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士蘭微:12吋IGBT/FRD實際產(chǎn)出1萬片 目標明年5月實現(xiàn)IGBT滿產(chǎn)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-08-22 09:39 ? 次閱讀
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8月21日,士蘭微董事長陳向東在2023年上半年業(yè)績說明會上表示:“業(yè)績不好與現(xiàn)在的行情有直接關系。很難預測半導體景氣何時會全面恢復。目前國內(nèi)半導體市場的競爭非常激烈。但從整體上看,韓國國內(nèi)的1~2家大型idm企業(yè)應該有成長的機會。目前完全生產(chǎn)6英寸和8英寸的生產(chǎn)線。12英寸與生產(chǎn)能力的形成有一定距離,因此在第二、第三季度可以逐漸充電。”

對于廈門項目的進展,陳向東說,該項目整體發(fā)展順利。廈門集克12英寸重點是功率器件的上量和性能優(yōu)化,以及車規(guī)級電路技術平臺的開發(fā)和產(chǎn)品引進,上量。廈門明鎵目前將重點放在增加部分高性能led芯片產(chǎn)品數(shù)量和sic芯片數(shù)量上。

汽車規(guī)類芯片是門檻較高的芯片領域。2023年上半年,士蘭微IGBT(包括igbt配件和pim模塊)的營業(yè)收入比去年同期增加300%以上,達到5億9千萬人民幣。公司在自主開發(fā)的v代igbt和frd芯片電動汽車主要發(fā)動機驅動模塊的基礎上,已經(jīng)實現(xiàn)了向比亞迪、吉利、零跑、匯川等國內(nèi)外多家客戶的大量供應。該公司大量供應了用于汽車的igbt和mosfet配件。正在加快汽車級igbt芯片、sic-mosfet芯片和汽車級動力模塊(pim)生產(chǎn)能力建設,預計今后igbt零部件、pim模塊、sic-mos零部件等的營業(yè)收益將迅速增加。

在車規(guī)級的SiC功率器件芯片方面,士蘭微完成了第二代平面柵SiC-mosfet技術的開發(fā),性能達到業(yè)界類似零件結構的先進水平。公司自行開發(fā)的生產(chǎn)ii代sic-mosfet主發(fā)電機驅動芯片的電動汽車模塊,已經(jīng)通過部分顧客測試,在今年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)和交付。目前,士蘭明鎵具有3000個6英寸sic芯片的生產(chǎn)能力,并計劃到2023年末具備6000個6英寸sic芯片(sic mos和sic sbd)的生產(chǎn)能力。

士蘭微副總經(jīng)理兼總經(jīng)理鄭少波說:“現(xiàn)在車主引領市場,產(chǎn)品是mos單管——基本上都是斯蘭產(chǎn)品,igbt單管——基本上都是斯蘭產(chǎn)品。tier1是tier1的產(chǎn)品。pim模塊的情況是,目前品牌汽車企業(yè)直接供貨的顧客有比亞迪、領跑、吉利等?;蛘咴谝M過程中包括廣汽、長安、東風、上汽、五菱等。士蘭igbt在汽車所有者的市場占有率上占據(jù)著領先地位。主要是購買tier1的驅動系統(tǒng)?!?/p>

ipm的生產(chǎn)能力目前為11kk/m, 12月將增加到13kk/m。12英寸igbt/frd目前生產(chǎn)10,000個左右,8英寸和12英寸igbt計劃在24年5月完全生產(chǎn)。sic的情況是,目前具備3000個生產(chǎn)能力的設備還在原地,還在投入測試和生產(chǎn),實際投入3000個生產(chǎn)能力需要11~12月?!班嵣俨ㄑa充說。

對于公司股價的變化,士蘭微表示,近年來半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一次起伏。得益于2021年半導體產(chǎn)業(yè)的快速增長、公司及時推出生產(chǎn)能力以及產(chǎn)品結構的持續(xù)調(diào)整,公司迎來了2021年歷史業(yè)績的最高點,同時也迎來了最近股價的高點。隨著宏觀經(jīng)濟的持續(xù)停滯,半導體進入了調(diào)整周期。雖然2022年和2023年上半年公司歸屬母公司股東的凈利潤不令人滿意,但我們也應該看到,2022年和2023年上半年,在公司全體員工的努力下,我們的收入都保持了增長。我們也有信心和能力持續(xù)保持主要經(jīng)營業(yè)務的增長。從根本上說,在市場環(huán)境受到壓力的情況下,我們相信,通過調(diào)整產(chǎn)品結構和提高收益能力,通過一定時間的努力,市場會對行業(yè)和公司有新的認識。

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