7月30日據(jù)業(yè)界消息，三星電子與SK海力士為確保營(yíng)收“孝子”DRAM的未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力，將投資采用10納米DRAM生產(chǎn)制程EUV曝光方式。全球唯一生產(chǎn)次世代半導(dǎo)體EUV半導(dǎo)體設(shè)備廠商—荷蘭ASML一年僅可產(chǎn)出20臺(tái)EUV設(shè)備，屬于尖端高價(jià)設(shè)備。

ASML曝光設(shè)備

用EUV打破DRAM精細(xì)工程天花板

EUV 曝光設(shè)備可提升半導(dǎo)體生產(chǎn)中最核心的曝光制程能力。曝光制程既是利用光源在晶圓上畫(huà)出電路的過(guò)程。這也是決定芯片大小和制造能力的核心技術(shù)之一。

半導(dǎo)體業(yè)界數(shù)十年來(lái)使用的濕蝕刻（Immersion）和Arf浸潤(rùn)光刻技術(shù)經(jīng)過(guò)改良可通過(guò)2至4次Patterning最小可做到10納米，但這已經(jīng)屬于上限。

三星電子與SK海力士的10納米以上至20納米以下DRAM制程無(wú)法提升產(chǎn)能也是因該技術(shù)限制。為實(shí)現(xiàn)更精細(xì)化，需要反復(fù)進(jìn)行Patterning，而如此一來(lái)會(huì)增加制程次數(shù)降低生產(chǎn)能力。

一向重視IC芯片的三星電子開(kāi)始著手摸索DRAM制程上應(yīng)用EUV的方式。業(yè)界人士評(píng)論：通常來(lái)說(shuō)，新的設(shè)備會(huì)先在IC芯片制程上嘗試后轉(zhuǎn)至Memory制程。但此次三星與ASML聯(lián)手，將同步在IC和Memory上導(dǎo)入新技術(shù)。

SK海力士也同樣預(yù)計(jì)在2020年投產(chǎn)的M16工廠采用EUV設(shè)備生產(chǎn)10納米DRAM。也已經(jīng)著手在利川工廠開(kāi)展DRAM EUV制程的改良作業(yè)。

風(fēng)險(xiǎn)與機(jī)遇并存

積極導(dǎo)入新技術(shù)以確保霸權(quán)地位雖說(shuō)是好的方向，但EUV導(dǎo)入的風(fēng)險(xiǎn)也不容小覷。除了高達(dá)1500億韓幣（9.2億人民幣）的高昂的成本壓力外，Memory屬于首次嘗試導(dǎo)入該技術(shù)。

三星電子、TSMC、GF、UMC半導(dǎo)體代工廠全景

全球可供應(yīng)此種設(shè)備的廠商僅為ASML一家，并且生產(chǎn)數(shù)量也有限。根據(jù)ASML表示今年可產(chǎn)出20臺(tái)EUV設(shè)備，到明年可產(chǎn)出30臺(tái)，2020年可產(chǎn)出40臺(tái)。

但三星電子、因特爾、美光、TSMC、GF等設(shè)備采購(gòu)量卻越來(lái)越多。TSMC為確保EUV設(shè)備開(kāi)始了對(duì)賭競(jìng)爭(zhēng)，再加上SK海力士，預(yù)計(jì)EUV設(shè)備很快會(huì)進(jìn)入“一臺(tái)難求”的境地。

半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)人士表示：雖表面看起來(lái)EUV對(duì)于DRAM制程效率提升幫助很大，但實(shí)際光罩與材料問(wèn)題還屬殘留課題，不排除在EUV技術(shù)穩(wěn)定化過(guò)程中導(dǎo)致巨額損失的可能性。