通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。

光刻模塊中的標準步驟是：脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉(zhuǎn)/噴涂、軟烘烤、對準、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。并非所有光刻模塊都包含所有工藝步驟。為了完整起見，對過程步驟的簡要說明。

1、脫水烘烤 - 將晶圓脫水以幫助抵抗粘附。

2、HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進劑。并非所有表面都需要。

3、抗蝕劑旋轉(zhuǎn)/噴涂——通過旋轉(zhuǎn)或噴涂在晶圓上涂上抗蝕劑。通常需要一件制服外套。

4、軟烘烤 - 去除抗蝕劑中的一些溶劑，可能導致抗蝕劑質(zhì)量（和厚度）的顯著損失。使抗蝕劑更粘稠。

5、對齊 - 將掩模上的圖案與晶圓上的特征對齊。

6、曝光——將掩模圖像投影到抗蝕劑上以引起選擇性化學性質(zhì)變化。

7、曝光后烘烤——烘烤抗蝕劑以去除更多的溶劑含量。使抗蝕劑更耐蝕刻劑（顯影劑除外）。

8、顯影 - 曝光后選擇性去除抗蝕劑（如果抗蝕劑為正，則暴露抗蝕劑，如果抗蝕劑為正，則未曝光抗蝕劑）。通常是濕法工藝（盡管存在干法工藝）。

9、硬烤 - 從抗蝕劑中去除大部分剩余溶劑。

10、Descum - 去除可能遮擋圖案中開放區(qū)域的薄層抗蝕劑浮渣，有助于打開角落。

設(shè)計師通過選擇材料、形貌和幾何形狀來影響光刻工藝。沉積抗蝕劑的材料很重要，因為它會影響抗蝕劑的附著力。光刻膠下方層的反射率和粗糙度決定了曝光期間存在的反射光和散射光的量。很難在具有高形貌的表面上獲得漂亮均勻的抗蝕劑涂層，這會使曝光和顯影變得復雜，因為抗蝕劑在不同位置具有不同的厚度。如果晶圓表面有許多不同高度的特征，大多數(shù)光刻曝光工具的有限焦深將成為一個問題（如圖所示）。

審核編輯：湯梓紅