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功率器件IGBT及國內(nèi)外IGBT企業(yè)

向欣電子 ? 2024-05-16 08:09 ? 次閱讀
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;(因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大(跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)))MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。(因?yàn)镸OS管有Rds,如果Ids比較大,就會導(dǎo)致Vds很大)IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣鳎约白冾l。(所以用在電動車上比較多)

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IGBT的應(yīng)用

IGBT最主要的作用就是高壓直流轉(zhuǎn)交流,以及變頻,在新能源汽車,智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

1、新能源汽車
IGBT是電動汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件,在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,主要作用于電動車汽車的充電樁、電動控制系統(tǒng)以及車載空調(diào)控制系統(tǒng)。
(1)電動控制系統(tǒng)
作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車電機(jī)的驅(qū)動;
(2)車載空調(diào)控制系統(tǒng)
作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變;
(3)充電樁
智能充電樁中被作為開關(guān)元件使用;

2、智能電網(wǎng)
智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端均需使用IGBT。
(1)發(fā)電端
風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需使用IGBT。
(2)輸電端
特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需大量使用IGBT。
(3)變電端
IGBT是電力電子變壓器的關(guān)鍵器件。
(4)用電端
家用白電、 微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。

3、軌道交通

眾所周知,交流傳動技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一,在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件,而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一,可以說該器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。

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國內(nèi)外IGBT企業(yè)

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公司名稱所在地城市產(chǎn)品類型
Infineon Technologies AG德國紐必堡IGBT分立器件和模塊、MOSFET、MCU
博世德國斯圖加特SIC、sensor
賽米控-丹弗斯(合并)德國IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、二極管
威科電子Vincotech德國電子功率模塊;IGBT、PIM模塊、六管模塊、半橋模塊
株式會社KEC韓國IGBT芯片、MOSFET
onsemi安森美美國IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器、高性能光電耦合器、光晶體管管光電耦合器、紅外線、TRIAC驅(qū)動光電耦合器;高能效連接、傳感、電源管理、分立及定制器件
Littelfuse美國IGBT模塊
富士電機(jī)日本IGBT模塊、分立IGBT、IGBT(EV HEV)
三菱電機(jī)日本IGBT模塊;S系列(第6代IGBT)、T/T1系列(第7代IGBT)
京瓷日本IGBT模塊,通用逆變器、變頻空調(diào)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)及混合動力車功率模塊產(chǎn)品
電裝日本IGBT模塊
日立功率半導(dǎo)體公司日本高壓IGBT / SiC、SiC MOSFET、高級溝槽HiGT - sLiPT
瑞薩電子日本LCD驅(qū)動器集成電路、智能卡微控制器、射頻集成電路(RF-IC)、大功率放大器、混合信號集成電路、系統(tǒng)級芯片(SoC)、系統(tǒng)級封裝(SiP)等產(chǎn)品
安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司安徽蕪湖市碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,芯片到封裝
合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司安徽合肥國產(chǎn)功率半導(dǎo)體(IGBT,SiC)模塊
安徽瑞迪微電子有限公司安徽蕪湖IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片
阿基米德半導(dǎo)體(合肥)有限公司安徽合肥營新能源汽車及光伏儲能充電用分立器件及模塊
泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司北京北京碳化硅功率器件
北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司北京北京氮化鎵功率器件及集成產(chǎn)品、碳化硅晶圓片及模塊
西人馬聯(lián)合測控有限公司(芯片)福建廈門MEMS芯片、數(shù)字芯片、DMD及功率器件
廈門中能微電子有限公司福建廈門VDMOS、超結(jié)MOS、SGT、Trench-FS IGBT單管及模組、FRED、碳化硅以及氮化鎵三代半系列產(chǎn)品等
比亞迪半導(dǎo)體有限公司廣東惠州產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等
深圳愛仕特科技有限公司廣東深圳車規(guī)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動器
深圳尚陽通科技有限公司(Fabless)廣東深圳功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)品;IGBT、SnowMOS、TTMOS、SiC系列產(chǎn)品
深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司廣東深圳產(chǎn)品線包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標(biāo)準(zhǔn)功率模塊(PIM)
深圳市芯威能半導(dǎo)體有限公司廣東深圳IGBT芯片、IGBT模塊
廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司廣東廣州IGBT/SiC功率模塊及離散式組件Discrete;車規(guī)級功率模塊、工業(yè)級功率模塊和分立器件等
深圳方正微電子有限公司(SIC)廣東深圳6寸SiC器件;功率分立器件(如DMOS、IGBT、SBD和FRD)和功率集成電路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)
深圳市依思普林科技有限公司廣東深圳IGBT模塊(車規(guī)級)、獨(dú)立電機(jī)控制器、動力總成系統(tǒng)
深圳云潼科技有限公司廣東深圳產(chǎn)品涵蓋IGBT、MOSFET、功率TVS和小功率器件
中微半導(dǎo)體(深圳)股份有限公司(芯片設(shè)計(jì))廣東深圳IGBT、MOSFET、電機(jī)驅(qū)動、柵極驅(qū)動
廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司廣東佛山主要產(chǎn)品包括高壓集成電路(HVIC)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、功率場效應(yīng)晶體管(PowerMOS)、微控制單元(MCU)、傳感器(Sensor)及其集成化
基本半導(dǎo)體廣東深圳SIC模塊
深華穎半導(dǎo)體(深圳)有限公司廣東深圳功率器件,
北一半導(dǎo)體科技(廣東)有限公司廣東深圳主要經(jīng)營功率半導(dǎo)體元器件,包括IGBT、PIM / IPM等產(chǎn)品
廣汽零部件(廣州)產(chǎn)業(yè)園有限公司廣東廣州IGBT封測
安建科技(深圳)有限公司(JSAB Technologies Limited)廣東深圳低電壓的SGT-MOSFET(分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、高電壓的SJ-MOSFET(超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
東莞森邁蘭電子科技有限公司(SIC)廣東東莞功率半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體模塊、新能源汽車逆變器、太陽能發(fā)電逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器、軌道交通逆變器變換器的核心組件
深圳市海思邁科技有限公司廣東深圳IGBT/MOSFET隔離驅(qū)動模塊
智新半導(dǎo)體有限公司(IGBT+SIC)湖北武漢IGBT模塊
湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司湖北襄陽大功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊、固態(tài)脈沖功率開關(guān)等功率半導(dǎo)體器件
武漢騏鴻科技有限公司湖北武漢SIC模塊
株洲中車時代電氣股份有限公司湖南株洲IGBT及FRD模塊,SiC芯片及器件
長沙瑤華半導(dǎo)體科技有限公司湖南長沙IGBT模組
吉林華微電子股份有限公司吉林吉林功率半導(dǎo)體器件及IC,包括IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等系列產(chǎn)品
江蘇長電科技股份有限公司江蘇江陰市碳化硅(SiC)功率模塊
南京銀茂微電子制造有限公司江蘇南京功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品
蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司江蘇蘇州IGBT芯片
江蘇宏微科技股份有限公司江蘇常州IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊
蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司江蘇蘇州IGBT、MOSFET、SiC
無錫利普思半導(dǎo)體有限公司江蘇無錫主要產(chǎn)品包括新能源汽車和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊
無錫新潔能股份有限公司(605111)江蘇無錫MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件
華潤微電子有限公司江蘇無錫產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域,芯片
江蘇索力德普半導(dǎo)體科技有限公司江蘇無錫Super Junction、IGBT、FRD、SGTMOS、SiC功率器件等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)、IGBT模塊設(shè)計(jì)、封測和應(yīng)用方案
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司江蘇揚(yáng)州產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號等
江蘇捷捷微電子股份有限公司江蘇啟東分立半導(dǎo)體器件IDM廠商
蘇州悉智科技有限公司江蘇蘇州產(chǎn)品定位車規(guī)級功率和電源模塊,市場定位為智能電動汽車和清潔能源(儲能&氫能),主打SIC
長城無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司江蘇無錫IGBT和SIC模塊
江蘇東海半導(dǎo)體科技股份有限公司江蘇無錫溝槽型功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET、超級結(jié)功率MOSFET、Trench FS-IGBT、超快恢復(fù)二極管
江蘇麗雋功率半導(dǎo)體有限公司(無錫)江蘇無錫產(chǎn)品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高頻器件等
國電南瑞科技股份有限公司江蘇南京IGBT模塊
蘇州固锝電子股份有限公司江蘇蘇州MOSFET及IGBT等部分產(chǎn)品
蘇州市核加微電子有限公司江蘇蘇州車規(guī)級IGBT模塊和AC-DC轉(zhuǎn)換模塊
南京晟芯半導(dǎo)體有限公司江蘇南京IGBT,SIC
江蘇中科君芯科技有限公司江蘇無錫IGBT、FRD等新型電力電子芯片
大生集成電路(江蘇)有限公司江蘇鹽城集成電路分立器件及IGBT功率模塊
德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司(代工)江西德興多款I(lǐng)GBT及配套的FRD產(chǎn)品
淄博美林電子有限公司山東淄博美林電子IGBT芯片模塊發(fā)布20230923
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司(芯片)山東青島IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件
煙臺臺芯電子科技有限公司山東煙臺34 mm、62 mm、Easy、Econo系列IGBT模塊
科達(dá)半導(dǎo)體有限公司山東東營IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件(電力電子器件);產(chǎn)品主要為600V和1200V電壓級IGBT單管及1200V IGBT模塊
威海新佳電子有限公司山東威海IGBT、MOSFET、FRD、可控硅、整流模塊、固態(tài)繼電器和智能模塊等產(chǎn)品
西安衛(wèi)光科技有限公司陜西西安MOSFER、IGBT、雙級型功率晶體管、晶閘管模塊、TVS、二極管和硅堆、硅橋等系列產(chǎn)品
芯派科技股份有限公司陜西西安產(chǎn)品包含:中大功率場效應(yīng)管(MOSFET,低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等
上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司上海上海車規(guī)級IGBT功率模塊,目前主推英飛凌HybridPACK Drive功率模塊
丹佛斯(上海)投資有限公司上海上海IGBT和SiC功率模塊和功率堆棧
飛锃半導(dǎo)體(上海)有限公司上海上海碳化硅(SIC)功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一
格羅烯科(上海)半導(dǎo)體有限公司上海上海格羅烯科致力于SiC單管和功率模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售,依托GeneSiC大中華區(qū)總代的優(yōu)勢,在保證了上游晶元長期穩(wěn)定供應(yīng)的前提下,發(fā)揮創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)在SiC領(lǐng)域多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及對市場的*把握,努力打造為國內(nèi)SiC功率器件領(lǐng)域具有較強(qiáng)競爭力的創(chuàng)新型科技企業(yè)。
致瞻科技(上海)有限公司上海上海碳化硅半導(dǎo)體器件和先進(jìn)電驅(qū)系統(tǒng)的高科技公司
瑞能微恩半導(dǎo)體(上海)有限公司上海上海碳化硅二極管,功率器件及模塊
上海功成半導(dǎo)體科技有限公司上海上海要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結(jié)SJ、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設(shè)計(jì)和研發(fā)。
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IXYS Semiconductor GmbH上海IGBT、MOSFET模塊、碳化硅、離散式二極管
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上海道之科技有限公司(斯達(dá)半導(dǎo)體子公司)上海上海功率半導(dǎo)體元器件尤其是可用于新能源汽車、工業(yè)控制和新能源等領(lǐng)域的IGBT芯片、FRD芯片、IGBT模塊及功率組件等
上海陸芯電子科技有限公司上海上海最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個系列產(chǎn)品
上海擎茂微電子科技有限公司(芯片)上海上海IGBT、FRD、RC-IGBT等新型電力電子芯片
上海金芯微電子上海上海IGBT,MOSFET等功率器件
上海先導(dǎo)均熠實(shí)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司上海/湖北上海/十堰中高壓IGBT功能開關(guān)生產(chǎn)線
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重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司重慶重慶產(chǎn)品包括MOS、SBD、SiC、IGBT、BJT、Power IC等功率半導(dǎo)體
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(文章來源:半導(dǎo)體圈子)

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    本書結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù),以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書的讀者對象,系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識,并選取和總結(jié)了
    發(fā)表于 07-14 17:32

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

    HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一:IGBT功率器件
    的頭像 發(fā)表于 07-08 17:31 ?2102次閱讀

    MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

    功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些
    的頭像 發(fā)表于 07-07 10:23 ?2818次閱讀
    MOSFET與<b class='flag-5'>IGBT</b>的選擇對比:中低壓<b class='flag-5'>功率</b>系統(tǒng)的權(quán)衡

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:43 ?1457次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與<b class='flag-5'>IGBT</b>為例

    國內(nèi)外電機(jī)結(jié)構(gòu) 工藝對比分析

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    發(fā)表于 05-29 14:06

    IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

    IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:55 ?1846次閱讀

    2025全球IGBT企業(yè)TOP 55!

    2025全球IGBT企業(yè)TOP 55!
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:38 ?718次閱讀
    2025全球<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>企業(yè)</b>TOP 55!

    功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-16 08:06 ?1632次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊:PPS注塑加工案例

    電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

    結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率
    的頭像 發(fā)表于 04-15 18:27 ?1327次閱讀
    電機(jī)控制中<b class='flag-5'>IGBT</b>驅(qū)動為什么需要隔離?

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外,還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗
    發(fā)表于 03-25 13:43

    功耗對IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

    在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題,始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:17 ?3.5w次閱讀
    功耗對<b class='flag-5'>IGBT</b>性能的影響,如何降低<b class='flag-5'>IGBT</b>功耗