據可靠消息報道，全球知名科技巨頭 NVIDIA（NVDA）的重要供應商韓國 SK 海力士（SK Hynix）有意斥資高達 40 億美元，在美國印第安納州興建一座尖端芯片封裝制造中心。這一決策有望極大地提振美國總統(tǒng)拜登恢復美國半導體強國地位的威望。

據稱，新工廠地處普渡大學（Purdue University）附近，預計創(chuàng)造就業(yè)崗位800至1，000個，同時，普渡大學則是全美規(guī)模最大的半導體與微電子工程項目所在地之一。此外，SK 海力士還將享受到地方及聯(lián)邦稅費優(yōu)惠政策以及其他形式援助，助力其建立新的生產線。

據了解，該廠預計在2028年啟動運營。進而，SK 海力士即將召開董事會會議，對該項建廠計劃進行表決，盡早達成決定。值得強調的是，SK 海力士一度有考慮在亞利桑那州設廠，然而選擇印第安納州，其中一大原因即為普渡大學能夠供應充足的熟練工程師。

針對此事，SK 海力士的發(fā)言人回應稱，該公司正針對在美國投資建設高度集成電路封裝設施的可能性進行深入研究，但尚未做出明確決定。同樣值得關注的是，英國《金融時報》（FT）此前也曾對SK 海力士擬在印第安納州設立芯片包裝工廠的相關事宜進行過報道。

深度封裝制造是半導體制造流程的最后階段，也是拜登政府“美國芯片法案”（U.S. Chips Act）的核心環(huán)節(jié)，后者承諾未來數年內投入高達30億美元，用于鼓勵國內增加此類生產。SK 海力士此舉將為美國國內首次鋪設大規(guī)模HBM封裝生產線鋪平道路。HBM是運用最前沿的封裝技術及材料，將單個DRAM芯片高效地堆疊組合的核心技術，能在一瞬之間處理多達230部高清影片級別的龐大數據。

根據SemiAnalysis的最新預測，按存儲容量單位Gigabyte（GB）計算，SK 海力士占據了大約73%的HBM市場份額，緊隨其后的三星電子占比22%，愛達荷州的Micron Technology（MU-US）僅占據5%。SK 海力士目前仍在韓國生產和封裝其HBM芯片。

然而，國際商業(yè)策略咨詢公司International Business Strategies的Handel Jones認為，SK 海力士若在美國修建封裝工廠，估計成本相較于本土韓國工廠會稍有上升，但美國政府提供的財政獎勵金有助于抵消部分額外支出。