1，瑞聯(lián)新材擬4.91億元投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項目

近日，瑞聯(lián)新材發(fā)布公告稱，公司擬投建光刻膠及高端新材料產(chǎn)業(yè)化項目。根據(jù)公告，該項目的實施主體為公司的全資子公司大荔海泰新材料有限責(zé)任公司，項目選址位于渭南市大荔縣經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，計劃總投資金額為4.91億元，首期項目投資為8310.96萬元。

項目擬分期建設(shè)完成，首期新建綜合辦公樓1棟、生產(chǎn)車間1棟及其配套的輔助工程和服務(wù)設(shè)施，用于光刻膠、醫(yī)藥中間體及其它電子精細化學(xué)品等產(chǎn)品的生產(chǎn)。

瑞聯(lián)新材表示，光刻膠作為半導(dǎo)體、平板顯示及PCB行業(yè)制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵材料，近年來，伴隨國內(nèi)外晶圓廠商產(chǎn)能擴張逐步落地，半導(dǎo)體相關(guān)材料需求旺盛，呈穩(wěn)步上升趨勢。在PCB、顯示面板和集成電路產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程加速、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求迫切的背景下，作為上游關(guān)鍵材料的光刻膠呈現(xiàn)明顯的進口替代趨勢，國產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻膠將迎來快速發(fā)展的機遇。

瑞聯(lián)新材稱，通過本項目的建設(shè)，公司將有效擴大電子化學(xué)品產(chǎn)能規(guī)模，匹配下游日益增長的市場需求，加快國產(chǎn)替代市場占有步伐，培育新的利潤增長點。

2，晶能首款SiC半橋模塊試制成功

今日，據(jù)晶能官微消息，近日，晶能首款SiC半橋模塊試制成功，初測性能指標達到國際一流水平。

■晶能SiC半橋模塊

據(jù)悉，該模塊電氣設(shè)計優(yōu)異，寄生電感5nH；采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結(jié)溫達175℃，在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高達700Arms。

此次SiC半橋模塊是為應(yīng)對新能源汽車主牽引驅(qū)動器的高功率密度、高可靠性等需求研發(fā)的重要產(chǎn)品。涵蓋750V/1200V耐壓等級，至多并聯(lián)10顆SiC芯片，可應(yīng)對純電及混動應(yīng)用場景下的不同需求挑戰(zhàn)。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計+模塊制造+車規(guī)認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供功率解決方案。

編輯：黃飛