據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進(jìn)步。

多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個業(yè)界就將開始向10nm制程發(fā)展。

不過放眼未來，摩爾定律開始有些失靈了，因?yàn)閺男酒闹圃靵砜矗?nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字，它們在物理形態(tài)上就會非常集中，以至于產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng)，為芯片制造帶來巨大挑戰(zhàn)。因此，業(yè)界普遍認(rèn)為，想解決這一問題就必須突破現(xiàn)有的邏輯門電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個邏輯門之間穿梭。

此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門中電子的流向。

眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的制程下，一個模具上就有超過10億個晶體管，而要將晶體管縮小到1nm，大規(guī)模量產(chǎn)的困難有些過于巨大。

不過，這一研究依然具有非常重要的指導(dǎo)意義，新材料的發(fā)現(xiàn)未來將大大提升電腦的計(jì)算能力。

據(jù)白宮官網(wǎng)報道，美國東部時間22日，2015年美國最高科技獎獲獎名單公布，包括9名國家科學(xué)獎獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學(xué)家胡正明榮獲年度國家技術(shù)和創(chuàng)新獎。

胡正明教授是鰭式場效晶體管（FinFET）的發(fā)明者，如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項(xiàng)技術(shù)。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***長大，后來考入加州大學(xué)伯克利分校。

在華為海思麒麟950的發(fā)布會上，胡正明教授曾現(xiàn)身VCR，據(jù)他介紹，F(xiàn)inFET的兩個突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發(fā)展，晶片內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直。

胡認(rèn)為，F(xiàn)inFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導(dǎo)體的限制，這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在仍看不到極限。

2010年后，Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發(fā)明得以使摩爾定律在今天延續(xù)傳奇。