接下來我們要講一下開通和關(guān)斷的問題了。那么，MOSFET 如何進(jìn)行開通，如何 進(jìn)行關(guān)斷呢？以及在這個(gè)過程中，會不會也產(chǎn)生損耗。

在講這個(gè)之前，我再做一個(gè)補(bǔ)充：

這個(gè)電路是斷路的，一旦 GS 電容上有電的話，那么 DS 實(shí)際上是導(dǎo)通的，與有 沒有回路沒有關(guān)系。正式因?yàn)檫@樣子的一個(gè)特性，那么，我們拿到一個(gè)管子的時(shí) 候，我們也不知道這個(gè)管子 GS 有沒有電，這個(gè)管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路 上去焊接的時(shí)候，可能會出現(xiàn)問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計(jì)的 時(shí)候，在 MOSFET 的 G 和 S 之間要加一個(gè)電阻，這樣子就可以讓 GS 電容進(jìn)行放 電，有了這樣的一個(gè)放電回路，不管前面驅(qū)動端是高阻態(tài)也好，是斷路也好，反 正 G 和 S 之間是有回路的，確保管子是關(guān)閉的。

我們把 GS 之間接一個(gè)下拉電阻。那么接下來就要看，這個(gè)下拉電阻的取值。實(shí) 際上這個(gè)下拉電阻相當(dāng)于三極管 N 管的下拉電阻。我們說，學(xué)習(xí) MOS 管，要對 標(biāo)我們大家都熟悉的三極管，這樣就更輕松，更容易理解。

我們說，這個(gè)下拉電阻的好處是什么?。?/span>

1. 可以確保 B 極是兩態(tài)（三態(tài)：高、低、高阻態(tài)）。 實(shí)際上，我們害怕的就 是高阻態(tài)嘛，由于當(dāng)你前面不接的時(shí)候，又?jǐn)嚅_了，才有高阻態(tài)。在電路設(shè)計(jì)中， 我們從邏輯角度來講，不是高就是低，這樣子才是最好的，有利于電路的邏輯。

同樣的，MOSFET 加了一個(gè)下拉電阻。

作用：確保給 GS 電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。

這樣 MOSFET 就只有兩態(tài)，不是高就是低。另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。

實(shí)際上，對于晶體管來說，如果沒有一個(gè)完整的額回路，是不導(dǎo)通的；但是 MOSFET 不一樣，它不需要一個(gè)完整的回路，也能夠讓它導(dǎo)通。

接下來我們研究一下 MOSFET 的開通問題：

由于有這個(gè) GS 電容的存在，MOSFET 的開通，肯定就會有一個(gè)延時(shí) 我們這個(gè) MOSFET 的模型怎么去建立呢？

我們前面講過了，MOSFET 在導(dǎo)通的時(shí)候，DS 之間還有一個(gè) Rdson，導(dǎo)通阻抗。

問題補(bǔ)充：

我們說，晶體管這個(gè)地方的下拉電阻是 2K，是經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)電路和驗(yàn)證的。 對于低功耗的電路來說，這個(gè)電阻可以取高一點(diǎn)，但是不要取的太低。取的太低 的話，就有可能導(dǎo)致晶體管不能正常的工作。為什么這么說呢？我們可以舉個(gè)例 子：

因?yàn)?be 鉗位電壓，導(dǎo)通之后是 0.7V，前提是導(dǎo)通之后，這一點(diǎn)很重要哦。

電阻分壓后，M 電的電位要大于 0.7V 才行，所以，下拉電阻不能太小。 我們假設(shè)下拉電阻取 100Ω：

那么，M 點(diǎn)分壓后小于 0.7V，三極管是不會導(dǎo)通的。所以，下拉電阻不能太 小，當(dāng)然也不能太大，否則，對于高頻開關(guān)信號來說，會影響它的關(guān)斷時(shí)間。大家在以后的電路設(shè)計(jì)中，如果是頻率相對較高的開關(guān)信號，一般都取 2K，就不 用再考慮其他的了

我們再來看 MOSFET 的下拉電阻，取多少呢？我們知道三極管的閾值電壓是 0.7V，而 MOSFET 的閾值電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 0.7V，其實(shí)這里的阻值選取跟這里閾值電 壓有關(guān)，如果這里取小了，那么分壓之后，一直在它的平臺電壓，那這個(gè) MOSFET 肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉電阻取值可以取大一點(diǎn)，這樣MOSFET 開通就不會產(chǎn)生影響，而 MOSFET 的放電更多的是靠前面進(jìn)行放電，也沒事的對 吧。當(dāng)然，這個(gè)電阻也不能太大，否則靜電雷擊也會對 MOSFET 造成損壞。

MOSFET 下拉電阻選取原則：

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