繼三星、SK海力士之后，***南亞科、華邦電和力晶等三家記憶體相關業(yè)者，都悄悄啟動增加資本支出計劃。隨著業(yè)者「資本支出大戰(zhàn)」再度開打，是否會打破維系已久的產業(yè)平衡默契，導致價格反轉，備受關注。

其中，主攻記憶體芯片設計與制造的南亞科、華邦電今年資本支出都近200億元，南亞科更上調逾七成至197.1億元，華邦電則為歷史新高的182億元，年增逾二成。

力晶雖已宣布轉型晶圓代工，但仍有不少業(yè)務來自為晶豪科、愛普等記憶體設計業(yè)者代工芯片，力晶日前宣布將啟動近3,000億元的12吋新廠建設計畫，對產業(yè)影響同受矚目。

隨著各種電子終端產品對記憶體需求量增加，各大記憶體廠和市調機構普遍認為，今年DRAM業(yè)仍是大豐收的一年。

看好記憶體需求強勁，各大廠趁勢透過提高資本支出等方式，擴大產出，希望能搶到更多商機，也為未來市場供需失衡狀況埋下隱憂。

南亞科加碼投資20奈米制程，今年資本支出由原訂的115億元上調至197.1億元，增幅逾71%，規(guī)劃在明年第2季底前，將20奈米制程月產出提升至4.7萬片，也讓南亞科DRAM月產能增至7.3萬片。

這是南亞科在轉型專注利基型記憶體市場后，重新擴大標準型記憶體，甚至重返伺服器DRAM的一項重要投資行動。

南亞科強調，增加的產出占全球供應數量有限，影響也有限。

華邦電與力晶也都宣布增加資本支出，力晶并將啟動12吋新廠，雖然相關計畫要到2020年才會完工并陸續(xù)投資，但也隱約透露DRAM廠已有意增產，未來是否會讓一直處于上漲的DRAM市況，進入反轉下跌，已成為全球投資人關注的焦點。

會引致新一輪倒閉潮嗎？

DRAM這個市場從來不是一個“安分”的市場，當年英特爾轉向做CPU，是當時他所擅長的DRAM被日本廠商打得毫無招架之力的“無奈之舉”，后來的日本又被韓國的DRAM鐵錘打得沒有翻身的機會。中間還有中國***地區(qū)的DRAM的群起而攻之，但最后卻慘敗而歸?，F(xiàn)在新一輪的DRAM投資戰(zhàn)開啟，會否再現(xiàn)當年的DRAM慘況？讓我們再次回顧一下過去幾十年的DRAM戰(zhàn)爭，以此為鑒：

一

Intel的DRAM崛起

1968年，時任仙童總經理的鮑勃·諾伊斯，拉著研發(fā)部門負責人戈登·摩爾辭職。從風險投資家阿瑟·洛克那里拉來250萬美元投資，正式成立了英特爾(Intel)公司，洛克出任董事長。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思，商標是花1.5萬美元，從一家酒店手里買的。當時公司只有諾伊斯和摩爾兩個員工，他們招兵買馬時，又從仙童公司挖來了工藝開發(fā)專家安迪·格魯夫，擔任運營總監(jiān)。

英特爾成立之初，繼承了仙童的技術能力。公司制定的發(fā)展方向是研制晶體管存儲器芯片，這是一個全新的市場。當時的半導體工藝主要有雙極型晶體管，和場效應（MOS）晶體管。這兩項工藝都是仙童的長項。但是哪一種工藝用來生產的芯片更好，他們并不清楚。于是公司成立了兩個研發(fā)小組。1969年4月，雙極型小組推出了64bit容量的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）芯片C3101，只能存儲8個英文字母。這是英特爾的第一個產品，客戶是霍尼韋爾。

1969年7月，場效應管小組推出了256bit容量的靜態(tài)隨機存儲器芯片C1101。這是世界第一個大容量SRAM存儲器?；裟犴f爾很快下達了訂單。隨后，英特爾研究小組不斷解決生產工藝中的缺陷，于1970年10月，推出了第一個動態(tài)隨機存儲器（DRAM）芯片C1103，有18個針腳。容量有1Kbit，售價僅有10美元，它標志著DRAM內存時代的到來。

1972年，憑借1K DRAM取得的巨大成功，英特爾已經成為一家擁有1000名員工，年收入超過2300萬美元的產業(yè)新貴。C1103也被業(yè)界稱為磁芯存儲器殺手，成為全球最暢銷的半導體芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型計算機上，也開始使用DRAM內存。到1974年，英特爾占據了全球82.9%的DRAM市場份額。

1973年石油危機爆發(fā)后，歐美經濟停滯，電腦需求放緩，影響了半導體產業(yè)。而英特爾在DRAM存儲芯片領域的份額也快速下降。因為他們引來了競爭對手，主要有德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。

二

日本的進攻

在1970年代，日本盡管可以生產DRAM內存芯片，但是最關鍵的制程設備和生產原料要從美國進口。為了補足短板，1976年3月，經通產省、自民黨、大藏省多次協(xié)商，日本政府啟動了"DRAM制法革新"國家項目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業(yè)聯(lián)合籌資400億日元?？傆嬐度?20億日元（2.36億美元）為基金，由日本電子綜合研究所，和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構——“VLSI技術研究所”（超LSI技術研究組合）。

研究所地址就選在，位于川崎市高津區(qū)的NEC中央研究所內。日立公司社長吉山博吉擔任理事長，根橋正人負責業(yè)務領導，垂井康夫擔任研究所長，組織800多名技術精英，共同研制國產高性能DRAM制程設備。目標是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實用化，遠期在10-20年內，實現(xiàn)1M DRAM的實用化。（VLSI是超大規(guī)模集成電路的簡稱）

在這個技術攻關體系中，日立公司（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置，右高正俊任室長。富士通公司（第二研究室）研制可變尺寸矩形電子束掃描裝置，中村正任室長。東芝（第三研究室）負責EB掃描裝置與制版復印裝置，武石喜幸任室長。電氣綜合研究所（第四研究室）對硅晶體材料進行研究，飯塚隆任室長。三菱電機（第五研究室）開發(fā)制程技術與投影曝光裝置，奧泰二任室長。NEC公司（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究，川路昭任室長。

在產業(yè)化方面，日本政府為半導體企業(yè)，提供了高達16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造DRAM集成電路產業(yè)群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大規(guī)模集成電路。美國IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時發(fā)布了產品。這一年，由于日本64K動態(tài)隨機存儲器（DRAM）開始打入國際市場，集成電路的出口迅速增加。

1980年，日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體，宣告完成為期四年的“VLSI”項目。期間申請的實用新型專利和商業(yè)專利，達到1210件和347件。研發(fā)的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型制版復印裝置、干式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。針對難度大的高風險研究課題，VLSI項目采用多個實驗室群起圍攻的方式，調動各單位進行良性競爭，保證研發(fā)成功率。各企業(yè)的技術整合，保證了DRAM量產成功率，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。

1982年，美國50家半導體企業(yè)秘密結成技術共享聯(lián)盟，避免資金人力重復投資?？墒沁@些合作項目剛剛啟動，就傳來了壞消息。美國剛剛研制出256K DRAM內存，而日本富士通、日立的256K DRAM已經批量上市。1983年間，銷售256K內存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外，只有一家摩托羅拉是美國公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產量，就高達300萬塊。日本廠商開出的海量產能，導致這一年DRAM價格暴跌了70%。內存價格暴跌，使得正在跟進投資更新技術設備的美國企業(yè)，普遍陷入巨額虧損狀態(tài)。難以承受虧損的美國企業(yè)，紛紛退出DRAM市場，又進一步加強了日本廠商的優(yōu)勢地位。

三

韓國廠商的收割

1983年2月，三星集團創(chuàng)始人李秉喆在東京發(fā)表宣言：宣布三星集團正式進軍半導體產業(yè)，并準備出資1000億韓元（約1.33億美元），執(zhí)行這項計劃。在此之前，三星已經建立半導體實驗室，并聚焦在DRAM領域。三星之所以選擇DRAM，是考慮到在所有存儲產品中，DRAM的應用范圍和市場潛力最大。但是從技術領域看，三星當時存在著巨大的技術鴻溝。如何獲得先進核心技術呢？三星嘗試從國外引進技術，連續(xù)遭到美國德州儀器、摩托羅拉、日本NEC、東芝、日立等公司的拒絕。

最終，三星通過美國幾家陷入困境的小型半導體公司找到門路。當時美國鎂光科技規(guī)模還很小，已經被日本廉價DRAM擠壓得喘不過氣，還要投錢研發(fā)256K DRAM產品。于是鎂光將64K DRAM的技術授權給了韓國三星。三星又從加州西翠克斯（CITRIX）公司買到了高速處理金屬氧化物的設計。

獲得兩家美國公司技術后，三星分別在美國硅谷和漢城南部30公里的龍仁市器興（Giheung），設立兩個研發(fā)團隊，招募韓裔美國工程師，日以繼夜地消化吸收技術。硅谷團隊負責收集美國的產業(yè)技術資訊。器興團隊負責建設工廠，熟悉三星從日本夏普手里弄來的量產制程設備。日本夏普由于被通產省歸類為消費電子公司，而非IC半導體公司，因此不受出口技術規(guī)范管制。三星找到這個漏洞，從夏普買來設備。六個月后，三星的工程師成功掌握了，量產64K DRAM的301項流程，和其中8項核心技術，順利制造出生產模組。

1983年12月1日，三星電子社長姜振求召開記者招待會，宣布三星已經繼美、日兩國之后，成功自行研發(fā)出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工廠在器興竣工，工期只用了半年。四個月后開始批量生產的64K DRAM。這比美國研制的同類產品晚了40個月，比日本晚了6年。當時三星生產線上的員工，多數是農村來的婦女，文化素質不高，但是服從性好。工廠技術管理，主要靠三星從美國高薪招募回來的韓裔工程師。

1982年至1986年間，韓國四大財團在DRAM領域，進行了超過15億美元的瘋狂投資，相當于同期***投入的10倍。同時期，中國上海寶鋼項目投資40億美元左右。但是在電子工業(yè)方面，中國政府幾乎放棄了產業(yè)主導權。各省市胡亂花費了3-5億美元，購買外國淘汰技術，根本未能形成技術競爭力。而且在廣東、福建、海南、浙江等沿海省份，巨額走私日本、美國、***電子元器件的沖擊下，中國電子工業(yè)徹底崩潰，就這樣跪了三十年也沒能爬起來。

面對韓國企業(yè)咄咄逼人的追趕態(tài)勢，日本廠商以低于韓國產品成本一半的價格，向市場大量拋售產品，有意迫使韓國人出局。結果韓國大型財團不但頂住巨額虧損壓力，追加投資，還讓日本企業(yè)承擔了美國反傾銷的壓力。美國與日本的紛爭，讓韓國漁翁得利。1992年，韓國三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內存制造商，并在其后連續(xù)蟬聯(lián)了25年世界第一。

1990年開始，韓國三大企業(yè)已經具備了，趕超日本DRAM產業(yè)的技術體系建設。三星建立了26個研發(fā)中心，LG和現(xiàn)代各有18、14個研發(fā)中心。與之對應的是，三星的技術研究費用成倍增加。1980年三星在半導體領域的研發(fā)費用僅有850萬美元，到1994年已經高達9億美元。1990年三星還落后日本，第三個推出16M DRAM產品。到1992年，三星領先日本，推出世界第一個64M DRAM產品。1996年，三星開發(fā)出世界第一個1GB DRAM。與研發(fā)費用相對應，1989年韓國的專利技術應用有708項，1994年竄升至3336項。

但是作為產業(yè)后進者的韓國，仍然存在致命短板。韓國的核心生產設備和原料，主要從美國、日本進口。僅在1995年，韓國就進口了價值25億美元的半導體生產設備，其中47%自日本進口，30%來自美國。由于日本政府在設備管制方面的漏洞，韓國可以輕易買到日本先進設備，但是卻很難從日本引進技術。為了減少對外國供應商的依賴，1994年，由韓國政府主導，推出總預算2000億韓元（2.5億美元）的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業(yè)投資設備和原料供應鏈。韓國貿工部在漢城南部80公里的松炭和天安，設立兩個工業(yè)園區(qū)，專門供給半導體設備廠商設廠。為了挖來技術，韓國以優(yōu)厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網屏）等廠商，在韓國設立合資公司。

完成量產技術積累后，韓國企業(yè)開始向產業(yè)廣度擴張，以三星為例：三星從美國SUN公司引進JAVA處理器技術，從法國STM（意法半導體）引進DSP芯片技術，從英國ARM引進聲音處理芯片技術，與日本東芝、NEC、沖電氣（OKI）展開新型閃存方面的技術交流。通過與美國、歐洲企業(yè)建立聯(lián)盟合作關系，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產業(yè)資源，開始向微處理器（CPU）等領域快速擴張。

1995年美國微軟公司推出Windows 95操作系統(tǒng)，受此影響，韓國與日本廠商瘋狂擴充產能，導致DRAM產品供過于求，引發(fā)DRAM價格暴跌70%。但是在美國的刻意扶植下，韓國廠商仍然力壓日本。1996年，韓國三星電子的DRAM芯片出口額達到62億美元，居世界第一，日本NEC居第二。韓國現(xiàn)代電子以21.26億美元居第三位。LG半導體以15.4億美元居第九位。