臺(tái)積電1.4nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)A14即將推出，2027-2028年有望量產(chǎn)
臺(tái)積電在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議中的“邏輯的未來(lái)”小組公布了1.4nm先進(jìn)制程的研發(fā)進(jìn)度順利。公司表示，預(yù)計(jì)將在2025年實(shí)現(xiàn)基于2nm制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電已將此階段的工作節(jié)點(diǎn)正式命名為A14。盡管該公司未透露A14具體的量產(chǎn)時(shí)間表與規(guī)格參數(shù)，但參照已經(jīng)制定的N2與N2P計(jì)劃，可推測(cè)A14可能將于2027至2028年前引入市場(chǎng)。
關(guān)于臺(tái)積電是否將采用類似2nm的 GAAFET 或垂直堆疊的 CEFT 工藝，這仍然是未知之?dāng)?shù)。此外，臺(tái)積電是否會(huì)在2027至2028年內(nèi)采用高數(shù)值孔徑的EUV***也是值得關(guān)注的話題。
考慮到屆時(shí)英特爾等廠商將逐步部署并完善數(shù)值孔徑0.55的下一代EUV***，相對(duì)來(lái)說(shuō)芯片代工廠商利用該設(shè)備的難度會(huì)有所降低。然而，使用高數(shù)值孔徑EUV***會(huì)使掩模版尺寸減少一半，因而對(duì)芯片設(shè)計(jì)及制造業(yè)也帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。
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