CSD95372BQ5M NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品集成了驅(qū)動 IC 和功率 MOSFET，以完成功率級開關(guān)功能。 這 組合可在小型封裝中產(chǎn)生高電流、高效率和高速開關(guān)能力5 毫米× 6 毫米外形封裝。它還集成了精確的電流檢測和溫度傳感功能，以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高精度。此外，PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化，有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并簡化整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
*附件：csd95372bq5m.pdf

特性

• 60 A 連續(xù)工作電流能力
• 30 A 時(shí)系統(tǒng)效率為 93.4%
• 30 A 時(shí)功耗低至 2.8 W
• 高頻工作（高達(dá) 1.25 MHz）
• 帶FCCM的二極管仿真模式
• 溫度補(bǔ)償雙向電流
  檢測
• 模擬溫度輸出（0°C時(shí)為600 mV）
• 故障監(jiān)控
  • 高側(cè)短路、過流和
    過溫保護(hù)
• 兼容 3.3 和 5V PWM 信號
• 三態(tài) PWM 輸入
• 集成自舉二極管
• 優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間，用于射穿保護(hù)
• 高密度 SON 5 × 6 mm 封裝
• 超低電感封裝
• 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) – 無鉛端子電鍍
• 無鹵素

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?高性能參數(shù)?：支持60A連續(xù)工作電流，系統(tǒng)效率達(dá)93.4%（30A時(shí)），功率損耗僅2.8W（30A）。
• ?高頻操作?：支持最高1.25MHz開關(guān)頻率，集成二極管仿真模式（FCCM可調(diào)）。
• ?監(jiān)測保護(hù)?：
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流檢測
  • 模擬溫度輸出（0°C時(shí)600mV）
  • 故障保護(hù)（高側(cè)短路、過流、過熱）
• ?兼容性?：支持3.3V/5V PWM信號，集成自舉二極管，優(yōu)化死區(qū)時(shí)間防止直通。
• ?封裝?：5×6mm SON超低電感封裝，符合RoHS無鉛標(biāo)準(zhǔn)。

?2. 典型應(yīng)用?

• 多相同步降壓轉(zhuǎn)換器（高頻/大電流場景）
• 負(fù)載點(diǎn)（POL）DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 內(nèi)存/顯卡供電
• 桌面/服務(wù)器VR11.x/VR12.x核心電壓轉(zhuǎn)換

?3. 功能描述?
集成驅(qū)動IC與功率MOSFET，提供高密度、高效率的電源解決方案。關(guān)鍵功能包括：

• ?電流/溫度檢測?：通過IOUT和TAO引腳實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)監(jiān)測。
• ?工作模式?：
  • 強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式（FCCM=HIGH）
  • 二極管仿真模式（FCCM=LOW）
• ?保護(hù)機(jī)制?：ENABLE引腳控制開關(guān)，故障時(shí)TAO拉高至3.3V報(bào)警。

?4. 電氣參數(shù)?

• ?極限值?：VIN≤25V，VSW≤20V，結(jié)溫范圍-55°C~150°C。
• ?推薦條件?：VDD=4.5~5.5V，VIN≤16V，開關(guān)頻率≤1.25MHz。

?5. 封裝與訂購?

• ?封裝規(guī)格?：LSON-CLIP（5×6mm），支持13英寸/7英寸卷帶封裝。
• ?型號選項(xiàng)?：
  • CSD95372BQ5M（標(biāo)準(zhǔn)版，2500片/卷）
  • CSD95372BQ5MT（小卷帶，250片/卷）

?6. 設(shè)計(jì)支持?

• 提供優(yōu)化PCB布局建議（如0.1μF自舉電容配置）。
• 典型應(yīng)用圖展示多相控制器連接方案。