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英特爾10nm芯片要難產(chǎn)了 英特爾10納米芯片良品率不樂觀

電子工程師 ? 2018-04-29 23:59 ? 次閱讀
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在今年的MWC2018上,華碩、惠普等廠商推出的內(nèi)置高通驍龍835移動(dòng)處理平臺(tái)的筆記本電腦在展會(huì)上出盡了風(fēng)頭。驍龍835是高通旗下首款采用了10nm制程的處理芯片,它的功耗和體積相比傳統(tǒng)的14nm芯片制程都要小,是輕薄型移動(dòng)數(shù)碼設(shè)備的最佳之選。而在去年的時(shí)候,英特爾也正式推出了10nm制程的Canon Lake處理芯片,原本定于在今年的開始量產(chǎn)的10nm芯片近期卻傳言稱要難產(chǎn)了!

近日有消息稱在第一季度的財(cái)報(bào)會(huì)議中,英特爾稱今年的研發(fā)重點(diǎn)依舊是14nm制程的芯片,或許就是第九代酷睿處理器。這就意味著,英特爾今年的10nm芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的可能性非常低。這主要是因?yàn)?a target="_blank">CPU的制程越小,其制作工藝就越繁瑣,生產(chǎn)所需要的時(shí)間也就更長(zhǎng)。而在當(dāng)下這種科技界主要市場(chǎng)場(chǎng)景并不樂觀的情況下,英特爾不能放棄對(duì)于利益的考慮。

據(jù)報(bào)道英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)曾經(jīng)對(duì)外宣稱:“因?yàn)橹圃旃に囈筇?,英特?0納米工藝芯片的良品率并不樂觀,英特爾要等到解決這些問(wèn)題后再提高產(chǎn)能?!蹦壳坝⑻貭柶煜虏捎?0納米工藝制造的Canon Lake處理器新增了對(duì)LPDDR4內(nèi)存的支持。原本不少人還期盼能夠在今年的2018款Macbook上見到32GB內(nèi)存和Canon Lake的身影,看來(lái)這個(gè)愿望也要落空了。

雖然在文首我們提到了有不少筆記本廠商推出了內(nèi)置10nm制程的驍龍835處理器的筆記本電腦,但現(xiàn)實(shí)中,驍龍835筆記本目前最大的亮點(diǎn)僅是在續(xù)航方面,在其他的配置上還是離筆記本常規(guī)性能要求表線太遙遠(yuǎn)。目前驍龍最新的處理器是845,不知道稍后推出的內(nèi)置驍龍845的筆記本電腦是否會(huì)在性能上追趕上來(lái)。

Intel的10nm工藝量產(chǎn)延遲將給AMD提供機(jī)會(huì)

Intel在第2季財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上表示10nm工藝大規(guī)模量產(chǎn)將推遲到明年,這對(duì)于當(dāng)下正迅速?gòu)腎ntel手里奪取市場(chǎng)份額的AMD來(lái)說(shuō)提供了極佳的機(jī)會(huì)。

AMD經(jīng)過(guò)數(shù)年的研發(fā)在2016年發(fā)布全新的Zen架構(gòu),CPU性能因此獲得40%以上的提升,此舉幫助了AMD迅速在PC市場(chǎng)上獲取市場(chǎng)份額,去年在美國(guó)PC市場(chǎng)AMD迅速提升到四成以上,是AMD有史以來(lái)的最好成績(jī)。

Intel當(dāng)下在制造工藝方面逐漸落后于芯片代工廠,無(wú)疑正給AMD提供機(jī)會(huì)。近十年來(lái),Intel采取tick-tock戰(zhàn)略,通過(guò)每?jī)赡晏嵘淮沃圃旃に?、隔年提升芯片設(shè)計(jì)的方式在PC市場(chǎng)的份額節(jié)節(jié)攀升至八成以上;AMD則因?yàn)橘Y金劣勢(shì)無(wú)法跟上這種進(jìn)度,市場(chǎng)份額節(jié)節(jié)下滑,最終被迫拆分了芯片制造業(yè)務(wù)給阿聯(lián)酉投資基金成立了如今的格羅方德。

不過(guò)近幾年Intel在芯片制造工藝方面逐漸跟不上趟,甚至被質(zhì)疑其一直以來(lái)取得成功的摩爾定律已不可持續(xù),2014年Intel開始投產(chǎn)14nmFinFET工藝,這一工藝使用至今已有近四年時(shí)間,Intel一直都在對(duì)該工藝修修補(bǔ)補(bǔ);在芯片設(shè)計(jì)方面則被認(rèn)為在擠牙膏,面對(duì)AMD的Zen架構(gòu)一舉揚(yáng)威,Intel在CPU設(shè)計(jì)方面進(jìn)展有限雖然不斷發(fā)布新架構(gòu)但更多是在修修補(bǔ)補(bǔ)性能提升有限。

芯片代工廠在制造工藝方面的不斷進(jìn)步給Intel帶來(lái)巨大的壓力。在Intel的芯片制造工藝停留在14nmFinFET的時(shí)候,三星和臺(tái)積電兩大芯片代工廠一直在持續(xù)不斷的提升工藝,2015年三星投產(chǎn)14nmFinFET,2016年臺(tái)積電投產(chǎn)16nmFinFET,2017年三星和臺(tái)積電先后投產(chǎn)10nm工藝,目前這兩家芯片代工廠宣布投產(chǎn)7nm工藝。

面對(duì)三星和臺(tái)積電的芯片制造工藝不斷躍進(jìn),Intel則以詳細(xì)的數(shù)據(jù)指出臺(tái)積電和三星的10nm工藝其實(shí)落后于它當(dāng)下最新改進(jìn)的14nmFinFET工藝,預(yù)計(jì)這兩家芯片代工廠的7nm工藝與Intel的10nm工藝相當(dāng),但是在更先進(jìn)的工藝方面三星和臺(tái)積電有望徹底拋離Intel。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2020年投產(chǎn)5nm,三星當(dāng)下也正與IBM合作積極研發(fā)5nm工藝;Intel預(yù)計(jì)到2020年投產(chǎn)7nm工藝,但是考慮到Intel一再延期的10nm工藝,筆者擔(dān)心Intel的7nm工藝未必能如期在2020年投產(chǎn),這將讓它徹底落后。

芯片代工廠的制造工藝持續(xù)不斷快速推進(jìn),對(duì)于AMD來(lái)說(shuō)無(wú)疑是利好消息,AMD當(dāng)下就宣布其高端的Zen+架構(gòu)的CPU將采用臺(tái)積電的7nm工藝生產(chǎn),這將是它在制造工藝方面首次領(lǐng)先于Intel,再加上Zen架構(gòu)的良好性能表現(xiàn),在上一代的Zen架構(gòu)性能提升超過(guò)四成基礎(chǔ)上Zen+架構(gòu)可望再提升15%,在先進(jìn)工藝的助力下將擁有更低的功耗。這將有利于AMD在PC市場(chǎng)取得更多的市場(chǎng)份額,其當(dāng)下在美國(guó)市場(chǎng)所取得的成功可望在其他市場(chǎng)復(fù)制。

Intel發(fā)布的第2季財(cái)報(bào)顯示,其負(fù)責(zé)PC芯片業(yè)務(wù)的客戶計(jì)算集團(tuán)第一季度凈營(yíng)收增長(zhǎng)了3.1%,不過(guò)凈利潤(rùn)反而下跌了7.9%,這意味著在AMD的競(jìng)爭(zhēng)下Intel不得不降低了自己利潤(rùn)以保持市場(chǎng)份額,而面對(duì)AMD的競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升Intel的PC芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)很可能會(huì)繼續(xù)下跌。

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原文標(biāo)題:牙膏不好擠 英特爾10nm芯片要難產(chǎn)了

文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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