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比亞迪半導(dǎo)體精彩亮相IC China 2025

比亞迪半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:比亞迪半導(dǎo)體 ? 2025-12-04 11:47 ? 次閱讀
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2025年11月25日,由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)和中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院聯(lián)合主辦,北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰境修k的第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(IC China 2025)在北京國(guó)家會(huì)議中心落下帷幕。會(huì)上,比亞迪半導(dǎo)體圍繞功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體等應(yīng)用版圖及多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域,集中展示了近50款新型半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案,充分彰顯了高效、智能、集成的新型半導(dǎo)體應(yīng)用實(shí)踐方案及深厚的技術(shù)積累、強(qiáng)大的科技創(chuàng)新能力。

經(jīng)過(guò)20余年技術(shù)沉淀,比亞迪半導(dǎo)體具有豐富的功率芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè),擁有成熟的晶圓制造工藝、強(qiáng)大的功率模塊生產(chǎn)能力、獨(dú)有的測(cè)試條件以及應(yīng)用平臺(tái)。

在功率半導(dǎo)體展區(qū),現(xiàn)場(chǎng)展示了多款性能優(yōu)異的車規(guī)級(jí)IGBT和SiC功率模塊。模塊采用比亞迪半導(dǎo)體自主研發(fā)設(shè)計(jì)的高性能芯片,具有高集成度、低開關(guān)損耗、高功率循環(huán)和高溫度循環(huán)能力等優(yōu)勢(shì);擁有多種封裝結(jié)構(gòu),散熱效率高,適用于大部分新能源汽車驅(qū)動(dòng)及電力變換應(yīng)用領(lǐng)域。

智能控制IC區(qū)域,比亞迪半導(dǎo)體重點(diǎn)展出多款車規(guī)MCU核心芯片、功率IC、BMS AFE芯片。其中,隨著產(chǎn)品系列的不斷豐富,比亞迪半導(dǎo)體已布局多系列車規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品,累計(jì)裝車量在國(guó)內(nèi)自主品牌中遙遙領(lǐng)先。未來(lái)將會(huì)推出應(yīng)用范圍更加廣泛,技術(shù)領(lǐng)先的高性能高集成專用芯片解決方案,助力實(shí)現(xiàn)車身控制、域控制、三電系統(tǒng)等整車MCU自主可控。

隨著汽車智能化的不斷發(fā)展,車載智能輔助駕駛正站在一個(gè)新時(shí)代的門檻上。自2003年起,比亞迪半導(dǎo)體就致力于光電半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn),產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能座艙系統(tǒng)和ADAS駕駛輔助領(lǐng)域,為用戶帶來(lái)更加智能、安全、舒適的駕駛體驗(yàn)。比亞迪半導(dǎo)體多款產(chǎn)品已在比亞迪汽車“天神之眼”各平臺(tái)批量裝車。

比亞迪半導(dǎo)體早在2008年就開始車用電流傳感器產(chǎn)品的研發(fā)。2013年完成首款車用多合一集成一體化電流傳感器產(chǎn)品研發(fā),已批量應(yīng)用于E6、秦、唐、宋、元等多個(gè)車型。2023年9月,比亞迪半導(dǎo)體完成新一款大電流、高精度、快速響應(yīng)的電流傳感器產(chǎn)品開發(fā),該產(chǎn)品搭載于比亞迪高端車型仰望U8,標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體傳感器產(chǎn)品向更高集成、更高精度方向邁上新臺(tái)階。目前,比亞迪半導(dǎo)體新能源汽車用電流傳感器裝車量位居國(guó)內(nèi)品牌前列。

產(chǎn)品展示(部分)

車規(guī)級(jí)IGBT芯片——IGBT8.0

1、全球領(lǐng)先超大功率密度車規(guī)級(jí)IGBT芯片

2、全新一代自主研發(fā),采用超深亞微米加工工藝,逼近物理加工極限,能效大幅提升

3、功率密度全球領(lǐng)先,定義電驅(qū)IGBT芯片效能和輕量化設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

1500V高耐壓大功率SiC芯片

1、全球首款批量裝車1500V高耐壓大功率SiC芯片

2、全技術(shù)鏈自研自產(chǎn)

3、汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域首次大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用的最高電壓等級(jí)SiC芯片

高電壓平臺(tái)雙面銀燒結(jié)SiC模塊

業(yè)內(nèi)首創(chuàng),滿足高達(dá)1000V電壓平臺(tái)應(yīng)用,真正釋放了電機(jī)的潛能,開啟高效電力傳輸新紀(jì)元。

1、高效率、低損耗

5nH低雜散電感設(shè)計(jì),相比傳統(tǒng)封裝可以降低30%動(dòng)態(tài)損耗,提升整車效率和續(xù)航能力。

2、長(zhǎng)壽命、高可靠性

采用耐高溫塑封材料及納米銀燒結(jié)工藝,實(shí)現(xiàn)了200℃工作結(jié)溫,功率循環(huán)壽命超越常規(guī)工藝3倍以上。

3、耐振動(dòng)性能

遠(yuǎn)超目前可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn),隨機(jī)振動(dòng)特性曲線可超過(guò)14G,±XYZ六向加速度耐受能力完全滿足模塊側(cè)裝、倒裝等不同安裝方式,實(shí)現(xiàn)隨心所欲的功能部署與性能優(yōu)化。

4、小體積、輕量化

通過(guò)塑封模塊引線框架、底板一體成型注塑工藝,降低雜散電感的同時(shí),同輸出能力下相較傳統(tǒng)灌封模塊總體積減小28%。

DM4.0 IGBT模塊

比亞迪完全自主獨(dú)立研發(fā)、搭載自研IGBT芯片,為匹配DMi車型架構(gòu)、為整車量身定制開發(fā)的高功率Si基IGBT模塊。

1、比亞迪獨(dú)立自主研發(fā)的IGBT模塊,集成發(fā)電、逆變、升壓等功能,具備低導(dǎo)通與開關(guān)損耗性能。

2、搭載比亞迪自主研發(fā)高性能IGBT芯片,損耗極低,過(guò)流能力強(qiáng)。

3、產(chǎn)品采用橢圓形散熱底板和AMB材料,高效散熱,溫升能力強(qiáng),可靠性高。

4、采用PPS材質(zhì)(聚苯硫醚),滿足耐高溫、高機(jī)械強(qiáng)度、高絕緣強(qiáng)度要求。

32位車規(guī)級(jí)通用MCU

1、LATCH UP性能提升一倍,具有更強(qiáng)的可靠性及穩(wěn)定性。

2、ESD性能提升一倍,具有更強(qiáng)的抗干擾能力。

3、產(chǎn)品新增trace功能,軟件開發(fā)效率提升至少一倍。

4、硬件Lin模塊,模擬Lin處理效率更高。

5、更豐富的外設(shè)接口,應(yīng)用場(chǎng)景更加豐富。

國(guó)內(nèi)首款量產(chǎn)裝車車規(guī)級(jí)18通道BMS AFE

1、支持18通道電壓檢測(cè)+9通道溫度檢測(cè)

2、電池電壓檢測(cè)精度≤1mV

3、集成被動(dòng)均衡開關(guān),支持最大300mA均衡電流

4、支持回環(huán)菊花鏈通信,無(wú)級(jí)聯(lián)上限

國(guó)內(nèi)首家高集成小間距 ADB大燈光源

1、自主研發(fā),突破智能光型控制技術(shù)壁壘

2、百級(jí)ADB光源,108像素行業(yè)最高

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原文標(biāo)題:IC China 2025聚焦:比亞迪半導(dǎo)體攜車規(guī)級(jí)產(chǎn)品及整體解決方案參展

文章出處:【微信號(hào):BYD_Semiconductor,微信公眾號(hào):比亞迪半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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