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JEDEC發(fā)布GDDR7顯存標(biāo)準(zhǔn),帶寬提高兩倍,最高達(dá)192GB/s

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-06 10:31 ? 次閱讀
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3月6日消息,固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)JEDEC近日公布了全新的JESD239 GDDR7顯存標(biāo)準(zhǔn)(Graphics Double Data Rate),相比GDDR6,新規(guī)帶來了雙倍的帶寬表現(xiàn),單機(jī)承載能力最高可達(dá)每秒192GB。

據(jù)了解,JESD239 GDDR7首次采用了脈幅調(diào)制(Pulse Amplitude Modulation,PAM)接口以實(shí)現(xiàn)高效的高頻操作,增強(qiáng)了信號噪聲比,降低能源消耗。該標(biāo)準(zhǔn)利用三級(+1,0,-1)的2周期交互傳輸3比特?cái)?shù)據(jù),相較于傳統(tǒng)的NRZ(非歸零碼)接口的2周期交互傳輸2比特,顯著提升了每個(gè)循環(huán)的數(shù)據(jù)吞吐量,進(jìn)而提升整體性能。

該標(biāo)準(zhǔn)還具備以下高端特性:

核心獨(dú)立LFSR(線性反饋移位寄存器)訓(xùn)練模式配備眼睛屏蔽和錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器,能有效提高訓(xùn)練精度并縮短訓(xùn)練時(shí)間。

獨(dú)立通道數(shù)量由GDDR6的兩個(gè)翻番至四個(gè)。

支持16至32 Gbit的密度跨度,包含2通道模式,以此提高系統(tǒng)容量。

加入最新數(shù)據(jù)完整性功能,包括實(shí)時(shí)報(bào)告的片上糾錯(cuò)、數(shù)據(jù)中毒、錯(cuò)誤檢查及清除及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)(CAPARBLK),滿足RAS( reliability、availability、serviceability)的市場需求。

JEDEC董事會(huì)主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7代表著高速顯存設(shè)計(jì)的一大突破。轉(zhuǎn)向PAM3信號,為顯存產(chǎn)業(yè)拓寬了GDDR設(shè)備性能提升的新路徑,助推圖形與各類高性能應(yīng)用保持持續(xù)發(fā)展。”

JEDEC GDDR小組委員會(huì)主席Michael Litt指出:“GDDR7顛覆以往僅關(guān)注帶寬,而是通過結(jié)合最新數(shù)據(jù)完整性功能以達(dá)到RAS市場要求,這些功能使GDDR設(shè)備更順利地滿足現(xiàn)有的云游戲和計(jì)算機(jī)處理等市場需求,并向AI領(lǐng)域拓展?!?/p>

此外,根據(jù)公告信息透露,AMD、美光、英偉達(dá)、三星、SK海力士均對這一標(biāo)準(zhǔn)表示全力支持。其中,三星和美光業(yè)已規(guī)劃下一代GDDR7模塊研發(fā)項(xiàng)目。三星設(shè)定的目標(biāo)時(shí)速為32 Gbps,這意味著性能提升率將達(dá)到1.6倍;美光方面,其目標(biāo)則是研發(fā)24 Gb+ 32 Gbps系列芯片。美光在近期的路線圖里亦表明,預(yù)計(jì)到2026年,將推出達(dá)到36 Gbps及24Gb+的顯存芯片產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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