有韓媒報(bào)道稱，三星或繞過(guò)3納米直接邁入2納米
近日有消息稱，三星正積極推進(jìn) 2nm 工藝，而此前三星相關(guān)部門負(fù)責(zé)人公開(kāi)表示，要在未來(lái)5年內(nèi)超越臺(tái)積電和其它行業(yè)巨頭。
此外，還有韓媒報(bào)道稱，三星的半導(dǎo)體代工部門正在快速推進(jìn)其 2納米生產(chǎn)計(jì)劃，加速2nm技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。對(duì)此，有業(yè)內(nèi)人士猜測(cè)，三星可能會(huì)跳過(guò) 3納米生產(chǎn)，直接跨入2納米制造工藝。
根據(jù)了解，三星的 SF2工藝是在今年早些時(shí)候推出的第三代 3納米級(jí)(SF3)工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化的。而SF2工藝可以在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25%的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12%的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。
審核編輯：湯梓紅
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