Yole Intelligence推出《2024年化合物半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀報(bào)告》,全面分析市場(chǎng)動(dòng)態(tài)、生態(tài)系統(tǒng)演變和技術(shù)趨勢(shì),重點(diǎn)關(guān)注CS襯底和外延晶圓。
在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下,到2029年,全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展,射頻探索新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
2029年襯底市場(chǎng)將達(dá)33億美元
化合物半導(dǎo)體(Compound Semiconductor,CS)是跨行業(yè)的變革力量。碳化硅(SiC)在汽車領(lǐng)域的主導(dǎo)地位,特別是在800V電動(dòng)汽車領(lǐng)域,推動(dòng)了一個(gè)數(shù)十億美元的市場(chǎng),而氮化鎵功率器件(Power GaN)將其業(yè)務(wù)擴(kuò)展到消費(fèi)技術(shù)和汽車領(lǐng)域,預(yù)計(jì)在智能手機(jī)OVP領(lǐng)域?qū)⒂?0億個(gè)需求量的機(jī)會(huì)。
射頻砷化鎵(RF GaAs)與5G和汽車連接相結(jié)合,預(yù)計(jì)將迎來復(fù)興;而射頻氮化鎵(RF GaN)則在國防、電信和航天工業(yè)中找到了自己的利基市場(chǎng),并將目光投向了高功率應(yīng)用。在光子學(xué)(Photonics)領(lǐng)域,磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)處于領(lǐng)先地位,InP在人工智能應(yīng)用的推動(dòng)下復(fù)興,而GaAs光子學(xué)由于各種市場(chǎng)動(dòng)態(tài)而略有增長(zhǎng)。MicroLED顯示出潛力,盡管它們的廣泛采用之旅仍在逐步展開。

重塑CS格局:主要玩家的戰(zhàn)略舉措和供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)
CS襯底(Substrate)制造商不斷制定新的戰(zhàn)略來擴(kuò)大其產(chǎn)品組合,尋求擴(kuò)大其市場(chǎng)份額。Wolfspeed站在先鋒,引領(lǐng)碳化硅功率器件(Power SiC)的SiC襯底供應(yīng)。其未來十年的宏偉目標(biāo)是向更大規(guī)格8英寸晶圓廠和擴(kuò)大材料產(chǎn)能的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。同時(shí),Coherent在光子器件領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色,并在功率和射頻應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)著SiC襯底主導(dǎo)供應(yīng)商的地位。與SEDI在RF GaN領(lǐng)域的合作,以及與GE一起進(jìn)入Power SiC領(lǐng)域,增強(qiáng)了其從襯底到器件的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
AXT、住友電工、Freiberger和SICC在GaAs、InP和半絕緣SiC襯底方面處于領(lǐng)先地位,并打算通過擴(kuò)展到其他CS材料領(lǐng)域來實(shí)現(xiàn)收入增長(zhǎng)。玩家們正在研究用于射頻、光子學(xué)和μLED應(yīng)用的GaAs和InP襯底之間的協(xié)同作用。與此同時(shí),中國關(guān)于從中國出口鎵原材料的新規(guī)定使CS襯底制造商調(diào)整了其原材料的戰(zhàn)略供應(yīng)。這些新的戰(zhàn)略物資是什么?我們會(huì)看到對(duì)CS襯底價(jià)格的影響嗎?
革命性CS:向更大襯底過渡釋放新的行業(yè)潛力
CS技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域都有不同的進(jìn)步。事實(shí)上,SiC行業(yè)正在蓬勃發(fā)展,玩家們正專注于擴(kuò)張和投資。例如,6英寸晶圓仍然是SiC的主流,盡管Wolfspeed對(duì)8英寸MHV晶圓廠的12億美元投資刺激了2023年第一季度的收入。Soitec和Sumitomo Mining等的工程襯底等創(chuàng)新,研發(fā)重點(diǎn)是提高SiC晶圓產(chǎn)量。英飛凌等主要IDM專注于晶錠(Boule)和晶圓分割技術(shù)。Power GaN主要采用6英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si),而8英寸硅基氮化鎵則隨著Innoscience、意法半導(dǎo)體和英飛凌的擴(kuò)張而獲得進(jìn)展。

功率氮化鎵的玩家正在努力使其具有與SiC類似的吸引力。他們的創(chuàng)新旨在使用QST等新型襯底實(shí)現(xiàn)垂直器件結(jié)構(gòu)和提高性能。在射頻業(yè)務(wù)中,硅上氮化鎵正在為與碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)等現(xiàn)有技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的新機(jī)會(huì)鋪平道路。光子學(xué)利用人工智能的浪潮,驅(qū)動(dòng)高數(shù)據(jù)速率激光器。InP Photonics是一個(gè)處于增長(zhǎng)階段的成熟市場(chǎng)。
人工智能能推動(dòng)InP向6英寸過渡嗎?同時(shí),GaAs正在探索由MicroLED驅(qū)動(dòng)的8英寸制造。MicroLED與OLED競(jìng)爭(zhēng),面臨著產(chǎn)量和效率方面的挑戰(zhàn),成功與否還未得知,但大量投資為其提供了發(fā)展動(dòng)力。蘋果計(jì)劃推出一款8英寸的MicroLED智能手表,這將推動(dòng)行業(yè)從6英寸向8英寸的過渡,釋放出新的市場(chǎng)潛力。
審核編輯:黃飛
-
射頻
+關(guān)注
關(guān)注
106文章
6006瀏覽量
173481 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5410瀏覽量
132297 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2120瀏覽量
95122 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52352 -
MicroLED
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
634瀏覽量
40592
原文標(biāo)題:Yole:到2029年全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)達(dá)58億美元
文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
儲(chǔ)能徹底爆發(fā)!容量電價(jià)落地,2026年迎來黃金時(shí)期
2026年GaN行業(yè)八大預(yù)測(cè):市場(chǎng)規(guī)模暴增50%;襯底和封裝是投資熱點(diǎn)
AI算力需求的爆發(fā)加速國產(chǎn)晶振替代進(jìn)程
汽車芯片,逼近1000億美元
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
豪恩汽電憑借多重利好正迎來黃金發(fā)展期
晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)
技術(shù)指標(biāo)比肩國際!中欣晶圓加速國產(chǎn)替代,月銷超百萬片
熱管理產(chǎn)業(yè)迎來黃金發(fā)展期 | 預(yù)計(jì)2032年將達(dá)到379.1億美元
晶科工商業(yè)儲(chǔ)能交流研討會(huì)合肥站預(yù)告
晶圓清洗后表面外延顆粒要求
722.9億美元!Q1全球半導(dǎo)體晶圓代工2.0市場(chǎng)收入增長(zhǎng)13%
wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量的設(shè)備
國產(chǎn)封裝測(cè)試技術(shù)崛起,江西萬年芯構(gòu)建實(shí)力護(hù)城河
2029年襯底和外延晶圓市場(chǎng)將達(dá)到58億美元,迎來黃金發(fā)展期
評(píng)論