8月28日，在2018“芯集坪山”中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點(diǎn)話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。

發(fā)展第三代半導(dǎo)體是國(guó)家戰(zhàn)略重大需求

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)、深圳第三代半導(dǎo)體研究院副理事長(zhǎng)吳玲會(huì)上表示，第三代半導(dǎo)體滿足國(guó)防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級(jí)、節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求。

在她看來(lái)，第三代半導(dǎo)體支撐著我國(guó)高頻、高速、寬帶通信系統(tǒng)核心器件的自主可控，支撐國(guó)家能源戰(zhàn)略，支撐著高速列車、新能源汽車等核心動(dòng)力系統(tǒng)的發(fā)展以及節(jié)能環(huán)保、國(guó)防安全軍事裝備的自主發(fā)展等。

吳玲表示，第三代半導(dǎo)體現(xiàn)已進(jìn)入爆發(fā)式增長(zhǎng)期，全球各國(guó)爭(zhēng)相搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)，在我國(guó)，第三代半導(dǎo)體早已受到政府層面的高度關(guān)注。

自2004年開(kāi)始，我國(guó)政府就第三代半導(dǎo)體材料研究與開(kāi)發(fā)進(jìn)行了相應(yīng)的部署，并啟動(dòng)了一系列的重大研究項(xiàng)目。

2016年我國(guó)啟動(dòng)“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)，第三代半導(dǎo)體材料是重點(diǎn)專項(xiàng)中的重要研究領(lǐng)域。

隨后在2016年國(guó)務(wù)院發(fā)布的面向2030的6項(xiàng)重大科技項(xiàng)目和9大重大工程中，第三代半導(dǎo)體是“重點(diǎn)新材料研發(fā)及應(yīng)用”重大項(xiàng)目的重要部分。

2016年12月，國(guó)務(wù)院成立國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組，貫徹實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略，加快推進(jìn)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展；2017年2月，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)成立。

2017年6月，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟組織編輯2030國(guó)家重點(diǎn)新材料研發(fā)及應(yīng)用第三代半導(dǎo)體版塊實(shí)施方案。

在國(guó)家政策推動(dòng)下，江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)，那么目前成效如何？據(jù)吳玲介紹，目前國(guó)內(nèi)中低壓電力電子材料和器件已初步量產(chǎn)，應(yīng)用快速滲透。

SiC方面，天科合達(dá)、山東天岳、中電集團(tuán)2所等初步實(shí)現(xiàn)4英寸SiC單晶襯底材料量產(chǎn)，并開(kāi)發(fā)出6英寸樣品；泰科天潤(rùn)、世紀(jì)金光、中電55所、13所等多家企業(yè)和機(jī)構(gòu)已實(shí)現(xiàn)600-3300V的SiC肖特二極管量產(chǎn)，處于用戶驗(yàn)證階段；中車株洲時(shí)代電氣、國(guó)家電網(wǎng)聯(lián)研院、廈門三安等企業(yè)建設(shè)了6英寸SiC電力電子器件工藝線。

GaN方面，中電13所已形成系列化GaN微波功率器件和MMIC產(chǎn)品，并被華為、中興用于進(jìn)行基站研發(fā)；蘇州納維、東莞中鎵具備2-4英寸GaN單晶襯底材料的供貨能力；蘇州能訊、蘇州晶湛、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導(dǎo)體均已進(jìn)入布局GaN電力電子材料和器件；三安集團(tuán)也已建設(shè)GaN射頻器件工藝線。

根據(jù)發(fā)展目標(biāo)，2018~2020年間，我國(guó)將完成第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)建設(shè)，進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈的完善、核心裝備研發(fā)、核心工藝開(kāi)發(fā)、開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)器件并開(kāi)始示范應(yīng)用等。

深圳坪山優(yōu)先發(fā)展，政策即將出臺(tái)

在國(guó)家政策推動(dòng)下，江蘇、浙江、廈門、江西等地已逐步發(fā)展成為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)，深圳亦是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體發(fā)展排頭兵之一。

深圳市根據(jù)“十三五”規(guī)劃的國(guó)際科技和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心定位，正在實(shí)施新一輪創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略布局，將著力在核心芯片、人工智能等重點(diǎn)關(guān)鍵技術(shù)的突破。根據(jù)規(guī)劃，坪山區(qū)為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)先發(fā)展區(qū)域。

坪山區(qū)作為深圳東部產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要基地，集聚了中芯國(guó)際、比亞迪（中央研究院）、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)，集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚漸成規(guī)模。

為了加快第三代半導(dǎo)體發(fā)展步伐，深圳市已相繼成第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、深圳第三代半導(dǎo)體研究院，并在坪山區(qū)設(shè)立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。坪山區(qū)政府于8月3日公開(kāi)發(fā)布了《深圳市坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施（征求意見(jiàn)稿）》。

在高峰論壇上，政府代表人員表示該政策即將出臺(tái)，并重點(diǎn)介紹了政策主要內(nèi)容。據(jù)介紹，該政策主要包括對(duì)符合條件的相關(guān)企業(yè)在資金、融資、租賃、落戶等14方面的支持和資助獎(jiǎng)勵(lì)，具體有：

1.資金支持：坪山區(qū)級(jí)層面將成立產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項(xiàng)資金以提供續(xù)的支撐，此外還將設(shè)立一個(gè)集成電路專項(xiàng)產(chǎn)業(yè)基金，帶動(dòng)社會(huì)資本一起支撐第三代半導(dǎo)體擊和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2.融資資助：對(duì)于企業(yè)獲得一年期以上的信貸融資的，將按照利息或擔(dān)保費(fèi)50%，分別給予年度最高200萬(wàn)元的資助。

3.租金資助：對(duì)企業(yè)租賃創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房的，按照市場(chǎng)平均價(jià)的50%到90%，給予最高年度500萬(wàn)元的資助。

4.落戶獎(jiǎng)勵(lì)：對(duì)新設(shè)立或新遷入的制造、封測(cè)類企業(yè)，按照落戶后第一年實(shí)際完成工業(yè)投資額的10%，給予最高1000萬(wàn)元一次性獎(jiǎng)勵(lì)；對(duì)新設(shè)立或新遷入的設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料類企業(yè)，按落戶后第一年追加實(shí)繳資本的10%，給予最高500萬(wàn)元的資助。

5.研發(fā)資助：對(duì)企業(yè)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)的，按照研發(fā)投入的10%，給予年度最高500萬(wàn)元的資助，對(duì)產(chǎn)品區(qū)域聯(lián)合研發(fā)的資助額度提高到最高600萬(wàn)。

6.平臺(tái)支持：對(duì)于企業(yè)建設(shè)的公共服務(wù)平臺(tái)，經(jīng)區(qū)政府認(rèn)定的，按設(shè)備購(gòu)置費(fèi)的50%一次性給予最高2000萬(wàn)元的資助。

7.設(shè)計(jì)資助：企業(yè)購(gòu)買EDA軟件（含升級(jí)費(fèi)用）、采購(gòu)轄區(qū)公共服務(wù)平臺(tái)設(shè)計(jì)服務(wù)等不同類型，

按實(shí)際發(fā)生費(fèi)用的50%給予資助。

8.驗(yàn)證資助：對(duì)企業(yè)進(jìn)行工程片、設(shè)備、材料測(cè)試驗(yàn)證的，按實(shí)際發(fā)生費(fèi)用50%，給予年度最高200萬(wàn)元的資助。

9.流片資助：對(duì)企業(yè)參加多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)（MPW）項(xiàng)目的，按MPW直接費(fèi)用的80%（高校和科研院所比例提高到90%），給予年度最高200萬(wàn)元資助；對(duì)企業(yè)首次工程流片的，按照實(shí)際費(fèi)用的30%，給予年度最高300萬(wàn)元資助；對(duì)利用轄區(qū)企業(yè)開(kāi)展MPW的，最高資助額度為400萬(wàn)元。

10.首購(gòu)獎(jiǎng)勵(lì)：對(duì)整機(jī)企業(yè)首購(gòu)首用本轄區(qū)芯片，按采購(gòu)金額的10%，一次性給予最高50萬(wàn)元獎(jiǎng)勵(lì)；對(duì)企業(yè)首購(gòu)首用本轄區(qū)設(shè)備、材料的，按照采購(gòu)金額的10%，一次性給予最高100萬(wàn)元的獎(jiǎng)勵(lì)。

11.經(jīng)營(yíng)資助：對(duì)生產(chǎn)性用電按用電費(fèi)用的50%，一次性給予最高500萬(wàn)元資助；對(duì)企業(yè)建設(shè)雙回路、儲(chǔ)能電站等用電設(shè)施，按實(shí)際投入費(fèi)用的30%，一次性給予最高500萬(wàn)元的資助；對(duì)企業(yè)的日常環(huán)保處理，按照實(shí)際支出的50%，給予最高100萬(wàn)元的資助；對(duì)企業(yè)建設(shè)環(huán)保處理工程的，按工資費(fèi)用50%，給予年度最高500萬(wàn)元的資助。

12.配套資助：對(duì)于承擔(dān)軍工科研項(xiàng)目、設(shè)立海外研發(fā)中心、建設(shè)公共服務(wù)平臺(tái)、獲得國(guó)家首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備保險(xiǎn)補(bǔ)償?shù)钠髽I(yè)，分別按照上級(jí)實(shí)際資助額度的1:1給予配套資助。

13.技改資助：征求意見(jiàn)稿中關(guān)于微組裝生產(chǎn)線、設(shè)備購(gòu)置、潔凈室裝修的資助內(nèi)容，將以更大支持力度納入“實(shí)體經(jīng)濟(jì)二十條”的修訂版中，即將發(fā)布。

14.人才資助：征求意見(jiàn)稿中關(guān)于人才資助的內(nèi)容，將統(tǒng)籌納入到“龍聚坪山”的人才政策，即將發(fā)布。