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英特爾18A工藝節(jié)點(diǎn)推廣激勵(lì)措施承諾

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-27 14:55 ? 次閱讀
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據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道,英特爾針對(duì)韓國(guó)無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司加大了廣告宣傳力度,主要目的在于推廣自家的 18A 制程技術(shù)。

去年,英特爾CEO帕特·基辛格與多家韓國(guó)企業(yè)高層會(huì)面,詳細(xì)介紹了英特爾芯片代工商的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉,英特爾正積極向韓國(guó)芯片創(chuàng)業(yè)公司推銷18A制程,同時(shí)給予鼓勵(lì)支持。

此外,英特爾本周三公開了14A制程(1.4納米級(jí)別)的設(shè)計(jì)規(guī)劃,并宣布將于2027年批量生產(chǎn)采用此節(jié)點(diǎn)的芯片。據(jù)透露,截止目前,英特爾已經(jīng)收到超過(guò)150億美元(現(xiàn)價(jià)約1080億元人民幣)的訂購(gòu)意向。

值得一提的是,英特爾再次強(qiáng)調(diào)將在2030年前攀升至全球第二大芯片代工商位置,實(shí)現(xiàn)對(duì)如今排名第二的三星電子和市場(chǎng)龍頭企業(yè)臺(tái)積電的反超。18A制程實(shí)施工期預(yù)計(jì)于今年年末啟動(dòng),以保持在節(jié)點(diǎn)技術(shù)上對(duì)三星及臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。三星已決定先從3納米級(jí)別的全柵極(GAA)工藝著手,隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)2納米領(lǐng)域。臺(tái)積電與英特爾均傾向于采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。

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