韓國科技巨頭三星電子在高帶寬存儲技術(shù)（HBM）領域快速崛起，成功研發(fā)12層DRAm的HBM3E芯片后，有望取代現(xiàn)有領導者英偉達，成為該市場的唯一供應商。

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。

2024年2月份，美光率先宣布8層HBM3E投入大規(guī)模生產(chǎn)。緊接著，三星也公開宣傳已經(jīng)成功研發(fā)出36GB容量的12層HBM3E產(chǎn)品。值得注意的是，盡管體量更大，但是12層HBM3E仍舊保持著與8層HBM3E同等的厚度。

相較之下，12層版的HBM3E能夠提供高達1280GB/s的巨大帶寬。性能與容量比8層版本提升50%以上，有望在2024年末開始規(guī)模化量產(chǎn)。

盡管三星官方目前仍未公布HBM3E的量產(chǎn)計劃，但英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛早前出席GTC 2024時確認，三星的HBM產(chǎn)品處于驗證階段。許多人都在猜想，三星HBM3E很可能順利通過驗證期。

國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2024）期間，三星宣布即將推出的HBM4具備2TB/s的超高帶寬，相較之前的第五代HBM（HBM3E）提升幅度達到了驚人的66%，且輸入輸出（I/O）數(shù)量翻番。三星計劃在2026年大規(guī)模投產(chǎn)HBM4，這意味著更激烈的行業(yè)競爭與持續(xù)關(guān)注。