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無需鉗位電路,精準(zhǔn)測量GaN動態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)

深圳市日圖科技有限公司 ? 2025-09-12 17:14 ? 次閱讀
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導(dǎo)言

在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中,寬禁帶半導(dǎo)體(GaN、SiC)器件扮演著越來越關(guān)鍵的角色。然而,理解這些器件在高速開關(guān)過程中的真實性能,特別是其動態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on)),一直是設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。動態(tài)RDS(on)揭示了電荷俘獲效應(yīng)的影響,直接影響器件的傳導(dǎo)損耗和效率。傳統(tǒng)測量方法依賴硬件鉗位電路,不僅引入誤差源,也增加了測試復(fù)雜度和成本。泰克公司推出的創(chuàng)新性軟件鉗位方法,集成于其4/5/6系列MSO示波器的寬禁帶雙脈沖測試 (WBG-DPT) 軟件中,實現(xiàn)了無需外部鉗位電路的動態(tài)RDS(on)高精度測量

01動態(tài)RDS(on):理解與挑戰(zhàn)

什么是動態(tài)RDS(on)?

動態(tài)RDS(on)是指場效應(yīng)晶體管(FET)在開關(guān)過程中處于導(dǎo)通狀態(tài)時,其漏極(D)與源極(S)端子之間的平均電阻。它是計算傳導(dǎo)損耗的核心參數(shù),由公式定義:


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它反映了開關(guān)周期導(dǎo)通階段該比值的平均特性。電荷俘獲現(xiàn)象(尤其在GaN器件中可能導(dǎo)致顯著的“電流崩塌”)是動態(tài)RDS(on)變化的主要根源。

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RDS(on) 波形表征FET導(dǎo)通狀態(tài)下,漏源電壓(VDS)與漏極電流(ID)的動態(tài)比值關(guān)系

測量動態(tài)RDS(on)的傳統(tǒng)難點

測量的核心挑戰(zhàn)在于同時精確捕捉高幅值開關(guān)電壓和微小導(dǎo)通電壓

分辨率沖突

開關(guān)電壓 (VDS) 可達數(shù)百甚至上千伏(如800V),而導(dǎo)通電壓 (VDS(on)) 通常僅為幾伏或更低(如10V)。使用示波器高量程(低靈敏度)捕獲完整VDS范圍,會導(dǎo)致VDS(on)區(qū)域的ADC量化誤差占比過大,分辨率嚴(yán)重不足。

過載風(fēng)險

若為提高分辨率直接使用高靈敏度(低V/div)設(shè)置測量VDS(on),當(dāng)高壓開關(guān)信號出現(xiàn)時,會過載差分探頭或示波器輸入放大器,在過載恢復(fù)期間產(chǎn)生不可靠數(shù)據(jù)。

高速開關(guān)

GaN/SiC器件極快的開關(guān)速度(dv/dt, di/dt)放大了探頭寄生參數(shù)(電感、電容)引起的信號畸變,需要關(guān)注穩(wěn)定時間。

傳統(tǒng)解決方案依賴外部二極管鉗位電路削去高壓部分。但這會引入額外寄生參數(shù)(L, C, R)、RC時間常數(shù)導(dǎo)致的電壓偏移、潛在的電壓峰值以及額外的成本和復(fù)雜性。

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高幅值的VDS與微小的導(dǎo)通態(tài)電壓使得RDS(on) 的測量極具挑戰(zhàn)性。這一新方法通過校正實現(xiàn)了高靈敏度測量

WBT-DPT測量自動化軟件中的新軟件鉗位技術(shù)使設(shè)計人員能夠使用手頭已有的設(shè)備快速測量動態(tài)RDS(on)。


想深入了解這項創(chuàng)新的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)的原理、算法細節(jié)、操作步驟及驗證數(shù)據(jù)?免費下載完整技術(shù)白皮書,掌握以下關(guān)鍵內(nèi)容:

1. 軟件鉗位核心技術(shù)揭秘:雙探頭融合算法 (圖解滑動窗口校正與差分消除原理)

2. 構(gòu)建無鉗位測試系統(tǒng):硬件配置與探頭選型指南 (含詳細接線圖與設(shè)備清單)

3. 逐步操作手冊:WBG-DPT軟件實現(xiàn)動態(tài)RDS(on)測量(圖文并茂的軟件設(shè)置流程)

4. 測量結(jié)果分析與驗證:與傳統(tǒng)鉗位方案對比 (含實測波形與數(shù)據(jù)對比圖)

02創(chuàng)新方案:軟件鉗位與雙探頭技術(shù)

泰克WBG-DPT軟件的核心創(chuàng)新在于摒棄了硬件鉗位,采用獨特的雙高壓差分探頭結(jié)合智能信號處理算法

測試設(shè)置

使用兩個高壓差分探頭(推薦泰克THDP系列)同時測量同一個VDS信號。

■ 探頭A (全量程):負(fù)責(zé)捕獲完整的VDS開關(guān)波形,包括高壓關(guān)斷狀態(tài)。

■ 探頭B (高靈敏度/削波):專門用于高分辨率捕獲低電壓的導(dǎo)通區(qū)域 (VDS(on))。此處的設(shè)置會有意削剪(Clip)掉高壓部分,觸發(fā)示波器的削波告警。

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采用雙高壓差分探頭測量VDS信號:一路探頭設(shè)置為高量程(如1500V)及高垂直刻度(如100V/格),另一路設(shè)置為低量程(如150V)及精細垂直刻度(如10V/格)

核心算法:信號融合與校正

軟件的核心任務(wù)是融合全量程波形(覆蓋廣但分辨率低)和高靈敏度削波波形(細節(jié)豐富但被削波且有過載恢復(fù)影響),生成高精度的復(fù)合VDS(on)信號:

波形平均

執(zhí)行多次雙脈沖測試(默認(rèn)8次),對波形進行平均以降低隨機噪聲。

“滑動窗口” 融合

? 將導(dǎo)通時段劃分為多個水平時間窗口。

? 在每個窗口內(nèi)計算全量程VDS和削波VDS的平均值。

? 找到兩者差異最小的窗口作為“參考窗口”,計算其平均值的偏移量,并據(jù)此校正削波信號在該窗口的整體偏移。

? 對相鄰窗口,利用全量程信號在該窗口與其前/后窗口平均值的變化趨勢(斜率),對削波窗口內(nèi)的數(shù)據(jù)進行線性校正。此步驟利用全量程信號的低頻信息校正偏移,同時保留削波信號的高頻細節(jié)(高分辨率)。

? 遍歷所有窗口完成校正,生成高分辨率復(fù)合VDS波形。

差分消除穩(wěn)定誤差:在標(biāo)準(zhǔn)的雙脈沖測試中:

? 第一導(dǎo)通脈沖建立測試電流。

? 第二導(dǎo)通脈沖用于實際開關(guān)性能評估(RDS(on)在此階段測量)。

算法利用兩個導(dǎo)通脈沖之間的時間差(要求≥50μs)相似的電壓階躍特性。兩個脈沖在導(dǎo)通時經(jīng)歷的測量系統(tǒng)穩(wěn)定誤差(探頭/放大器)高度一致。通過從第二導(dǎo)通時段的復(fù)合VDS信號中減去第一導(dǎo)通時段的復(fù)合VDS信號,有效消除了共有的穩(wěn)定誤差和基線VDS(on)。同時,從第二導(dǎo)通電流 (ID) 中減去第一導(dǎo)通電流,得到流經(jīng)RDS(on)的增量電流 (ΔID)。由第二脈沖對應(yīng)的增量電壓 (ΔVDS) ΔID,根據(jù)歐姆定律 (R = ΔVDS / ΔID) 即可精確計算出動態(tài)RDS(on)值。

03實踐指南:測量流程與結(jié)果

測試系統(tǒng)配置

泰克4/5/6系列MSO示波器 + WBG-DPT軟件許可證

泰克THDP0100或THDP0200高壓差分探頭 x 2(分別用于全量程和削波測量)

電流探頭(如TCP0030A, TCP0150, 或帶TICP的CVR)測量ID

單端電壓探頭(如TPP1000)測量柵源電壓VGS

函數(shù)發(fā)生器(如AFG31000)提供雙脈沖激勵

待測器件(DUT)板(SiC/GaN FET)

直流電源

WBG-DPT內(nèi)的軟件操作

(見白皮書內(nèi)圖文詳細教程)

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5系列B MSO示波器上的RDS(on)測量結(jié)果

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RDS(on)測量生成的VDS派生波形與RDS(on)波形細節(jié)圖

結(jié)果驗證

該軟件方法已通過與傳統(tǒng)硬件鉗位方案的對比測試驗證,結(jié)果顯示出良好的一致性(見白皮書內(nèi)數(shù)據(jù)對比圖)。它能有效反映RDS(on)隨電流、溫度變化的趨勢,為評估器件性能、優(yōu)化開關(guān)效率及熱管理設(shè)計提供了可靠的數(shù)據(jù)支持。

04顯著技術(shù)優(yōu)勢

簡化測試

省去設(shè)計和搭建外部鉗位電路的麻煩,降低成本和復(fù)雜性。

減少誤差

消除了鉗位電路引入的寄生參數(shù)影響和電壓偏移。

高分辨率

算法有效融合雙探頭數(shù)據(jù),在導(dǎo)通區(qū)域?qū)崿F(xiàn)高精度電壓測量。

自動化高效

集成于示波器軟件,配置流程化,測量快速。

結(jié)論

泰克創(chuàng)新的基于雙探頭和軟件算法的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù),成功解決了傳統(tǒng)硬件鉗位方法帶來的諸多挑戰(zhàn)。它提供了一種更簡便、更精確、更可靠的方式來評估GaN和SiC功率器件在高頻開關(guān)工況下的真實導(dǎo)通特性,特別是在研究電荷俘獲效應(yīng)及其對傳導(dǎo)損耗的影響方面。這項技術(shù)為電源設(shè)計工程師優(yōu)化轉(zhuǎn)換效率、提升功率密度和加強熱管理策略提供了關(guān)鍵的實測數(shù)據(jù)支撐,加速了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用落地。


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