此前，12月11日-12月12日，ICCAD-EXPO中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)在上海世博展覽館盛大開幕，作為中國(guó)半導(dǎo)體界最具影響力的行業(yè)盛會(huì)之一，現(xiàn)場(chǎng)集合了國(guó)內(nèi)外上下游廠商，為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的企業(yè)營(yíng)造一個(gè)交流與合作的平臺(tái)，為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)構(gòu)筑在技術(shù)、市場(chǎng)、應(yīng)用、投資等領(lǐng)域交流合作的平臺(tái)。

東芯半導(dǎo)體也首次參加亮相了ICCAD-EXPO ，現(xiàn)在就來帶大家看看現(xiàn)場(chǎng)精彩吧！

賦能產(chǎn)品+生態(tài)+質(zhì)量融合發(fā)展

共筑創(chuàng)芯路

東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊在演講中結(jié)合目前存儲(chǔ)市場(chǎng)現(xiàn)狀和東芯半導(dǎo)體作為本土存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司的角度，為大家解析如何賦能產(chǎn)品+生態(tài)+質(zhì)量融合發(fā)展，共筑創(chuàng)芯路。

1市場(chǎng)現(xiàn)狀

全球市場(chǎng)：

2023年全球市場(chǎng)規(guī)模約為903.7億美元，同比下降35%。隨著AI算力需求的提升，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將快速增長(zhǎng)，2024年全球市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步增長(zhǎng)至1529億美元。

中國(guó)市場(chǎng)：

2023年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為5400億元。

當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI服務(wù)器帶來存儲(chǔ)芯片新的增量需求，2024年市場(chǎng)規(guī)模將恢復(fù)增長(zhǎng)至5513億元。

利基型市場(chǎng)：

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重心從美國(guó)、日本向韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣轉(zhuǎn)移，再進(jìn)一步向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，促進(jìn)了中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能的增長(zhǎng)和產(chǎn)業(yè)調(diào)整優(yōu)化?。

加以政府政策支持、全球化轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)下游需求增長(zhǎng)、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同合作以及數(shù)據(jù)安全體現(xiàn)了芯片國(guó)產(chǎn)替代的重要性幾方面驅(qū)動(dòng)行業(yè)發(fā)展。

同時(shí)，隨著科技發(fā)展的快速迭代，目前主流的存儲(chǔ)芯片需要具備高集成度、多樣化、低功耗和高可靠性幾項(xiàng)技術(shù)特征。

那我們接下來就結(jié)合我們作為本土存儲(chǔ)設(shè)計(jì)企業(yè)的角度，

為大家淺析一下 我們是如何在創(chuàng)芯路不斷探索實(shí)踐的。

2東芯半導(dǎo)體

作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。? ??

1六大產(chǎn)品矩陣

NAND Flash:

聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計(jì)與研發(fā)，

存儲(chǔ)容量覆蓋512Mb至32Gb，

可靈活選擇SPI或PPI類型接口，

搭配3.3V/1.8V兩種電壓，

滿足客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

NOR Flash：

存儲(chǔ)容量覆蓋64Mb至1Gb，支持 Single/Dual/Quad SPI和 QPI四種指令模式、 DTR傳輸模式和多種封裝方式。普遍應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域。

DRAM:

DDR3(L)：

可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品，具有高帶寬、

低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

LPDDR1/2/4X：

LPDDR1/2/4X系列產(chǎn)品具有低功耗和高傳輸速度等特點(diǎn)，最大時(shí)鐘頻率可達(dá)2133MHz，適用于智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品。

MCP:

產(chǎn)品具有NAND Flash和DDR多種容量組合，F(xiàn)lash和DDR均為低電壓的設(shè)計(jì)，核心電壓1.8V可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。

其中，DDR包含LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x等不同規(guī)格，為用戶提供更加靈活和豐富的選擇。MCP通過將低功耗DRAM和NAND Flash進(jìn)行合封，簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省組裝空間，提高整體集成度和可靠性，適用于PCB布板空間狹小的應(yīng)用。

1構(gòu)建供應(yīng)鏈布局

東芯半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)全球化運(yùn)營(yíng)布局，構(gòu)建完整生態(tài)體系，以“存儲(chǔ)”為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，拓展行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。

供應(yīng)鏈構(gòu)建：

我們一直秉持“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈布局，堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略,積極拓展境內(nèi)外雙代工模式,在搭建和完善自主可控的國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈體系的同時(shí)，與國(guó)內(nèi)外的供應(yīng)商建立了互助、互利、互信的合作關(guān)系，保證了供應(yīng)鏈運(yùn)轉(zhuǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

市場(chǎng)布局：

我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備和移動(dòng)終端等領(lǐng)域。我們也持續(xù)聚焦高附加值產(chǎn)品，目前我們SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有產(chǎn)品通過AEC-Q100測(cè)試，將適用于更嚴(yán)苛的車規(guī)環(huán)境。

1把控質(zhì)量管理

我們以“品質(zhì)”、“競(jìng)爭(zhēng)力”、“客戶滿意”、“持續(xù)改進(jìn)”為公司質(zhì)量方針，不斷優(yōu)化服務(wù)流程和運(yùn)營(yíng)系統(tǒng)，持續(xù)提升相應(yīng)的產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)質(zhì)量管理體系，能夠?yàn)槿蚩蛻舻谝粫r(shí)間提供高效的服務(wù)支持。公司持續(xù)加強(qiáng)產(chǎn)品可靠性及生產(chǎn)制程的監(jiān)控力度并建立了優(yōu)秀的客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)，將客戶服務(wù)理念貫穿到產(chǎn)品研發(fā)至售后的各個(gè)環(huán)節(jié)，在內(nèi)部形成良好的處理閉環(huán)，并持續(xù)提升客戶服務(wù)管理能力。

東芯，為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案！

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù)，專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力，通過國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作，致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。