91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SiC和GaN加速上車!2029年第三代半導體全球規(guī)模如何?Yole專家揭秘

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:章鷹 ? 2024-07-19 00:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,在慕尼黑上海電子展的論壇上,Yole Group化合物半導體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現場工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展趨勢及展望。

能源領域的三大趨勢顯現,帶動功率器件需求的變化

邱柏順指出,在全球追求綠色能源,減碳大目標下,全球能源領域有三大趨勢日益明顯:1、電氣化,任何東西都要變成電來驅動,第三代半導體可以帶來比較好的性能;2、全球主要地區(qū)使用綠色能源的比例顯著上升,包括光伏、風電落地加速;3、設備廠商使用器件達到更加節(jié)能的效果,新器件需要更高功率,系統(tǒng)功耗更小,碳排放量更小。

wKgZomaY6qiAJmEOAAJAfmkM1Uc420.jpg
圖1:能源轉變趨勢,電子發(fā)燒友拍攝


碳排放目標的降低,帶動系統(tǒng)需要更高的功率密度,器件功率更大。充電樁、光伏、儲能等未來系統(tǒng)的各個部分將有可能整合在一起,具有更高的集成度。充電樁部分,以往分立的功率器件為主,未來將會走向模塊化。還有一個趨勢,未來整個系統(tǒng)會更加智能化和數字化。

2029年SiC全球市場將達100億美元!GaN市場增長可期

邱柏順分享最新Yole數據,到 2029 年,預計 WBG 將占全球電力電子市場的近 33%,其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費電子、數據中心新能源汽車帶動GaN市場需求的增長,2029年GaN的市場容量會達到22億美元,未來5年復合增長率達到29%;受到工業(yè)和汽車應用的推動,SiC的市場容量2029年將達到100億美元。

wKgaomaY6rSAVqzsAAJe-r9R-Vk893.jpg
圖:GaN和SiC市場規(guī)模預測 電子發(fā)燒友拍攝


特斯拉Model3/ModelY車型采用了意法半導體的SiC MOSFET模塊,顯著提升車輛續(xù)航里程和性能。2020年,比亞迪高端車型“漢”搭載了SiC器件,預計2024年,比亞迪將在旗下的電動車中,實現SiC器件對硅級IGBT器件的全面替代,將整車性能在現有基礎上提升10%。

邱柏順表示,SiC 已逐漸在電動車主驅逆變器中扮演要角,2023年SiC全球市場已經達到27億美元,其中汽車占據70%到80%的市場,未來隨著電氣架構將往800V邁進,而耐高壓SiC 功率元件預料將成為主驅逆變器標配。此外,還有光伏、風電,這兩個領域對SiC需求,未來可以占據15%到20%的市場份額。

從新能源汽車看,國內新能源汽車占據全球50%以上的市場,消費者青睞新能源汽車,每臺新能源汽車與充電樁配比,達到2.5:1,對比歐美,中國市場的比例非常高。歐洲市場大約是11%的新能源汽車市場占有率,新能源汽車和充電樁比率達到8:1。國內SiC器件有巨大的應用市場空間,也驅動了上游半導體行業(yè)的快速發(fā)展。

據悉,比亞迪半導體的1200V/1040A SiC模塊在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅度提升了近30%。在電動汽車的快速發(fā)展帶動下,國產SiC模塊加速應用。以國家電網為例,雄安新區(qū)全SiC的電力電子柔性變電站,采用的國網全國產6500V/400A的SiC MOSFET模塊。

SiC正在從6英寸向8英寸發(fā)展,邱柏順指出了這個趨勢。國際方面,海外大廠Wolfspeed、英飛凌博世、onsemi等公司8英寸晶圓量產時間集中于2024年下半年至2026年期間。英飛凌在馬來西亞的8英寸碳化硅工廠將在2025年運行。

國內企業(yè),據中國國際招標網信息顯示,天科合達北京基地正在招標8英寸襯底量產線設備,包含加工產線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設備等產品。

邱柏順認為,GaN未來增長可期,未來5年市場規(guī)模將會達到22億美元。在市場應用方面,氮化鎵功率器件市場主要由消費電子所驅動,關鍵應用包括快速充電器、音頻、無線充電。邱柏順指出,未來GaN從低功率消費電子市場延伸至高功率數據中心、光伏逆變器、通信電源、新能源汽車等領域。目前氮化鎵在車載充電器、車載激光雷達市場頗具擴展?jié)摿Α?br />

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3720

    瀏覽量

    69385
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82226
  • 第三代半導體

    關注

    3

    文章

    179

    瀏覽量

    7851
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體

    深圳市薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產技術,開啟了在
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?614次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望三年內接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望三年內接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?384次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?251次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導體異質集成熱損傷難題

    關鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導體;異質集成;半導體設備;青禾晶元;半導體技術突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?374次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>異質集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎

    202512月4日,深圳高光時刻!由第三代半導體產業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數百家SiC&
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1013次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>市場開拓領航獎

    上海永銘:第三代半導體落地關鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導體落地關鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?332次閱讀

    第三代半導體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅是第三代半導體材料的代表;而半導體這個行業(yè)又過于學術,為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?514次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>碳化硅(<b class='flag-5'>Sic</b>)<b class='flag-5'>加速</b><b class='flag-5'>上車</b>原因的詳解;

    材料與應用:第三代半導體引領產業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領域實現
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?590次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?786次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET技術與應用

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?726次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2436次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?887次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)

    是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領域展現出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?886次閱讀
    是德示波器如何精準測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>SiC</b>的動態(tài)特性