英特爾正努力在制程技術(shù)和全球先進(jìn)產(chǎn)能方面追趕臺積電，但在美國市場，這家芯片巨頭仍然無人能敵。據(jù)報道，英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產(chǎn)的Fab 21二期工廠更為先進(jìn)，其產(chǎn)能相當(dāng)于這兩個工廠的總和。

英特爾Fab 52工廠旨在生產(chǎn)采用英特爾18A（1.8nm級）及更先進(jìn)工藝技術(shù)的芯片，這些工藝技術(shù)使用環(huán)柵（GAA）RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)。該工廠的產(chǎn)能為每周1萬片晶圓，滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)時每月約4萬片晶圓*（WSPM），按如今標(biāo)準(zhǔn)來看，這確實是一個非常龐大的晶圓廠。

據(jù)@IntelProMUltra觀察，目前，F(xiàn)ab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)，其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進(jìn)的低數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，它借鑒了下一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源，因此在30 mJ/cm2 的劑量下，每小時可處理多達(dá)220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統(tǒng)，在30 mJ/cm2的劑量下，每小時可處理160片晶圓。

此外，英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區(qū)預(yù)留了至少15臺EUV光刻機(jī)的安裝空間，未來可能引入更高數(shù)值孔徑（High-NA）機(jī)型，進(jìn)一步鞏固技術(shù)壁壘。

審核編輯 黃宇