功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。作為界面散熱的關(guān)鍵通道，功率模塊封裝結(jié)構(gòu)中連 接層的高溫可靠性和散熱能力尤為重要。納米銀燒結(jié)技術(shù)可以實現(xiàn)低溫連接、高溫服役的要求，且具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和高溫可靠性，已成為近幾年功率模塊封裝互連材料的研究熱點。

第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會“上，日本大阪大學(xué)副教授陳傳彤做了“SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展”的主題報告，分享了微米級銀燒結(jié)體的連接與性能研究、Ag-Si復(fù)合漿料提高SiC功率模塊可靠性、全銀燒結(jié)漿料的高散熱SiC結(jié)構(gòu)的研究進展。

涉及用于模具附著材料的銀燒結(jié)漿料連接，銀微粉燒結(jié)漿料，銀薄片漿料燒結(jié)，高溫老化可靠性試驗，熱沖擊試驗（-50℃~250℃），Ag燒結(jié)體功率循環(huán)連接可靠性試驗，SiC SBD試樣的截面研究，全銀燒結(jié)漿料的高散熱SiC結(jié)構(gòu)，高溫老化可靠性試驗，采用銀燒結(jié)膏的先進功率模塊結(jié)構(gòu)等。

報告指出，在高溫老化和功率循環(huán)測試下，銀微米顆粒燒結(jié)連接提供了優(yōu)異的結(jié)合質(zhì)量和可靠性。Ag-Si復(fù)合漿料可提高熱沖擊可靠性；與傳統(tǒng)的焊料和TIM油脂接合相比，全銀燒結(jié)接合使芯片表面溫度從270℃降低到180℃，熱阻也從1.5 K/W降低到0.8 K/W。在功率循環(huán)試驗中，全銀燒結(jié)漿料的失效時間從2340次循環(huán)提高到33926次循環(huán)，提高了14.5倍。

審核編輯：劉清