Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650V E系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)和計算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。

SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導(dǎo)通電阻降低，且其電阻乘以柵極電荷的值降低了65.4%。這一關(guān)鍵性能指標(biāo)(FOM)對于650V MOSFET在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的表現(xiàn)至關(guān)重要。Vishay的MOSFET技術(shù)產(chǎn)品組合覆蓋電源轉(zhuǎn)換過程的每個階段，從高壓輸入到為現(xiàn)代設(shè)備供電所需的低壓輸出。

在電源系統(tǒng)架構(gòu)的早期階段，尤其是在功率因數(shù)校正(PFC)電路和后續(xù)的DC/DC轉(zhuǎn)換模塊中，對更高的效率和功率密度的需求日益增加。SiHK050N65E及其同系列產(chǎn)品正是為滿足這一需求而設(shè)計的。其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括服務(wù)器、邊緣計算系統(tǒng)、超級計算機(jī)、不間斷電源(UPS)、高強(qiáng)度放電(HID)燈、熒光燈鎮(zhèn)流器、通信開關(guān)模式電源(SMPS)、太陽能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱系統(tǒng)、電動驅(qū)動和電池充電器等。

SiHK050N65E基于Vishay的E系列超結(jié)技術(shù)，能夠在10V下實現(xiàn)典型的導(dǎo)通電阻為0.048Ω，適合超過6kW的高功率應(yīng)用。同時，該器件的擊穿電壓達(dá)到額外的50V，使其可以在200VAC至277VAC的輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，并符合開放計算項目的開放機(jī)架V3(ORV3)標(biāo)準(zhǔn)。此外，SiHK050N65E的超低柵極電荷僅為78nC，提供了優(yōu)越的FOM值3.74Ω*nC，這對減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要，從而進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率并節(jié)省能源。

為了在硬開關(guān)拓?fù)?如PFC電路和雙開關(guān)前饋設(shè)計)中優(yōu)化開關(guān)性能，SiHK050N65E具備非常低的有效輸出電容值，Co(er)為167pF，Co(tr)為1119pF。其在電阻乘以Co(er)的FOM上達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的8.0Ω*pF，最大限度地減少了開關(guān)損耗，進(jìn)一步提升了整體系統(tǒng)效率。該器件以PowerPAK? 10×12封裝形式提供，并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲，同時提高dV/dt的抗擾性，確保在苛刻的工作條件下依然表現(xiàn)出色。

SiHK050N65E符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，經(jīng)過特別設(shè)計以承受雪崩模式下的過壓瞬態(tài)，100%的UIS測試確保了其耐用性和可靠性。作為Vishay第4.5代650V E系列的最新成員，SiHK050N65E標(biāo)志著高性能MOSFET解決方案在下一代電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要進(jìn)展，期待其在各類高效能應(yīng)用中的廣泛部署。