè)。