受惠于人工智慧及云端運算對高效能運算的強勁需求，2018年伺服器出貨量可望創(chuàng)下新高，也帶動伺服器DRAM強勁需求，但以目前三大DRAM廠產能布建情況來看，主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整年，32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元，南亞科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產能已全賣光。

DRAM價格今年漲了一整年，但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮，舊有廠內擠出空間新增的產能，只是用來填補制程升級后的產能自然減損。

內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。

DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于狀態(tài)，產品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。

內存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。

美光預期，明年 DRAM 位供給將增加約 20%，市場環(huán)境仍將持續(xù)健康；NAND Flash 位供給則將增加近 50%，供給增加幅度將遠高于 DRAM。

由于缺貨壓力持續(xù)存在，2017年全球DRAM銷售金額逐季攀升，且近4季每季的DRAM銷售金額均刷新歷史紀錄。 據IC Insights估計，2017年第四季全球DRAM銷售金額將達到210.61億美元。

IC Insights分析，DRAM的供需缺口是全面性的，特別是服務器使用的高效能DRAM與智能型手機等行動裝置所使用的低功耗、高密度DRAM，缺貨情況相當明顯。

以全年度來看，2017年全球DRAM市場規(guī)模比2016年暴增74%，表現(xiàn)同樣可圈可點。 但IC Insights也警告，DRAM向來是個景氣暴起暴落的產業(yè)。 2018年三星（Samsung）與SK海力士（SK Hynix）都會有新的DRAM產能上線，且兩家公司都將有大手筆的資本支出。 因此，DRAM景氣的反轉向下，可能會在明后年出現(xiàn)。

但由需求面來看，雖然PC市場出貨量近幾年緩步下滑，但智慧型手機出貨量仍年年創(chuàng)下新高，而且三星明年推出的Galaxy S9將搭載6GB LPDDR4，將帶動智慧型手機行動式DRAM需求大幅成長。再者，人工智慧及云端運算帶動伺服器出貨，亦導致伺服器DRAM持續(xù)吃緊，明年恐缺貨一整年，價格則將維持逐季上漲趨勢。

集邦科技表示，平均一座資料中心可容納約8000至15000個伺服器機架，而每個機架可搭載4臺以上不同尺寸的伺服器，據估算將會消耗約1000～2000萬GB的伺服器DRAM，約折合31～62萬條32GB模組。

集邦表示，驅動伺服器DRAM需求動能的要素，除了英特爾與超微新伺服器平臺轉換推波助瀾外，還有來自北美網路服務業(yè)者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新資料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成長率持續(xù)居于各種DRAM規(guī)格之首且上看28.6％。

由于記憶體供給吃緊態(tài)勢尚未改變，2017年整體伺服器DRAM合約價將上揚近4成，明年第一季伺服器DRAM合約價將再漲5～8％。在主流模組報價方面，一線廠32GB DDR4伺服器模組將來至300美元大關，二線廠更會高于此價格水位，使得明年第一季度價格將會維持在相對高點。

伺服器DRAM缺貨且價格看漲，南亞科第四季採用20奈米投產8Gb DDR4并陸續(xù)獲得客認證，明年將重返伺服器DRAM市場，除供貨給戴爾、惠與（HPE）、聯(lián)想、浪潮等伺服器大廠，也獲廣達、緯創(chuàng)等ODM廠下單，明年上半年伺服器DDR4產能已全數賣光。