91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2024-08-01 16:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達(dá)消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡稱德高化成)在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場打下第一根樁,標(biāo)志著德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工建設(shè)。

據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目是德高化成按照“十四五”發(fā)展戰(zhàn)略要求,結(jié)合國家半導(dǎo)體工程產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃打造的,通過在天津經(jīng)開區(qū)新建廠房,擴(kuò)充生產(chǎn)線,著眼全球市場,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售一體化運(yùn)營。項(xiàng)目總占地面積3562.1平方米,總建筑面積3685.92平方米,地上局部四層,局部地下一層,預(yù)計將于2025年3月建成。

項(xiàng)目建成后,德高化成將具備年產(chǎn)100萬片超薄LED熒光膠膜封裝材料,以及5,000KK CSP器件的先進(jìn)封裝制造能力。

資料顯示,德高化成成立于2008年,定位半導(dǎo)體封裝用高分子復(fù)合材料領(lǐng)域,主營業(yè)務(wù)分為半導(dǎo)體封裝材料、光電及顯示相關(guān)材料兩大板塊,客戶覆蓋半導(dǎo)體集成電路及功率器件封裝、LED及新型光學(xué)及顯示器件封裝兩大行業(yè)。公司于2015年1月22日登陸新三版資本市場,成為中國半導(dǎo)體封裝樹脂材料第一股。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    243

    文章

    24594

    瀏覽量

    690815
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54007

    瀏覽量

    465949
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9248

    瀏覽量

    148614
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82233
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?614次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?385次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?251次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?374次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?1013次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?332次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1422次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?591次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?787次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?726次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2436次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?887次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?886次閱讀
    是<b class='flag-5'>德</b>示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動態(tài)特性