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行芯科技亮相ICCAD-Expo 2025

行芯PHLEXING ? 來源:行芯PHLEXING ? 2025-11-28 15:12 ? 次閱讀
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11月20-21日,以“開放創(chuàng)芯,成就未來”為主題的ICCAD-Expo 2025在成都圓滿落幕。本次盛會(huì)不僅是行業(yè)交流的頂級(jí)平臺(tái),更成為展示中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要窗口。作為半導(dǎo)體簽核領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),行芯科技深度參與其中,攜全新升級(jí)的Glory Signoff一站式簽核平臺(tái)及全系列軟件工具亮相,以自主可控、技術(shù)領(lǐng)先的簽核解決方案,與業(yè)界同仁共探產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新之路。

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產(chǎn)業(yè)高速增長(zhǎng)下的核心挑戰(zhàn):可靠簽核成剛需

大會(huì)伊始,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍教授發(fā)布了權(quán)威的《中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展報(bào)告》,報(bào)告指出中國(guó)芯片設(shè)計(jì)業(yè)年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)19.6%,并預(yù)測(cè)會(huì)邁向萬億規(guī)模。這種爆發(fā)式增長(zhǎng)背后是設(shè)計(jì)的極致復(fù)雜化:AI芯片、大算力車載芯片等正迅速采用3DIC等高端工藝。設(shè)計(jì)越復(fù)雜,簽核環(huán)節(jié)的準(zhǔn)確性就越成為項(xiàng)目成敗的生命線。一次流片失敗的成本動(dòng)輒數(shù)千萬,在“速度與質(zhì)量”的雙重壓力下,產(chǎn)業(yè)對(duì)高精度、高可靠性Signoff工具的需求變得前所未有的迫切。

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行芯科技:以自主可控的簽核基石,支撐產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新

行芯科技深耕Signoff EDA核心技術(shù)多年,其打造的全系列工具鏈正是為應(yīng)對(duì)這一核心挑戰(zhàn)而生。我們深刻理解,一個(gè)持續(xù)高速增長(zhǎng)、邁向高端的產(chǎn)業(yè),必須建立在自主可控的底層工具鏈之上。行芯科技的全系列工具不僅實(shí)現(xiàn)了技術(shù)自主,更精準(zhǔn)匹配了3DIC等前沿架構(gòu)的簽核需求,旨在為先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)降低研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)、加速產(chǎn)品落地提供堅(jiān)實(shí)支撐。

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3DIC Signoff三大核心優(yōu)勢(shì)破解行業(yè)痛點(diǎn)

針對(duì)3DIC芯片堆疊帶來的耦合寄生、信號(hào)/電源完整性等簽核難題,行芯科技在分論壇帶來《后摩爾時(shí)代3DIC Signoff破局之道》主題演講,詳細(xì)介紹行芯自研的業(yè)內(nèi)首個(gè)多Die Face-to-Face晶圓堆棧設(shè)計(jì)中的寄生參數(shù)并行提取和EM/IR解決方案,在純國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝3DIC芯片Tapeout中的應(yīng)用實(shí)踐。GloryEX實(shí)現(xiàn)高精度的跨層芯片電容提取與網(wǎng)表仿真驗(yàn)證,確保3DIC芯片在Signoff環(huán)節(jié)的數(shù)據(jù)基石,GloryBolt,GloryEye和PhyBolt從PI、SI、Power、Thermal等多維度為3DIC設(shè)計(jì)提供全方位簽核驗(yàn)證。GloryEX和GloryBolt憑借高精度、高效率、全場(chǎng)景覆蓋的幾大技術(shù)優(yōu)勢(shì)引起行業(yè)關(guān)注:

異構(gòu)集成寄生參數(shù)提取值與上下層芯片整體提取值對(duì)比精度控制在3%以內(nèi)。

支持面對(duì)面 (Face-to-Face,F(xiàn)2F) 晶圓堆棧3DIC設(shè)計(jì)寄生參數(shù)提取,支持高密度混合鍵合(Hybrid Bonding, HB)并支持TSV建模,通過分層提取與網(wǎng)表融合技術(shù),實(shí)現(xiàn)跨芯片時(shí)序簽核驗(yàn)證閉環(huán)。

支持高精度Field Solver和快速圖形匹配方式提取3DIC界面電容,滿足精度和效率的不同需求。基于GTF可實(shí)現(xiàn)不同晶圓廠不同工藝芯片的CAPTAB數(shù)據(jù)庫融合,生成新的適用3DIC提取的CAPTAB,有效解決了多源數(shù)據(jù)統(tǒng)一與協(xié)同設(shè)計(jì)的難題。

3DIC EM/IR驗(yàn)證突破HB容量限制,通過算法創(chuàng)新,原生支持WoW堆疊形式高頻信號(hào)Die間傳輸耦合,以定制化方案適配國(guó)產(chǎn)設(shè)計(jì)和工藝在電源完整性驗(yàn)證需求。

構(gòu)建功耗-熱集成仿真框架,實(shí)現(xiàn)3DIC設(shè)計(jì)早期熱可行性分析介入,在多Die設(shè)計(jì)中為不同散熱方案評(píng)估可行性,在物理設(shè)計(jì)后同步完成功耗簽核和熱簽核。

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展望未來,行芯科技將繼續(xù)秉持“開放創(chuàng)芯”的理念,堅(jiān)定不移地投入Signoff EDA核心技術(shù)的研發(fā)。期待與全球產(chǎn)業(yè)鏈伙伴深化合作,以自主可控、技術(shù)過硬的全系列簽核工具鏈,共同賦能中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力,成就數(shù)字時(shí)代的新未來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:開放創(chuàng)芯,成都論劍!ICCAD 2025見證國(guó)產(chǎn)簽核工具新高度

文章出處:【微信號(hào):Phlexing,微信公眾號(hào):行芯PHLEXING】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    <b class='flag-5'>芯</b>原精彩<b class='flag-5'>亮相</b><b class='flag-5'>ICCAD-Expo</b> <b class='flag-5'>2025</b>

    聚成都 | 進(jìn)迭時(shí)空邀您共赴 ICCAD-Expo 2025

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