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我們知道了三極管 MOS 管在進入飽和導通之前，必然會經過放大 區(qū)。好在三極管經過放大區(qū)的時間很短，但是 MOS 管在米勒平臺這段 區(qū)域的時間會更長，也會更容易損壞。
上面是 Vgs 波形，接下來我們來看 Vds 波形是什么樣子的
我們知道當 Vgs 電壓達到 Vth 時，MOS 管進入放大導通區(qū) 域，而此時 D 端的電位會從原來的 200V 在 t1~t2 期間內會有略微的下降。
同時，我們也知道，在 Vgs 電壓達到 Vth 時，Id 開始有電流了
我們通過固有轉移特性知道，Vgs 和 Id 成比例變化的，所以在米 勒平臺區(qū)域 Id 電流也是幾乎沒有變化，理想情況下，我們就認為它 們是不變的
到了某一時刻（t3），米勒平臺效應就會結束。在米勒平 臺期間，MOS 管的 DS 內阻 Rdson 在逐漸變小
工作在米勒平臺區(qū)域，與工作在平臺后的區(qū)域，管子的功耗問題
工作在米勒平臺區(qū)域：管子內阻雖然在變小，但是還是很大。由于電 流都是最大，所以功耗大
工作在平臺區(qū)域之后：由于 Rdson 極小，所以功耗小
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