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臺積電將制造兩倍于當(dāng)今最大芯片尺寸的大型芯片,功率數(shù)千瓦

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-29 09:18 ? 次閱讀
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您是否認為AMD的Instinct MI300X以及NVIDIA的B200 GPU體積龐大?據(jù)報道,近日在北美的技術(shù)研討會上,臺積電透露其正在研發(fā)的CoWoS封裝技術(shù)新版本可以將系統(tǒng)級封裝(SiP)的尺寸擴大至原有的兩倍以上。預(yù)計這些封裝將采用120x120毫米的超大尺寸,耗電量也將高達數(shù)千瓦。

新版CoWoS技術(shù)使得臺積電能制造出比傳統(tǒng)光掩模(858平方毫米)大3.3倍的硅中介層。因此,邏輯電路、8個HBM3/HBM3E內(nèi)存堆棧、I/O及其他小型芯片(Chiplet)最多可占據(jù)2831平方毫米的面積。而最大的基板尺寸則為80×80毫米。AMD的Instinct MI300X和NVIDIA的B200均采用了這項技術(shù),雖然NVIDIA的B200芯片體積大于AMD的MI300X。

預(yù)計在2026年,臺積電將推出CoWoS_L技術(shù),該技術(shù)能將中介層的大小提升至約5.5倍的光掩模尺寸(盡管不及去年宣布的6倍)。這意味著4719平方毫米的面積可供邏輯電路、最多12個HBM內(nèi)存堆棧及其他小型芯片使用。這類SiP所需的基板尺寸更大,臺積電正在考慮采用100x100毫米的基板。因此,這類芯片將無法使用OAM模塊。

此外,臺積電表示,到2027年,他們將擁有新的CoWoS技術(shù),該技術(shù)將使中介層的尺寸達到光罩尺寸的8倍甚至更高,從而為Chiplet提供6864平方毫米的空間。臺積電設(shè)想的設(shè)計中包括四個堆疊式集成系統(tǒng)芯片(SoIC),搭配12個HBM4內(nèi)存堆棧和額外的I/O芯片。如此龐大的設(shè)備無疑將消耗大量電力,且需配備先進的散熱技術(shù)。臺積電預(yù)計此類解決方案將采用120x120毫米的基板。

值得注意的是,今年早些時候,博通展示了一款定制AI芯片,包含兩個邏輯芯片和12個HBM內(nèi)存堆棧。盡管我們尚未獲得該產(chǎn)品的詳細規(guī)格,但從外觀上看,它似乎比AMD的Instinct MI300X和NVIDIA的B200更為龐大,盡管仍未達到臺積電2027年計劃的水平。

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