在汽車(chē)電子中,電源瞬態(tài)浪涌可能對(duì)電子設(shè)備造成永久的損壞。隨著汽車(chē)上電子設(shè)備應(yīng)用的逐年增多,各家汽車(chē)廠商在實(shí)踐中積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)在某些特定場(chǎng)景下的電源瞬態(tài)變化更易對(duì)設(shè)備造成損壞。因此車(chē)廠都制定相關(guān)的測(cè)試規(guī)范,重點(diǎn)測(cè)試在這些電源瞬態(tài)下,電子設(shè)備的抗干擾能力,硬件設(shè)計(jì)中必須預(yù)留足夠的防護(hù)手段以抑制這些電源極端情況的影響。表1列出在汽車(chē)電子系統(tǒng)中常見(jiàn)有害的電源瞬態(tài)情況。

表1. 汽車(chē)電子中常見(jiàn)有害的電源瞬態(tài)
各家廠商的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)也逐漸形成統(tǒng)一的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),本文簡(jiǎn)要介紹 ISO 標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)汽車(chē)電子設(shè)備電源測(cè)試的要求,具體包括
ISO 7637-2
和
ISO 16750-2
中所闡述的汽車(chē)電源中可能遭遇的惡劣條件,如負(fù)載突變、電池反接和過(guò)壓等場(chǎng)景下對(duì)應(yīng)的電源測(cè)試要求。
ISO 7637-2
ISO 7637 全稱(chēng) Road vehicles -- Electrical disturbances from conduction and coupling,是一項(xiàng)針對(duì) EMC 的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)準(zhǔn)分三大部分:
ISO 7637-1:2015 -Definitions and general considerations
ISO 7637-2:2011 -Electrical transient conduction along supply lines only
ISO 7637-3:2016 -Electrical transient transmission by capacitive and inductive coupling via lines other than supply lines
盡管是emc測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn),有需要做檢測(cè)認(rèn)證整改的朋友聯(lián)系我https://docs.qq.com/doc/DVGtUWm1nZE94UFhS 、ISO 7637 也包含對(duì)電源測(cè)試的要求(ISO 7637-2)。在2011年,ISO 7637 將其中與 EMC 不相關(guān)的電源測(cè)試,例如 Load Dump 測(cè)試的 Pulse 5a, 5b 移到 ISO 16750-2,但標(biāo)準(zhǔn)中仍然保留著電源瞬態(tài)測(cè)試波形 Pulse 1, 2a, 2b, 3a 和 3b。
ISO 16750-2
ISO 16750 全稱(chēng) Road vehicles -- Environmental conditions and testing for electrical and electronic equipment,是針對(duì)汽車(chē)電子設(shè)備環(huán)境應(yīng)力測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)準(zhǔn)分五大部分:
ISO 16750-1:2006 -General
ISO 16750-2:2012 -Electrical loads
ISO 16750-3:2012 -Mechanical loads
ISO 16750-4:2010 -Climatic loads
ISO 16750-5:2010 -Chemical loads
本文只關(guān)注此標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)電源測(cè)試部分,即 ISO 16750-2。ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 針對(duì) 12V 和 24V 電源系統(tǒng)有不同的測(cè)試要求,本文僅討論 12V 電源系統(tǒng)。表2列出的是ISO 16750-2標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)電源測(cè)試部分。

表2. 電源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目(ISO 16750-2)
下面先從電源瞬態(tài)變化“黑名單”中赫赫有名的Load dump說(shuō)起,再逐步介紹兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)中定義的其它測(cè)試要求。
Load Dump
Load dump,中文“拋負(fù)載”,是指斷開(kāi)電源與負(fù)載的瞬間,由于負(fù)載突變而引起電源電壓急劇的變化,拋負(fù)載可能引起兩類(lèi)問(wèn)題:
對(duì)設(shè)備的供電失效
感性發(fā)電機(jī)產(chǎn)生大電壓尖峰
在汽車(chē)電子領(lǐng)域,Load dump是指在蓄電池充電時(shí),斷開(kāi)發(fā)電機(jī)與蓄電池的連接而引起發(fā)電機(jī)輸出大電壓尖峰,從而使得其它連接到發(fā)電機(jī)電源的設(shè)備受到破壞的威脅。如下圖1所示,在交流發(fā)電機(jī)內(nèi)部包含感性線圈和整流器,在對(duì)蓄電池進(jìn)行大電流充電時(shí),這時(shí)如果突然斷開(kāi)蓄電池,由于感性器件的電流無(wú)法突變,將引起交流發(fā)電機(jī)輸出電壓急劇上升,此電壓尖峰可能高達(dá)120V,并需要持續(xù)400ms后消退(如圖2)。

圖1. 標(biāo)準(zhǔn)的3相定子繞組 + 6個(gè)整流二極管產(chǎn)生直流電配置

圖2. Load Dump(Unclamped)
早期的交流發(fā)電機(jī)沒(méi)有引入鉗位設(shè)計(jì),在Load dump的情況下,會(huì)產(chǎn)生高達(dá)100V的尖峰電壓。如今的交流電機(jī)設(shè)計(jì)中會(huì)增加鉗位設(shè)計(jì)(圖3),在12V電源系統(tǒng)中,Load dump一般被鉗位在35V;而在24V電源系統(tǒng)中,Load dump一般被鉗位在60V。注意,雖然ISO 16750-2有規(guī)定包含鉗位設(shè)計(jì)的交流電機(jī)輸出電壓會(huì)被鉗位在35V,但各家車(chē)廠可能有自定義的最高電壓標(biāo)準(zhǔn)。

圖3. Load Dump(Clamped)
在 ISO 16750-2 中針對(duì)交流發(fā)電機(jī)輸出是否包含鉗位設(shè)計(jì),定義了兩種Load Dump電源測(cè)試波形,Test A 和 Test B,如圖4所示:
Test A—without centralized load dump suppression
Test B—with centralized load dump suppression

圖4.Load Dump電源測(cè)試波形(ISO 16750-2)
在Load dump測(cè)試中,ISO 16750-2 與 ISO 7637-2 最顯著的區(qū)別在于, ISO 16750-2要求在10分鐘內(nèi),每隔1分鐘對(duì)DUT打一次Load dump電源測(cè)試波形,而ISO 7637-2只要求測(cè)試一次。
在 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2中均定義了電機(jī)輸出的內(nèi)阻 Ri ,其值在 0.5Ω ~ 4Ω 之間,Ri可以有效抑制輸出到外部電路的最大能量,如圖5所示。需要注意的是,Ri在有鉗位保護(hù)功能電機(jī)中是位于鉗位二極管之前,也就是說(shuō),如果采用 TVS 管作為電源入口的Load Dump保護(hù),而且鉗位電壓小于電機(jī)輸出的鉗位電壓(35V)的話(huà),必須確保該TVS管具有足夠的能力吸收Load Dump所有的能量。在有的設(shè)計(jì)中,也可能在TVS管前串接電阻(圖中未標(biāo)出)以輔助耗散Load Dump下的能量,但串阻不僅會(huì)引起電源線上的壓降,而且在設(shè)備正常工作時(shí),它也會(huì)產(chǎn)生一定的功耗。

圖5. 電源接口TVS保護(hù)示意圖
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試:ISO 7637-2
在 ISO 7637-2 中定義的電源瞬態(tài)測(cè)試包括:
PULSE 1
Pulse 1 定義與感性負(fù)載并聯(lián)的電子設(shè)備在電源收到干擾時(shí)的浪涌波形。如圖6所示,電源從正常工作電壓降到 0V ,在 100us 之后施加衰退時(shí)間為 2ms ,尖峰值 -150V 的負(fù)脈沖,測(cè)試Setup中包括 10Ω 串阻以限制負(fù)脈沖的能量。

圖6. ISO 7637-2 Pulse 1
PULSE 2A
Pulse 2A 定義電流瞬間注入待測(cè)電子設(shè)備引起正電壓尖峰。當(dāng)電子設(shè)備突然停止吸收電流時(shí),存在線束中的電流由于感性不能突變,因此形成電壓尖峰。如圖7所示,電源從正常工作電壓在 1us 內(nèi)上升到 112V,持續(xù) 0.05ms ,測(cè)試Setup中包括 2Ω 串阻以限制電壓尖峰的能量。

圖7. ISO 7637-2 Pulse 2A
PULSE 2B
Pulse 2B 定義關(guān)閉點(diǎn)火器,使用直流電機(jī)作為電源時(shí)發(fā)生的狀況,例如汽車(chē)熄火后加熱器仍在工作,在自身停止旋轉(zhuǎn)前,鼓風(fēng)機(jī)電機(jī)可以在短時(shí)間內(nèi)為系統(tǒng)提供直流電源。如圖8所示,電源從正常電壓在 1ms 內(nèi)降低到 0V ,持續(xù) 1ms 升高至 10V ,最終再緩慢下降到 0V 。

圖8. ISO 7637-2 Pulse 2B
PULSE 3A & 3B
Pulse 3A 和 3B 定義開(kāi)關(guān)和繼電器在操作過(guò)程中電弧放電引起的正/負(fù)電壓尖峰。如圖9所示,測(cè)試Setup中包括 50Ω 串阻以限制電壓尖峰的能量。

圖9. ISO 7637-2 Pulse 3A & 3B
PULSE 5A & 5B
Pulse 5A 和 5B 即上文提及的 Load Dump 測(cè)試。如圖10所示,對(duì)于 Pulse 5A,ISO 16750-2 定義的上升沿為 10% (US-UA)到 90% (US-UA) ,而 ISO 7637-2 定義的是 10% US 到 90% US;對(duì)于 Pulse 5B ,ISO 16750-2 和 ISO 7637-2 在 US 和 US* 的上升時(shí)間 tr 有細(xì)微的差別(圖4)。

圖10. ISO 7637-2 Pulse 5A & 5B
表3列出的是 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2 在 Load Dump 中測(cè)試參數(shù)的對(duì)比。

表3. Load Dump測(cè)試參數(shù)比較(ISO 16750-2 VS. ISO 7637-2)
在 ISO 7637-2 中有定義不同的測(cè)試等級(jí)(I - IV),其中 I 和 II 因?yàn)閰?shù)值設(shè)置較低,不符合實(shí)際情況,在改版的新標(biāo)準(zhǔn)中已刪除,如表4所示。

表4. ISO 7637-2 測(cè)試等級(jí)(12V 電源系統(tǒng))
審核編輯黃宇
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