從賦能聊天機(jī)器人快速生成回答的生成式人工智能工具，到支持金融預(yù)測(cè)和天氣建模的高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用，我們對(duì)處理能力的需求顯然達(dá)到了新的高度。面對(duì)這些計(jì)算密集型工作負(fù)載，單片SoC已不再能夠滿足當(dāng)今的處理需求。為此，我們不斷創(chuàng)新工程技術(shù)，Multi-Die系統(tǒng)也應(yīng)運(yùn)而生。這種在單一封裝中實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成的技術(shù)突破，不僅帶來(lái)了更優(yōu)越的系統(tǒng)功耗和性能，還提高了產(chǎn)品良率，加速了更多系統(tǒng)功能的整合。

Multi-Die系統(tǒng)承擔(dān)著如此重要的角色，那開(kāi)發(fā)者又該如何確保它們?cè)谡麄€(gè)生命周期內(nèi)穩(wěn)健可靠呢？

芯片測(cè)試對(duì)于任何芯片設(shè)計(jì)而言都至關(guān)重要。Multi-Die系統(tǒng)更是如此，需要對(duì)裸片到系統(tǒng)級(jí)執(zhí)行全面測(cè)試，其中包括將各組件連接在一起的所有互連技術(shù)，例如通用芯?；ミB技術(shù)（UCIe）。在這篇文章中，我們將深入探討Multi-Die系統(tǒng)的獨(dú)特問(wèn)題，以及如何通過(guò)測(cè)試和芯片生命周期管理來(lái)確保這些復(fù)雜的設(shè)計(jì)能夠按預(yù)期可靠地工作。開(kāi)發(fā)者如需獲得更多見(jiàn)解，還可以觀看我們的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)系列：“成功實(shí)現(xiàn)Multi-Die系統(tǒng)所需具備的條件”（共六個(gè)部分）。該系列網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)介紹了Multi-Die系統(tǒng)的趨勢(shì)和挑戰(zhàn)、早期架構(gòu)設(shè)計(jì)、協(xié)同設(shè)計(jì)和系統(tǒng)分析、Die-to-Die連接、驗(yàn)證及系統(tǒng)健康狀況等等。

從裸片到系統(tǒng)的全面芯片測(cè)試

許多因素都會(huì)影響芯片的性能，溫度、老化和退化只是其中的一部分。對(duì)于Multi-Die系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，老化風(fēng)險(xiǎn)甚至更高，因?yàn)橐粋€(gè)裸片發(fā)生故障可能會(huì)導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)失效，造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。在裸片層面排除缺陷是一個(gè)很好的開(kāi)始。每個(gè)生產(chǎn)的裸片都將經(jīng)歷專(zhuān)門(mén)的測(cè)試流程，以確保百萬(wàn)分比缺陷率（DPPM）非常低。測(cè)試自動(dòng)化流程負(fù)責(zé)測(cè)試和診斷器件的數(shù)字、內(nèi)存和模擬部分。這其中的挑戰(zhàn)在于找到所需測(cè)試向量數(shù)量和相關(guān)成本之間的平衡點(diǎn)，以期獲得理想結(jié)果。

檢查每個(gè)裸片很重要，在系統(tǒng)層面評(píng)估整個(gè)系統(tǒng)也很重要。Multi-Die系統(tǒng)可以將不同工藝節(jié)點(diǎn)、不同用途的裸片或芯粒組合在一起。因此，一個(gè)系統(tǒng)可能包含運(yùn)行溫度或散熱水平不同的多個(gè)裸片。此外，裸片之間的電磁干擾以及電遷移也可能造成問(wèn)題。

對(duì)于Multi-Die系統(tǒng)，全面而徹底的預(yù)組裝測(cè)試環(huán)節(jié)，可以篩選出已知良好裸片（KGD）。設(shè)計(jì)模塊內(nèi)置的高級(jí)可測(cè)性設(shè)計(jì)（DFT）功能可以評(píng)估裸片。對(duì)各個(gè)裸片進(jìn)行測(cè)試，并在必要時(shí)進(jìn)行修復(fù)后，設(shè)計(jì)就進(jìn)入了組裝和鍵合階段。部分或全部鍵合內(nèi)存和邏輯芯片之后，就可以測(cè)試互連了。

降低芯?；ミB的功耗并提升其性能

Die-to-Die接口使裸片可以并排放置，為了進(jìn)一步提高密度，還可以堆疊在2.5D或3D封裝中。如果兩個(gè)裸片之間提供數(shù)據(jù)接口的功能塊（即接口），可以兼具高帶寬、低功耗和低延遲特性，系統(tǒng)性能就能得到提升。

Die-to-Die連接通?；诟咚俳涌冢鏤CIe，該接口有望成為Multi-Die系統(tǒng)的優(yōu)選互連標(biāo)準(zhǔn)，也是行業(yè)唯一具有完整的Die-to-Die接口工具套件的標(biāo)準(zhǔn)。UCIe適用于2D、2.5D未來(lái)的3D封裝，支持目前每引腳8 Gbps到16 Gbps的大部分設(shè)計(jì)，非常適合從網(wǎng)絡(luò)連接到超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的高帶寬應(yīng)用。對(duì)于3D設(shè)計(jì)，由于互連更短，使得硅通孔（TSV）更加脆弱，因此互連級(jí)風(fēng)險(xiǎn)更高。

Multi-Die系統(tǒng)開(kāi)發(fā)者需要避免互連中的固定型故障、開(kāi)路或短路，同時(shí)確保時(shí)序和電壓方面的行為正確。由于涉及超高速信號(hào)，信號(hào)完整性成為了指示裸片間數(shù)據(jù)共享有效性的重要參數(shù)，所以通過(guò)測(cè)量和監(jiān)控來(lái)檢測(cè)信號(hào)衰減水平非常重要。UCIe要求在PHY的兩側(cè)之間提供冗余通道，從而支持通過(guò)這些額外的通道實(shí)現(xiàn)故障修復(fù)。基于UCIe系統(tǒng)中的所有裸片都必須通過(guò)UCIe通道進(jìn)行訪問(wèn)、測(cè)試和修復(fù)，以便能夠監(jiān)控裸片中正在發(fā)生的問(wèn)題。

鍵合后測(cè)試可以解決一些要求切換互連通道的互連層面問(wèn)題，還可以通過(guò)算法測(cè)試來(lái)評(píng)估互連缺陷。2.5D和3D互連有不同的算法集，而且測(cè)試是基于互連的缺陷。故障模型將決定所要應(yīng)用的算法測(cè)試。

貫穿系統(tǒng)生命周期的智能監(jiān)控和分析

Multi-Die系統(tǒng)具有微小的微凸塊，這些微凸塊彼此非?？拷?，因此無(wú)法通過(guò)物理探測(cè)進(jìn)行測(cè)試。例如，對(duì)于UCIe，微凸塊的間距為25至55微米，而探測(cè)距離通常為90微米。更好的辦法是通過(guò)內(nèi)置自測(cè)（BIST）進(jìn)行電子探測(cè)，從而檢測(cè)那些需要采取糾正措施的軟錯(cuò)誤或硬錯(cuò)誤?；蛘咭部梢允褂迷陬A(yù)組裝階段集成的專(zhuān)用晶圓測(cè)試焊盤(pán)。

當(dāng)系統(tǒng)處于開(kāi)發(fā)階段以及在現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)，芯片生命周期管理（SLM）方法就很有用。這種方法通過(guò)在芯片上集成傳感器和監(jiān)控器來(lái)評(píng)估各種參數(shù)，例如溫度、電壓、老化和退化程度。集成SLM IP技術(shù)與分析智能后，可以將從器件傳感器和監(jiān)控器收集的大量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為可操作的系統(tǒng)優(yōu)化洞察。

那么SLM技術(shù)如何識(shí)別熱問(wèn)題呢？無(wú)論是單個(gè)裸片還是Multi-Die系統(tǒng)，熱管理問(wèn)題都不容忽視。在設(shè)計(jì)階段，由于沒(méi)有實(shí)際工作負(fù)載，開(kāi)發(fā)者很難評(píng)估這些問(wèn)題。再加上2.5D或3D架構(gòu)的復(fù)雜性后，更是很難得到最終設(shè)計(jì)的熱曲線。以下是SLM能發(fā)揮作用的情況。布置在裸片重點(diǎn)位置的片上監(jiān)控器讓開(kāi)發(fā)者有機(jī)會(huì)深入了解和分析裸片的熱特性，并且可以在需要調(diào)整布局以解決散熱問(wèn)題時(shí)提供指示信號(hào)。同樣，深入了解熱效應(yīng)還可能促使開(kāi)發(fā)者做出降低系統(tǒng)高帶寬內(nèi)存（HBM）組件數(shù)據(jù)速率的決策?；蛘?，可能還可以通過(guò)軟件來(lái)緩解散熱問(wèn)題。借助監(jiān)控器提供的數(shù)據(jù)，開(kāi)發(fā)者可以分析并確定更優(yōu)糾正方案。

SLM技術(shù)還提供可追溯性，即無(wú)論最終產(chǎn)品在生命周期中何時(shí)出現(xiàn)問(wèn)題，它都能追溯到問(wèn)題的根源。例如，假設(shè)在試制過(guò)程的某個(gè)環(huán)節(jié)發(fā)現(xiàn)良率異常，此時(shí)準(zhǔn)確定位問(wèn)題來(lái)源至關(guān)重要。我們需要判斷問(wèn)題是出在某個(gè)特定晶圓或裸片上，還是影響了某一時(shí)期內(nèi)生產(chǎn)的所有晶圓或裸片，抑或是源于晶圓廠本身。這種追溯能力在Multi-Die系統(tǒng)中尤為重要，因?yàn)榇祟?lèi)系統(tǒng)的封裝成本可能非常高。越快發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，開(kāi)發(fā)者就能越快讓產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)并降低成本。良好的SLM解決方案應(yīng)該能夠在幾分鐘內(nèi)識(shí)別根本原因，而手動(dòng)方法可能需要花費(fèi)幾天或幾周時(shí)間。

可追溯性還適用于以下情況：最終產(chǎn)品已部署到現(xiàn)場(chǎng)，但開(kāi)始出現(xiàn)意外甚至災(zāi)難性的故障，可能需要召回。這種退貨授權(quán)（RMA）情況可以利用SLM和整個(gè)測(cè)試生態(tài)體系，追溯制造過(guò)程，找出根本原因。同時(shí)，還能找出現(xiàn)場(chǎng)中可能存在相同問(wèn)題的同類(lèi)器件，以便在故障發(fā)生前主動(dòng)召回，或者通過(guò)調(diào)整器件的電壓或頻率來(lái)延長(zhǎng)其使用壽命。

測(cè)試的最后階段針對(duì)堆疊本身進(jìn)行。“已知良好系統(tǒng)”是此階段的核心，因?yàn)闇y(cè)試團(tuán)隊(duì)的目標(biāo)是確定其Multi-Die系統(tǒng)能否穩(wěn)定可靠地運(yùn)行，并在需要時(shí)找到監(jiān)控、分析和解決問(wèn)題的方法。IEEE Std 1838-2019提供了一種模塊化測(cè)試訪問(wèn)架構(gòu)，可支持測(cè)試裸片以及相鄰堆疊裸片之間的互連層。

對(duì)于堆疊架構(gòu)，有些測(cè)試需要在下游進(jìn)行，而更智能的測(cè)試仍然留在流程的上游。例如，在裸片層面評(píng)估高溫性能是不可行的。相反，在堆疊后進(jìn)行Multi-Die系統(tǒng)的溫度測(cè)試最有效，此時(shí)發(fā)現(xiàn)的故障可以根據(jù)其位置進(jìn)行修復(fù)。在晶圓層面進(jìn)行溫度測(cè)試也是可行的，不過(guò)這可能相當(dāng)昂貴。高端系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)者可能會(huì)選擇執(zhí)行這些測(cè)試。監(jiān)控和收集這些重要數(shù)據(jù)，能夠讓設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試團(tuán)隊(duì)確定如何提高結(jié)果質(zhì)量。

自動(dòng)化和智能化進(jìn)一步提高M(jìn)ulti-Die系統(tǒng)的質(zhì)量

為了滿足我們所討論的需求并推動(dòng)下一波半導(dǎo)體創(chuàng)新，新思科技推出了Multi-Die解決方案，以加速單一封裝中的異構(gòu)集成。這套全面的解決方案涵蓋了系統(tǒng)全生命周期的各個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，包括測(cè)試、診斷、修復(fù)、校準(zhǔn)以及持續(xù)優(yōu)化各項(xiàng)性能指標(biāo)。針對(duì)設(shè)計(jì)、試制、生產(chǎn)和現(xiàn)場(chǎng)優(yōu)化的可追溯性和分析能力可以提高良率、質(zhì)量和可靠性，并降低成本。此外，我們的AI驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)套件Synopsys.ai具備業(yè)界少有的半導(dǎo)體測(cè)試自主AI應(yīng)用程序。新思科技TSO.ai優(yōu)化了復(fù)雜設(shè)計(jì)中的測(cè)試程序生成過(guò)程，能以更少的測(cè)試向量實(shí)現(xiàn)盡可能高的缺陷覆蓋率。

為了滿足計(jì)算密集型工作負(fù)載對(duì)高帶寬和高性能的需求，Multi-Die系統(tǒng)正迅速成為芯片設(shè)計(jì)的主流。自動(dòng)化測(cè)試流程和分析智能有助于提高上述系統(tǒng)的質(zhì)量和可靠性水平，而這更是為生成式人工智能和高性能計(jì)算（HPC）等造福全世界的應(yīng)用帶來(lái)了曙光。