91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

耐威科技與青島市簽署協(xié)議,將提供項目支持及加速布局第三代半導體材料市場

半導體動態(tài) ? 來源:網絡整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-07-07 10:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

耐威科技7月5日晚間公告,公司與青島市即墨區(qū)人民政府(以下簡稱“青島即墨”)、青島城市建設投資(集團)有限責任公司(以下簡稱“青島城投”)在2018年國際集成電路產業(yè)投資(青島)峰會上簽署《合作框架協(xié)議書》。

公司控股子公司聚能晶源(青島)半導體材料有限公司(以下簡稱為“聚能晶源”)于近日完成工商變更登記,該子公司主要從事半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發(fā)、生產。青島城投擬通過青島海絲民合半導體投資中心(有限合伙)出資參與聚能晶源項目。

合作主要內容為:為幫助和盡快形成產能,占領國內第三代半導體材料市場份額,青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協(xié)議,為聚能晶源提供一系列項目支持。聚能晶源預計項目投資總額不少于約2億元:2018年年底前投資總額不低于5000萬元,2020年底前投資總額不低于1.5億元。聚能晶源未來產品線將覆蓋功率與微波器件應用,打造世界級氮化鎵(GaN)材料公司。項目主要產品有面向功率器件應用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應用的氮化鎵(GaN)外延片等。

公司稱,本次簽署的《合作框架協(xié)議書》涉及對公司控股子公司層面的投資,暫時無法預計對公司2018年經營業(yè)績及未來年度經營業(yè)績所產生的影響;此次公司與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關項目的投資、落地情況達成緊密合作,有利于公司加快第三代半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發(fā)、生產進度,有利于公司把握產業(yè)發(fā)展機遇,盡快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網等領域的推廣應用,有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應用”的全面布局,提高公司的綜合競爭實力,將對公司的長遠發(fā)展產生積極影響。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30786

    瀏覽量

    264521
  • 耐威科技
    +關注

    關注

    2

    文章

    24

    瀏覽量

    7793
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深圳薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體

    深圳薩科微slkor半導體有限公司是宋仕強于2015年在深圳華強北成立,當時掌握了行業(yè)領先的第三代半導體碳化硅
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺

    今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結 MOSFET技術平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?691次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導體駛入快車道,碳化硅器件成本有望年內接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?410次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?274次閱讀

    欣見灣區(qū)新藍圖,瑞沃微祝賀廣州發(fā)布先進制造業(yè)強規(guī)劃,共筑第三代半導體與芯片產業(yè)未來

    1月8日,廣州人民政府正式發(fā)布《廣州加快建設先進制造業(yè)強規(guī)劃(2024—2035年)》,明確了未來十余年產業(yè)發(fā)展方向。規(guī)劃提出,重點發(fā)展第三
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:34 ?745次閱讀
    欣見灣區(qū)新藍圖,瑞沃微祝賀廣州發(fā)布先進制造業(yè)強<b class='flag-5'>市</b>規(guī)劃,共筑<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>與芯片產業(yè)未來

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、
    發(fā)表于 12-25 09:12

    第三代半導體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當之處,還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習! 碳化硅是第三代半導體材料的代表;而半導體這個行業(yè)又過于學術,為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?541次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>碳化硅(Sic)<b class='flag-5'>加速</b>上車原因的詳解;

    第三代半導體半橋上管電壓電流測試方案

    第三代半導體器件的研發(fā)與性能評估中,對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數(shù)測試,是優(yōu)化電路設計、驗證器件特性的關鍵環(huán)節(jié)。一套科學、可靠的測試方案可為技術開發(fā)提供堅實的數(shù)據(jù)支撐,加速
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:01 ?252次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>半橋上管電壓電流測試方案

    CINNO出席第三代半導體產業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導體產業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1444次閱讀

    材料與應用:第三代半導體引領產業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領域實現(xiàn)規(guī)?;瘧?。GaN 憑
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?639次閱讀

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?828次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?753次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b>中的關鍵應用

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1358次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應用方案

    第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域

    隨著電子技術的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2512次閱讀

    瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)

    隨著AI技術井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?935次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結MOSFET技術解析(1)