11月13日，聚力成半導體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項擬投資50億元的高科技芯片項目，有望突破我國第三代半導體器件在關(guān)鍵材料和制作技術(shù)方面的瓶頸，形成自主制造能力。

聚力成半導體項目占地500畝，擬投資50億元，將在大足打造集氮化鎵外延片制造、晶圓制造、芯片設(shè)計、封裝、測試、產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。項目建成達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上，解決就業(yè)崗位2500個。此外，該企業(yè)還在大足建設(shè)中國區(qū)總部、科研及高管配套項目等。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，第一代半導體材料以硅和鍺為代表，第二代半導體材料以砷化鎵和磷化銦為代表。近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點。因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，第三代半導體材料已成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。

目前，全球擁有氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈的僅有德國、日本、美國等國少數(shù)幾家企業(yè)。我國在第三代半導體器件的研發(fā)方面起步并不算晚，但因為在關(guān)鍵材料和關(guān)鍵制作技術(shù)方面沒有取得較好的突破，國內(nèi)一直沒有形成自己的制造能力。

聚力成公司在大足建設(shè)的基地，是其在中國大陸的第一個生產(chǎn)、研發(fā)基地，將有望打破上述局面。該項目建成后，可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達、機器人等行業(yè)的電力控制系統(tǒng)和通訊系統(tǒng)的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導體和高射頻半導部件。

該項目前期由市臺辦搭橋引薦，得到了市經(jīng)信委、市商務(wù)委、臺商協(xié)會等部門的大力助推，經(jīng)雙方多輪磋商及長達數(shù)月的調(diào)研、專家論證，企業(yè)引入中國國際金融有限公司作為資方，于今年9月與大足區(qū)成功簽約。目前，該項目運營公司聚力成半導體（重慶）有限公司核心成員已陸續(xù)入駐。

自簽約以來，大足區(qū)與企業(yè)雙方精誠合作，僅用65天就實現(xiàn)開工。聚力成半導體基地的建設(shè)，將對大足乃至重慶實施以大數(shù)據(jù)智能化為引領(lǐng)的創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略行動計劃，加快布局電子信息、集成電路等新興產(chǎn)業(yè)，具有重要示范引領(lǐng)作用。