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MS2111——多點(diǎn)低壓差分(M-LVDS)線路驅(qū)動(dòng)器和接收器

王子文 ? 來(lái)源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-12-04 11:18 ? 次閱讀
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產(chǎn)品簡(jiǎn)述

MS2111 是多點(diǎn)低壓差分(M-LVDS)線路驅(qū)動(dòng)器接收器。經(jīng)過(guò)

優(yōu)化,可運(yùn)行在高達(dá) 200Mbps 的信號(hào)速率下。所有部件均符合 M

LVDS 標(biāo)準(zhǔn) TIA / EIA-899。該驅(qū)動(dòng)器的輸出支持負(fù)載低至 30Ω 的多

點(diǎn)總線。

MS2111 的接收器屬于 Type-2, 可在-1V 至 3.4V 的共模電壓范

圍內(nèi),通過(guò)低至 50mV 的差分輸入電壓,來(lái)檢測(cè)總線狀態(tài)。Type-2

接收器具有一個(gè)偏移閾值,在開(kāi)路、空閑總線和其他故障情況

下,提供已知的輸出狀態(tài) 。

wKgZPGdPxEeARtzKAABiMQX9j1I117.png

主要特點(diǎn)

?低壓差分 30Ω 至 55Ω 線路驅(qū)動(dòng)器和接收器,

信號(hào)速率高達(dá) 200Mbps

?單電源 3.3V 供電

?Type-2 型接收器提供偏移(100mV)閾值,以檢測(cè)達(dá)到或超過(guò)用

于多點(diǎn)數(shù)據(jù)交換的 M-LVDS 標(biāo)準(zhǔn) TIA / EIA-899

?-1V 至 3.4V 共模電壓范圍允許 2V 接地噪聲的數(shù)據(jù)傳輸

?禁用或 VCC≤1.5V 時(shí),總線引腳為高阻抗

?M-LVDS 總線上電/掉電無(wú)毛刺

應(yīng)用

?TIA/EIA-485 低功耗、高速、短距離的替代方案

?背板或有線多點(diǎn)數(shù)據(jù)和時(shí)鐘傳輸

?打印機(jī)蜂窩基站

?中心交換機(jī)

?網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器

產(chǎn)品規(guī)格分類(lèi)

wKgZO2dPxIyAJuQ9AAAYr_XLS1s438.png

管腳圖

wKgZO2dPxMOAP-IeAAAmASPlEiw702.png

管腳說(shuō)明

wKgZO2dPxPKAdQ7NAACtt3i58ho470.png

內(nèi)部框圖

wKgZPGdPxQeAVn-xAAAuYANM4TY906.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過(guò)極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對(duì)器件造成永久的損壞,芯片長(zhǎng)時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測(cè)試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

wKgZO2dPxR-AHxhCAACee0_3ZLQ403.png

推薦工作條件

wKgZPGdPxVWAdFXlAACl5XXPyHY449.png

電氣參數(shù)

除非另外說(shuō)明,所有電源電壓:3.3V±10%,T=A=25°C

wKgZPGdPxW2AAOkUAALO-lsLjaI826.png

如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGdPxYiAUP6cAAJzIcJHOR8804.png

wKgZPGdPxkeAauL4AAJRPFhK12Y145.png

wKgZPGdPxl2ABwBYAAE__en2jnc923.png

說(shuō)明:1. 所有輸入脈沖具有以下特點(diǎn):上升時(shí)間 tR和下降時(shí)間 tF均小于等于 1ns,頻率為 500kHz,

占空比位于 45% ? 55%區(qū)間。

2. 電容 C1、C2、C3 和 C4 均包括測(cè)量?jī)x器和布線等的總電容,且放置于待測(cè)器件 2cm 以內(nèi)。

3. R1 和 R2 是貼片電阻,誤差 1%,且放置于待測(cè)器件 2cm 以內(nèi)。

4. VOS(PP)的測(cè)量,要求測(cè)試儀的-3dB 帶寬至少 1GHz。

wKgZO2dPxn6AA8azAAElg-2NxOM970.png

wKgZO2dPxpOAZHA7AAJd84xoFR0907.png

wKgZPGdPxqqAbUqGAAEB3jt-sCw023.png

圖 10 的說(shuō)明:

1. 所有輸入脈沖具有以下特點(diǎn):上升時(shí)間 tR和下降時(shí)間 tF均小于等于 1ns,頻率為 500kHz,

占空比位于 45%?55%之間。

2.電阻 R1 是誤差為 1%的金屬薄膜貼片電阻,且放置于待測(cè)器件 2cm 以內(nèi)。

3. CL是誤差 20%、無(wú)損耗陶瓷貼片電容,且放置于待測(cè)器件 2cm 以內(nèi)。

4. R2 放置于待測(cè)器件 15cm 以內(nèi)。

wKgZPGdPxtCAOyxhAAJr4HSLwZA536.png

如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

wKgZPGdPxuCAEtXoAAIlu-o3qDQ330.png

應(yīng)用圖

wKgZO2dPxvOAJzx4AABmgPxZMig645.png

封裝外形圖

SOP8

wKgZPGdPxxaABQSQAAFqk8tnWLs522.png

——愛(ài)研究芯片的小王

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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