3月1日，拓荊科技正式宣布，繼戰(zhàn)略布局與經(jīng)營發(fā)展需求之后，為了進一步增加產(chǎn)能與優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局，計劃斥資11億元到沈陽光南區(qū)建立全新產(chǎn)業(yè)基地。

根據(jù)公告內容，這個名為“高端半導體設備產(chǎn)業(yè)化基地建設項目”的項目將由拓荊科技與其子公司共同進行，涵蓋千級生產(chǎn)潔凈間、立體庫房以及測試實驗室等多項設施。項目完工后，有望大幅增強PECVD、SACVD、HDPCVD等高端設備的產(chǎn)量，滿足未來市場對這些設備的大量需求，進而推動企業(yè)持續(xù)擴大業(yè)務規(guī)模，加強競爭優(yōu)勢。

本次建設計劃，主要源于兩個方面：一是符合國家經(jīng)濟發(fā)展策略，有助于鞏固拓荊科技在行業(yè)中的領先地位；二是適應了市場需求變化，幫助他們抓住市場機遇。

項目預計投資額：全部投資約為11億元人民幣，其中拓荊科技出資3.8億元，拓荊創(chuàng)益則投資7.2億元。

預期投資渠道：拓荊科技擬減少已承諾投入的首發(fā)募投項目“先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目”和超募資金投資項目“半導體先進工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”的預算，共計2.5億元，用于該新建項目。剩余部分均由拓荊科技與拓荊創(chuàng)益自行承擔。