91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

【實(shí)用】MOSFET的GS波形振蕩,可以這樣消除!

上海雷卯電子 ? 2022-04-15 16:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

對于我們的電源工程師來說,我們經(jīng)??吹捷斎氩?、MOS開關(guān)波、電流波、輸出二極管波、芯片波、MOS管GS波。以開關(guān)GS波為例,談?wù)凣S波。

當(dāng)我們測量MOS管GS波形時(shí),有時(shí)有時(shí)會看到下圖中的波形,這是芯片輸出端非常好的方波輸出。然而,一旦到達(dá)MOS管G極,就會出現(xiàn)問題。有振蕩。當(dāng)振蕩很小時(shí),我們幾乎無法通過,但有時(shí)振蕩特別大??粗?,人們擔(dān)心它是否會重啟。

f3a36f8c-bc0d-11ec-82f6-dac502259ad0.png

這個(gè)波形中的振蕩是怎么回事?有沒有辦法消除?

f3b010ca-bc0d-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

IC出來的波形正常,到C1兩端的波形就有振蕩了,實(shí)際上這個(gè)振蕩就是R1,L1和C1三個(gè)元器件的串聯(lián)振蕩引起的,R1為驅(qū)動電阻,是我們外加的,L1是PCB上走線的寄生電感,C1是mos管gs的寄生電容。

對于一個(gè)RLC串聯(lián)諧振電路,其中L1和C1不消耗功率,電阻R1起到阻值振蕩的作用阻尼作用。

實(shí)際上這個(gè)電阻的值就決定了C1兩端會不會振蕩。

1、當(dāng)R1>2(L1/C1)^0.5時(shí),S1,S2為不相等的實(shí)數(shù)根。過阻尼情況。

在這種情況下,基本不會發(fā)生振蕩的。

2、當(dāng)R1=2(L1/C1)^0.5時(shí),S1,S2為兩個(gè)相等的實(shí)數(shù)根。臨界情況。

在這種情況下,有振蕩也是比較微弱的。

3、當(dāng)R1<2(L1/C1)^0.5時(shí),S1,S2為共軛復(fù)數(shù)根。欠阻尼情況。

在這種情況下,電路一定會發(fā)生振蕩。

所以對于上述的幾個(gè)振蕩需要消除的話,我們有幾個(gè)選擇.

1,增大電阻R1使R1≥2(L1/C1)^0.5,來消除振蕩,對于增大R1會降低電源效率的,我們一般選擇接近臨界的阻值。

2,減小PCB走線寄生電感,這個(gè)就是說在布局布線中一定要注意的。

3、增大C1,對于這個(gè)我們往往都不太好改變,C1的增大會使開通時(shí)間大大加長,我們一般都不去改變他。

所以最主要的還是在布局布線的時(shí)候,特別注意走線的長度“整個(gè)驅(qū)動回路的長度”越短越好,另外可以適當(dāng)加大R1.

雷卯電子研發(fā)生產(chǎn)各種小信號開關(guān)MOS,電機(jī)驅(qū)動MOS,提供專業(yè)的應(yīng)用指導(dǎo)。f3c491c6-bc0d-11ec-82f6-dac502259ad0.gif

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9640

    瀏覽量

    233442
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    選型手冊:VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:20 ?296次閱讀
    選型手冊:VS1606<b class='flag-5'>GS</b> N 溝道增強(qiáng)型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    探索GS-EVB-AUD-BUNDLE2-GS:高效音頻放大器與電源解決方案

    探索GS-EVB-AUD-BUNDLE2-GS:高效音頻放大器與電源解決方案 在音頻電子設(shè)備的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,追求高效、高性能和高音質(zhì)一直是工程師們的不懈追求。今天,我們將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:35 ?886次閱讀

    選型手冊:VS6614GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 12-17 18:09 ?515次閱讀
    選型手冊:VS6614<b class='flag-5'>GS</b> N 溝道增強(qiáng)型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊:VS6662GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
    的頭像 發(fā)表于 12-15 15:36 ?413次閱讀
    選型手冊:VS6662<b class='flag-5'>GS</b> N 溝道增強(qiáng)型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析

    諧振引起,這兩個(gè)器件的哪些參數(shù)會產(chǎn)生這種差別,導(dǎo)致振蕩波形不同?是否能夠從器件數(shù)據(jù)表的某些參數(shù)對比來選擇一款實(shí)際應(yīng)用中,峰值較低、振蕩又能快速消除的功率MOSFET管? 回復(fù):功率
    發(fā)表于 11-19 06:35

    全新旗艦任意波形發(fā)生器可生成10 GS/s采樣率和2.5 GHz帶寬的波形

    今日宣布推出全新PCIe旗艦系列任意波形發(fā)生器卡(AWG)??茖W(xué)家和工程師能夠通過該系列產(chǎn)品在電腦上直接生成具有高純度和低失真的高頻任意波形。此外,該系列產(chǎn)品和具有成本效益的商業(yè)現(xiàn)成(Commercial-of-the-shelf)電腦部件搭配使用,幾乎
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:54 ?703次閱讀
    全新旗艦任意<b class='flag-5'>波形</b>發(fā)生器可生成10 <b class='flag-5'>GS</b>/s采樣率和2.5 GHz帶寬的<b class='flag-5'>波形</b>

    SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

    本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割,并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2452次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>計(jì)算損耗的方法

    MOSFET講解-11

    通過對上面回路的分析,我們認(rèn)為,對于互補(bǔ)輸出電路來說,下管關(guān)閉期間,上管瞬間導(dǎo)通,導(dǎo)致下管GS出現(xiàn)干擾,有可能下管誤導(dǎo)通。比如說,下管的導(dǎo)通閾值是4.5V。如果干擾波形的幅值小于4.5V,這個(gè)是安全
    發(fā)表于 04-19 16:16 ?6次下載

    MOSFET講解-03(可下載)

    接下來我們要講一下開通和關(guān)斷的問題了。那么,MOSFET如何進(jìn)行開通,如何進(jìn)行關(guān)斷呢?以及在這個(gè)過程中,會不會也產(chǎn)生損耗。在講這個(gè)之前,我再做一個(gè)補(bǔ)充:這個(gè)電路是斷路的,一旦GS電容上有電的話,那么
    發(fā)表于 04-16 13:34 ?8次下載

    MOSFET講解-02(可下載)

    我們現(xiàn)在知道了,只要讓 MOSFET 有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓,那么 這個(gè) MOSFET 就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中,假設(shè) GS 電 容上有一個(gè)閾值電壓,足可以
    發(fā)表于 04-16 13:29 ?8次下載

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

    的電壓信號出現(xiàn)明顯振蕩或過沖。同時(shí),探頭的寄生電容可能引入位移電流,使被測電流信號疊加額外的寄生電流,影響測量準(zhǔn)確性。 采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態(tài)測試平臺 測試效果
    發(fā)表于 04-08 16:00

    模擬示波器的波形顯示可以調(diào)整哪些參數(shù)?

    模擬示波器用于顯示電信號的波形,在調(diào)整波形顯示時(shí),可以調(diào)整以下關(guān)鍵參數(shù):一、垂直方向參數(shù) 垂直靈敏度(Volts/Div) 定義:每格(Division)代表的電壓值。 作用:調(diào)整垂直靈敏度
    發(fā)表于 04-02 14:41

    MOS管的米勒效應(yīng)-講的很詳細(xì)

    示波器測量GS電壓,可以看到在電壓上升過程中有一個(gè)平臺或凹坑,這就是米勒平臺。 米勒效應(yīng)指在MOS管開通過程會產(chǎn)生米勒平臺,原理如下。理論上驅(qū)動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除
    發(fā)表于 03-25 13:37

    集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動電路以及外圍器件選型設(shè)計(jì)講解

    單向電流導(dǎo)致的振蕩。 2.RGATE值要折中:太小振蕩嚴(yán)重,太大開關(guān)慢。10-20Ω是常見值。可以用示波器看Vgs波形,振鈴超10%就調(diào)RGATE。 3.在
    發(fā)表于 03-11 11:14