11月8日，以“存儲趨勢 智創(chuàng)芯生”為主題的2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會 (MTS 2024) 在深圳隆重舉辦。

西安紫光國芯攜專業(yè)DRAM KGD解決方案、DRAM存儲產(chǎn)品等前沿存儲技術(shù)成果亮相，與行業(yè)伙伴共同探討未來存儲新趨勢。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品為首次亮相。

西安紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)DRAM KGD解決方案提供商，產(chǎn)品應用在通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、安防等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域。

本次展出的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品在進一步優(yōu)化芯片尺寸的同時提升了主要性能指標，可廣泛應用于IPC、STB和汽車電子等市場，并已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

512Mb DDR2是采用先進工藝的第二代標準DDR KGD芯片，在工作電壓1.5V時可同步支持1333Mbps，能夠充分滿足視頻監(jiān)控芯片的功耗和帶寬需求。

該款產(chǎn)品可助力IPC SoC客戶進一步提升其整體性能，完善國內(nèi)供應鏈布局。

1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品最高速度可達2133Mbps，在可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)更優(yōu)，將為消費類、車規(guī)和工控市場帶來更具性價比的選擇。

依托近20年DRAM芯片研發(fā)經(jīng)驗以及模組產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗, 西安紫光國芯開發(fā)的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品在各項性能上得到了全面優(yōu)化。

通過新一代內(nèi)存技術(shù)，本款產(chǎn)品在容量、功耗、總線效率等方面有顯著提升，速度可達5600Mbps，滿足了企業(yè)級應用在性能和質(zhì)量方面的更高要求，可為國產(chǎn)CPU平臺以及英特爾第5代至強可擴展處理器Emerald Rapids等平臺提供內(nèi)存解決方案。

本次亮相的還有采用新一代工藝開發(fā)的1Gb DDR3顆粒產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，芯片尺寸減少，最高速率提升至2133Mbps，工作電壓降低，支持DDR3L，產(chǎn)品力得到大幅提升。

該款產(chǎn)品還通過了包括JEDEC Timing、Qualification等多項嚴苛測試，擁有更完善的量產(chǎn)測試覆蓋率，進一步提升了產(chǎn)品性能并增強了可靠性，可滿足工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車電子等高端應用的嚴格要求。

半導體與存儲產(chǎn)業(yè)總是挑戰(zhàn)與機遇并存，作為以存儲技術(shù)為核心的產(chǎn)品和服務提供商，西安紫光國芯將繼續(xù)以科技創(chuàng)新為驅(qū)動，持續(xù)精耕細作，推出具有核心競爭力的產(chǎn)品和服務。


同時，在紫光集團“大研發(fā)、大制造、大市場”戰(zhàn)略部署下，期待與產(chǎn)業(yè)伙伴攜手推動存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設，賦能產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

審核編輯：劉清