英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650 V G5，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推出，不僅為消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)提供了新的技術(shù)選擇，也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統(tǒng)、電視、數(shù)據(jù)中心和電信整流器，以及可再生能源和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用提供了支持。

CoolGaN 650 V G5晶體管旨在直接替代CoolGaN晶體管600 V G1，旨在促進(jìn)現(xiàn)有平臺(tái)的迅速重新設(shè)計(jì)。這一新一代產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上進(jìn)行了優(yōu)化，確保其在關(guān)鍵應(yīng)用中的開關(guān)性能具有競爭力。相較于之前的產(chǎn)品系列，CoolGaN 650 V G5在多個(gè)性能指標(biāo)上都顯著提升，例如輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)減少了50%，漏源電荷(Qoss)減少了60%，而柵極電荷(Qg)同樣減少了60%。這些顯著的改進(jìn)使得其在軟開關(guān)和硬開關(guān)應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的效率，功率損耗相比傳統(tǒng)硅技術(shù)大幅降低，降低范圍在20%至60%之間，這一幅度取決于具體應(yīng)用場景。

除了效率的提升，CoolGaN 650 V G5的高頻運(yùn)行能力也得到了增強(qiáng)，使得器件在保持極低功率損耗的同時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的功率密度。這一特性使得SMPS應(yīng)用在體積上更小、更輕，或者在特定外形尺寸內(nèi)能夠擴(kuò)展輸出功率范圍，從而為工程師在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)提供更多靈活性。

新推出的高壓晶體管系列還提供了多種RDS(on)封裝組合選擇，以滿足不同應(yīng)用需求。ThinPAK 5×6、DFN 8×8、TOLL和TOLT等封裝類型均屬于提供多達(dá)十種RDS(on)類別的SMD封裝。這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上制造，而英飛凌未來還計(jì)劃將CoolGaN產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn)，這將進(jìn)一步增強(qiáng)其CoolGaN的產(chǎn)能，確保氮化鎵功率市場的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。

根據(jù)Yole Group的預(yù)測，GaN功率市場預(yù)計(jì)到2029年將達(dá)到20億美元，英飛凌憑借CoolGaN 650 V G5的推出，正積極布局這一快速發(fā)展的市場。公司希望通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化，為客戶提供更高效、更可靠的解決方案，以滿足未來市場的需求。

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