碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力，在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，先進(jìn)封裝的SiC功率模組在失效分析方面面臨諸多挑戰(zhàn)，尤其是在化學(xué)開封、X-Ray和聲掃等測(cè)試環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)技術(shù)尚不成熟。基于此，廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析技術(shù)，成功攻克了模組失效分析的全流程問題，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，推動(dòng)SiC功率模組的廣泛應(yīng)用。

攻克多樣技術(shù)難題 建立全流程解決方案

針對(duì)先進(jìn)封裝SiC功率模組在失效分析中的技術(shù)難題，集成電路測(cè)試與分析研究所研發(fā)了針對(duì)SiC功率模組的化學(xué)開封技術(shù)、單芯片激光開封技術(shù)、器件減薄技術(shù)等多項(xiàng)創(chuàng)新方案，成功解決了模組開封后芯片電極完整性差、X-Ray和聲掃測(cè)試?yán)щy等問題。

（1）化學(xué)開封技術(shù)：通過在不同溫度和配比條件下尋找最優(yōu)的開封條件，確保芯片表面電極結(jié)構(gòu)的完整性，解決了模組開封后芯片電極易損壞的難題。

（2）單芯片激光開封技術(shù)：針對(duì)模組開封面積大的情況，提出單芯片激光開封和單方向腐蝕的方式，精準(zhǔn)控制塑封料的腐蝕進(jìn)程，最大程度保留芯片表面結(jié)構(gòu)。

（3）器件減薄技術(shù)：通過減薄器件，解決了先進(jìn)封裝模組在X-Ray和聲掃測(cè)試中的難題，提升了測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

此外，團(tuán)隊(duì)還搭建了芯片失效分析數(shù)據(jù)庫(kù)，將芯片的失效現(xiàn)象與失效邏輯相對(duì)應(yīng)，成功攻克了模組失效分析的全流程問題，為SiC功率模組的可靠性評(píng)估提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。

服務(wù)優(yōu)勢(shì)

·擴(kuò)展服務(wù)范圍：填補(bǔ)國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析的技術(shù)空白，提供全面的物理分析與失效分析服務(wù)。

·提高檢測(cè)效率：通過激光開封精準(zhǔn)控制與減薄技術(shù)，縮短模組開封和測(cè)試時(shí)間，提升失效分析的效率。

·提高檢測(cè)精度：采用物理減薄手段優(yōu)化X-Ray和聲掃測(cè)試條件，提升檢測(cè)分辨率與可靠性。

SiC功率模組全流程解決方案 助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)

針對(duì)先進(jìn)封裝的SiC功率模組在失效分析方面的測(cè)試難點(diǎn)，廣電計(jì)量建立了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析技術(shù)，確保了測(cè)試的可靠性和精確性，可廣泛用于新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域SiC功率模組的可靠性與失效分析。

集成電路測(cè)試與分析研究所

廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所擁有各類高精尖分析儀器和專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，以技術(shù)引領(lǐng)市場(chǎng)，長(zhǎng)期致力于元器件篩選及失效分析技術(shù)領(lǐng)域的科研和咨詢服務(wù)，構(gòu)建了包括元器件國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證與競(jìng)品分析、集成電路測(cè)試與工藝評(píng)價(jià)、半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升工程、車規(guī)級(jí)芯片與元器件AEC-Q認(rèn)證、車規(guī)功率模塊AQG 324認(rèn)證等多個(gè)技術(shù)服務(wù)平臺(tái)，滿足裝備制造、航空航天、汽車、軌道交通、5G通信、光電器件與傳感器等領(lǐng)域的電子產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性的需求，能為客戶提供專業(yè)化咨詢、分析及培訓(xùn)等“一站式”服務(wù)，全面提升產(chǎn)品品質(zhì)。