IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT芯片測試一項重要內(nèi)容，主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。

IGBT動態(tài)測試參數(shù)

IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)，其動態(tài)測試參數(shù)主要有：

1. 開通特性

開通時間T(on)：是開通延時時間Td(on)和上升時間Tr之和。

開通延時時間Td(on)：指從柵極電壓正偏壓的10%開始到集電極電流上升至最終值的10%為止的一段時間。

上升時間Tr：開通時，集電極電流上升至10%到集電極電流上升至最終值的90%為止的時間。

開通損耗E(on)：指開通過程中電壓、電流乘積在某一時間段內(nèi)的積分。

2. 關(guān)斷特性

關(guān)斷時間T(off)：是關(guān)斷延時時間與下降時間之和。

關(guān)斷延時時間Td(off)：從柵極電壓下降至其開通值的90%開始到集電極電流下降到開通值的90%為止的一段時間。

下降時間Tf：關(guān)斷時，集電極電流從開通值的90%下降到10%之間的時間。

關(guān)斷損耗E(off)：關(guān)斷過程中電壓、電流乘積在某一時間段內(nèi)積分。

3. 二極管恢復(fù)特性

反向恢復(fù)時間Trr：指反并聯(lián)二極管的電流從第一次0點到反向最大值再回到0點的這段時間。

反向恢復(fù)電流Irr：指反并聯(lián)二極管從通態(tài)向阻斷轉(zhuǎn)換的過程中，電流反向達(dá)到的最大電流值。

反向恢復(fù)di/dt：是反并聯(lián)二極管正向電流的50%到第一次降到0點這一段的電流斜率。

反向恢復(fù)電荷Qrr：是反并聯(lián)二極管的電流從第一次0點到第二次0點這段時間內(nèi)的電荷量。

4. 柵極電阻

柵極電阻的大小直接影響著開關(guān)速度，從而會影響到IGBT芯片的開關(guān)損耗。柵極電阻包括：

內(nèi)部柵極電阻(RGint)：內(nèi)部柵極電阻是為了實現(xiàn)模塊內(nèi)部IGBT芯片的均流。它是單獨柵極電阻并聯(lián)之后的值。

外部柵極電阻(RGext)：包括開通電阻(Rgon)和關(guān)斷電阻(Rgoff)。一般通過不同的充放電回路來設(shè)置不同的Rgon和Rgoff。

5. 寄生電容

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性，它是影響IGBT芯片動態(tài)性能的重要因素。

6. 柵極電荷(Qg)

柵極電荷在實際設(shè)計中依賴于柵極電壓的擺動幅度。

ATECLOUD-IC電源測試系統(tǒng)方案界面

動態(tài)測試是IGBT芯片測試中一項重要測試內(nèi)容，而納米軟件ATECLOUD-IC芯片測試系統(tǒng)是一款自動化測試軟件，在IGBT動態(tài)測試中可以解放人力，提高測試速度和效率，并且也會提升測試數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)度。該系統(tǒng)支持批量測試功能和數(shù)據(jù)洞察功能，自動匯總數(shù)據(jù)并對其進(jìn)行智能分析，圖表數(shù)據(jù)展現(xiàn)形式可以幫助用戶更清晰地觀察數(shù)據(jù)變化情況。并且用戶也可以選擇自己想要地報告模板，自定義數(shù)據(jù)報告，一鍵生成并導(dǎo)出。

審核編輯 黃宇