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英特爾CEO:中國芯片制造將落后10年

半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2024-01-29 10:03 ? 次閱讀
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半導體供應鏈的不確定性依然存在。

美國多年來一直試圖通過制裁和出口管制來減緩中國在半導體和人工智能等領域的進步。英特爾首席執(zhí)行官評論說,這一戰(zhàn)略正在影響中國的半導體制造能力,并強調了日本和荷蘭等國的合作。這些言論與臺積電和 NVIDIA 的聲明不謀而合,盡管在這個高度互聯(lián)的行業(yè)中,供應鏈的不確定性依然存在。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格在達沃斯世界經(jīng)濟論壇上發(fā)表講話時斷言,由于美國對關鍵芯片制造零部件的制裁,中國的半導體發(fā)展將落后于領先國家十年。

為了應對中國在該行業(yè)的快速增長,美國制定了控制措施,阻止中國獲得最新芯片技術所需的工具。然而,美國并沒有獨自阻止中國,而是聯(lián)合了盟友日本和荷蘭的合作,這是該政策取得成效的關鍵因素。

荷蘭公司 ASML 是全球最大的生產(chǎn) 14 納米以下半導體所必需的光刻工具供應商。最近向英特爾發(fā)貨了其最新的高端 EUV機器。此舉是英特爾努力重新奪回其在芯片制造領域領先地位(落后于臺積電和三星)的一部分。

在達沃斯論壇上,基辛格討論了全球供應鏈的脆弱性,這一擔憂在疫情期間變得更加明顯。他指出,幾十年的產(chǎn)業(yè)政策使芯片制造集中在亞洲國家,美國現(xiàn)在正試圖通過《芯片法案》扭轉這一趨勢,該立法旨在增強美國的技術自給自足。

去年,臺積電創(chuàng)始人張忠謀承認,美國制裁可能暫時使臺積電受益,但對此類措施的長期有效性表示懷疑。他預測制裁將使中國在芯片制造技術方面落后數(shù)年。不過,他也指出,美國等國家需要大量時間來發(fā)展其芯片制造能力。

美國官員樂觀地認為,美國可以在十年內開始生產(chǎn)和封裝最先進的半導體。相比之下,Nvidia的首席執(zhí)行官認為這一目標可能需要接近10年或20年的時間。

全球最先進的1.5納米芯片工廠

英特爾位于德國馬格德堡附近的工廠不僅將成為歐洲最先進的半導體生產(chǎn)工廠,而且根據(jù)首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 的說法,一旦投產(chǎn),它將成為世界上最先進的工廠。該晶圓廠將使用 18A 后工藝技術處理晶圓,并將用于為英特爾及英特爾代工服務客戶生產(chǎn)產(chǎn)品。

基辛格在瑞士達沃斯舉行的世界經(jīng)濟論壇上表示:“這不僅是德國最先進的制造工廠,馬格德堡工廠還將擁有世界上最先進的芯片制造工廠。我們對這項工作的開展感到非常興奮?!?/p>

英特爾負責人并未具體說明其馬格德堡工廠將采用英特爾的哪些后18A工藝技術,只是含糊地表示將采用1.5納米的量級。

英特爾將于 2 月底公布其 18A 后制造工藝路線圖,屆時該公司可能還會概述其哪些晶圓廠(或更確切地說是站點)將首先采用一個節(jié)點或另一個節(jié)點。目前,我們只能推測 Intel 18A 之后的繼任者。

英特爾決心將其領先的制造技術帶到歐洲,這在半導體行業(yè)是罕見的。目前,位于愛爾蘭萊克斯利普附近的英特爾 Fab 34 工廠正在采用英特爾 4 納米級工藝技術生產(chǎn)芯片,預計將在未來幾個季度開始生產(chǎn)英特爾 3 納米級處理器。雖然目前 Intel 4 和 Intel 3 是該公司最先進的節(jié)點,但它們落后于臺積電的 N3(3 納米級)。相比之下,英特爾預計其 18A 及其后續(xù)產(chǎn)品將在功耗、性能和面積特性方面領先于行業(yè)。

在晶圓廠方面,在臺積電召開法說會后表示,預計將推遲正在亞利桑那州建設的兩家半導體工廠中的第二座工廠的生產(chǎn),并稱早些時候有關該工廠將生產(chǎn)一種先進制程芯片的聲明存在不確定性。

臺積電曾于2022年12月表示,第二座工廠計劃于2026年開始生產(chǎn)3納米芯片。但近日,臺積電董事長劉德音在新聞發(fā)布會上的發(fā)言進一步證明,這個耗資400億美元的亞利桑那州項目在實現(xiàn)激進的時間表目標方面遇到了挑戰(zhàn)。

第二座工廠的建設仍在繼續(xù),但臺積電目前考慮將2027年或2028年作為量產(chǎn)的時間表。具體的芯片類型尚未確定,將受到客戶需求和政府激勵措施的影響。劉德音表示,該公司正與美國政府就亞利桑那州的激勵措施和稅收減免支持進行持續(xù)溝通。




審核編輯:劉清

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原文標題:英特爾CEO:中國芯片制造將落后10年

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